Short wave infrared (SWIR) photovoltaic devices have been fabricated from metal organic vapour phase epitaxy (MOVPE) grown n- on p- HgCdTe films on GaAs substrates. The MOVPE grown films were processed into mesa type discrete devices with wet chemical etching employed for meas delineation and ZnS surface passivatlon. ZnS was thermally evaporated from effusion cell in an ultra high vacuum (UHV) chamber. The main features of the ZnS deposited from effusion cell in UHV chamber are low fixed surface charge density, and small hysteresis. It was found that a negative flat band voltage with -0.6 V has been obtained for Metal Insulator Semiconductor (MIS) capacitor which was evaporated at $910^{\circ}C$ for 90 min. Current-Voltage (I-V) and temperature dependence of the I-V characteristics were measured in the temperature range 80 - 300 K. The Zero bias dynamic resistance-area product ($R_{0}A$) was about $7500{\Omega}-cm^{2}$ at room temperature. The physical mechanisms that dominate dark current properties in the HgCdTe photodiodes are examined by the dependence of the $R_{0}A$ product upon reciprocal temperature. From theoretical considerations and known current expressions for thermal and tunnelling process, the device is shown to be diffusion limited up to 180 K and g-r limited at temperature below this.
Control of Trihalomethanes(THMs) is a major concern of many water treatment plants. A number of researchers have studied the effectiveness of activated carbon adsorption process in removing THMs or organic halogen compounds. Recently, attention has been paid to the biological activated carbon (BAC) treatment of THM precursors as an alternative to the carbon adsorption treatment because of its effectiveness as well as its low running cost. In this study, changes of THM formation potential(THMFP) and removal of substrates in the SBR effluent were investigated in an attempt to clarify the mechanisms of the decrease/increase of THMFP in the BAC treatment. The increase and decrease of THMFP concentrations were observed in effluents during prolonged operation. When PCP or DBS was feeded as substrate contained in SBR effluent, the THMFPs were easyly removed with TOCs removal. But the case of SBR effluent containing SDS or glycine was introduced, and when microbial growth came to its near steady state, the THMFPs of treated effluents were increased more or less in comparison to those in the influents. Such increases of THMFP coincided with the increase in microbial growth within the activated carbon fiber(ACF) column. In the case of only sucrose was feeded as substrate on ACF colume, THMFP concentrations of effluent were higher than those of influent. The THMFP concentration was significantly increased on inlet part of ACF column, which biomass inhabits abundantly, then they were decreased gradually. These increases mean production of the secondary THM precursors by biological activities, which can be removed by adsorption and biological degradation on ACF column.
O, Seok-Heon;Son, Won-Il;Park, Seon-Jin;Kim, Ui-Deok;Baek, Chung-Hun
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2010.05a
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pp.19.2-19.2
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2010
Printed electronics using printing process has broadened in all respects such as electrics (lighting, batteries, solar cells etc) as well as electronics (OLED, LCD, E-paper, transistor etc). Copper is considered to be a promising alternative to silver for printed electronics, due to very high conductivity at a low price. However, Copper is easily oxidized, and its oxide is non-conductive. This is the highest hurdle for making copper inks, since the heat and humidity that occurs during ink making and printing simply accelerates the oxidation process. A variety of chemical treatments including organic capping agents and metallic coating have been used to slow this oxidation. We have established synthetic conditions of copper nanoparticles (CuNPs) which are resistant to oxidation and average diameter of 20 to 50nm. Specific resistivity should be less than $4\;{\mu}{\Omega}{\cdot}cm$ when sintered at lower temperature than $250^{\circ}C$ to be able to apply to conductive patterns of FPCBs using ink-jet printing. Through this study, the parameters to control average diameter of CuNPs were found to be the introduction of additive agent, the feeding rate of reducing agent, and reaction temperature. The CuNPs with various average diameters (58, 40, 26, 20nm) could be synthesized by controlling these parameters. The dispersed solution of CuNPs with an average size of 20 nm was made with nonpolar solvent containing 3 wt% of binder, and then coated onto glass substrate. After sintering the coated substrates at $250^{\circ}C$ for 30 minutes in nitrogen atmosphere, metallic copper film resulted in a specific resistivity of $4.2\;{\mu}{\Omega}{\cdot}cm$.
Fungal cytochrome P450 (CYP) enzymes catalyze versatile monooxygenase reactions and play a major role in fungal adaptations owing to their essential roles in the production avoid metabolites critical for pathogenesis, detoxification of xenobiotics, and exploitation avoid substrates. Although fungal CYP-dependent biotransformation for the selective oxidation avoid organic compounds in yeast system is advantageous, it often suffers from a shortage avoid intracellular NADPH. In this study, we aimed to investigate the use of bacterial glucose dehydrogenase (GDH) for the intracellular electron regeneration of fungal CYP monooxygenase in a yeast reconstituted system. The benzoate hydroxylase FoCYP53A19 and its homologous redox partner FoCPR from Fusarium oxysporum were co-expressed with the BsGDH from Bacillus subtilis in Saccharomyces cerevisiae for heterologous expression and biotransformations. We attempted to optimize several bottlenecks concerning the efficiency of fungal CYP-mediated whole-cell-biotransformation to enhance the conversion. The catalytic performance of the intracellular NADPH regeneration system facilitated the hydroxylation of benzoic acid to 4-hydroxybenzoic acid with high conversion in the resting-cell reaction. The FoCYP53A19+FoCPR+BsGDH reconstituted system produced 0.47 mM 4-hydroxybenzoic acid (94% conversion) in the resting-cell biotransformations performed in 50 mM phosphate buffer (pH 6.0) containing 0.5 mM benzoic acid and 0.25% glucose for 24 h at $30^{\circ}C$. The "coupled-enzyme" system can certainly improve the overall performance of NADPH-dependent whole-cell biotransformations in a yeast system.
The application of constructed subsurface-flow wetlands for treatment of wastewater from abandoned mines is being increased. Crushed limestone, oak chips, and mushroom composites are often employed in a bulk form, as the substrates in the bed media. Efficiency of the subsurface-flow treatment system drops with time as the hydraulic conductivity of the wetland soil decreases significantly, presumably due to chemical reactions with the wastewater. The purpose of this study is to investigate the applicability of immobilized beads carrying sulfate reducing bacteria for acid mine drainage treatment system. The ingredients of immobilized beads are organic materials such as mushroom composite and oak chips, limestone powder for a pH buffer, mixed with a modified Coleville Synthetic Brine. It was found that immobilized beads are more efficient than the bulk form for pH recovery, sulfate and heavy metal removal.
Polystyrene (PS) microspheres were used to good advantage as a template material to prepare macroporous $TiO_2$ thin films. This is enabled to run the thermal decomposition of the PS without the collapsing of the 3-D macroporous framework during the calcination step. $TiO_2$ thin films were deposited onto the colloidal templated substrates at room temperature by RF sputtering, and then samples were thermally treated at $450^{\circ}C$ for 40.min in air to remove the organic colloidal template and induce crystallization of the $TiO_2$ film. The macroporous $TiO_2$ thin film exhibited a quasi-ordered partially hexagonal close-packed structure. Burst holes, estimated to be formed during PS thermal decomposition, are seen as the hemisphere walls. the inner as well as the outer surfaces of the hollow hemispheres formed by the method of thermal decomposition can be easily accessed by the diffusing gas species. As a consequence, the active surface area interacting with the gas species is expected to be enlarged about by a factor of fourth as large as compared to that of a planar films. Also the thickness at neighboring hemisphere could be controlled a few nm thickness. If the acceptor density becomes as large that depletion width reaches those thickness, the device is in the pinch off-situation and a strong resistance change should be observed.
[ $Yb_2O_3$ ] films were successfully deposited on a cube-textured Ni and(100) $SrTiO_3$(STO) single crystal substrates by metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) method using $H_2O$ vapor as an oxidant. $H_2O$ vapor was used in order to avoid the oxidation of Ni substrate. The working pressure and Ar flow rate were 10 Ton and 600 sccm, respectively. $Yb_2O_3$ films on STO were formed at high temperatures above $900^{\circ}C$. While XRD peaks from $Yb_2O_3$ were hardly detected at $900^{\circ}C$, the $Yb_2O_3$(400) texture was developed fur the films grown at deposition temperatures above $950^{\circ}C$. The AEM surface roughness of $Yb_2O_3$ film, grown on STO, was in the range of $6{\sim}10nm$ for the film deposited at $950^{\circ}C$ with a $H_2O$ vapor partial pressure of 5.5 Ton and deposition times of 3 and 5 mins. For cube-textured Ni substrate, both $Yb_2O_3$(222) and $Yb_2O_3$ (400) textures were developed textures at deposition temperatures above $850^{\circ}C$.
We have investigated the formation techniques of copper thin films which would be useful for sub-quarter-micron integrated circuits. A chemical vapor deposition technology has been tried for the better side wall formation of the thin films, and a metal organic compound, named (hface)Cu(VTMS) (hexafluoroacetylacetonate vinyltrimethylsilane copper(I)) was used as the precursors. We have deposited the copper thin films on TiN and $SiO_2$substrates. The film resistivity and deposition selectivity have been measured as functions of substrate temperature and chamber pressure. Best electrical properties were obtained at $180^{\circ}C$ of substrate temperature and 0.6 Torr of chamber pressure. Under the optimum deposition conditions, polycrystalline copper structures were observed to be grown, and the deposition rate of 120 nm/min was measured. The electrical resistivity as low as 0.25$mu \Omega$.cm, and the surface roughness of 15.5 nm were also measured. These are the suitable electrical and material properties required in the sub-quarter-micron device fabrication. Also, in the substrate temperature range of 140-$250^{\circ}C$, high deposition selectivity was observed between TiN and $SiO_2$.
We fabricated $YBa_2Cu_3O_{7-x}$(YBCO) films on (00l) $LaAlO_3$ substrates prepared by metal organic deposition(MOD) method using trifluoroacetate(TFA) solution. The films with various thicknesses were prepared by repeating the dip-coating and calcining processes. The effects of film thickness on phase formation, microstructures, and critical properties were evaluated by X-ray diffraction, scanning electron microscopy, and transmission electron microscopy. The microstructure and resultant critical current($I_C$) and critical current density($J_C$) varied remarkably with film thickness: The ($I_C$) value increased from 39 to 160 A/cm-width as the number of coatings increased from one to four, while the corresponding $J_C$ was measured to be in the range of $0.84-1.21\;MA/cm^2$. Both the $I_C$ and $J_C$ decreased when an additional coating was applied due to microstructural degradation, indicating that the optimum thickness is in the range of $1.1-1.8\;{\mu}m$. The possible cause for the decrease in the $I_C$ and $J_C$ value for film thicker than $1.8\;{\mu}m$ include non-uniform thickness, increased surface roughness, and the poor formability of the YBCO phase and texture arising from the insufficient heat treatment time with respect to the increased thickness.
$RuO_2$ is a common active component of Dimensionally Stable Anodes (DSAs) for chlorine evolution that can be used in wastewater treatment systems. The recent improvement of chlorine evolution using nanostructures of $RuO_2$ electrodes to increase the treatment efficiency and reduce the energy consumption of this process has received much attention. In this study, $RuO_2$ nanorod and nanosheet electrodes were simply fabricated using the sol-gel method with organic surfactants as the templates. The obtained $RuO_2$ nanorod and nanosheet electrodes exhibit enhanced electrocatalytic activities for chlorine evolution possibly due to the active surface areas, especially the outer active surface areas, which are attributed to the increase in mass transfers compared with a conventional nanograin electrode. The electrocatalytic activities for chlorine evolution were increased up to 20 % in the case of the nanorod electrode and 35% in the case of the nanosheet electrode compared with the nanograin electrode. The $RuO_2$ nanorod 80 nm in length and 20-30 nm in width and the $RuO_2$ nanosheet 40-60 nm in length and 40 nm in width are formed on the surface of Ti substrates. These results support that the templated $RuO_2$ nanorod and nanosheet electrodes are promising anode materials for chlorine evolution in future applications.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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