한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
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pp.750-753
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2002
The chemical vapor condensation process of Parylene-N thin films was investigated and applied to the passivation of the organic light emitting diodes (OLEDs). The effects of process variables on the deposition rate were studied, and it was found that the deposition rate of Parylene increases with increasing precursor sublimation temperature but decreases with increasing substrate temperature. The Parylene film was used as a passivation layer for OLEDs, and as a result, the lifetime of the passivated OLEDs was increased by a factor of about 2.3 compared with that of non-passivated OLEDs.
The factors affecting Ni-Co alloy electroforming were investigated to determine the optimum bath composition and electroplating parameters, like pH, temperature, and current density, suitable for high speed fabrication of a micro mold with longer lifetime. To obtain alloy deposits having uniform thickness and composition, electroplating parameters were finely tuned with home-made electroforming apparatus. Ni-Co alloy deposits had linearly increased Co with $Co^{2+}$ ion concentration in electroplating bath, and showing $412H_v$ of Victors hardness at $23wt\%$ of Co content. For Ni-Co alloy, sulfonate and diol related organic additives were very effective to alleviate its residual stress and surface roughness. The maximum deposition rate was $106{\mu}m/hr$ at 10ASD and the tensile strength of alloy deposit was 2 times larger than that of Ni only case.
High performance green $Ir(ppy)_3$-based phosphorescent OLEDs (PHOLEDs) have been fabricated by organic vapor phase deposition ($OVPD^{TM}$). In addition to demonstrating both efficiency and operational device lifetime comparable to devices built by vacuum thermal evaporation, we report on the controllability and stability of the $OVPD^{TM}$ process. Specifically, run-to-run and day-to-day deposition rate reproducibility of better than 2 % for three consecutive days is demonstrated.
한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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pp.659-662
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2007
The characteristics of a $SiN_x$ passivation layer grown by a specially designed catalyzer enhanced chemical vapor deposition (CECVD) system and electrical and optical properties of OLEDs passivated with the $SiN_x$ layer are described. Despite the low substrate temperature, the single $SiN_x$ passivation layer, grown on the PC substrate, exhibited a low water vapor transmission rate of $2{\sim}6{\times}10^{-2}\;g/m^2/day$ and a high transmittance of 87 %. In addition, current-voltage-luminescence results of an OLED passivated with a 150 nm-thick $SiN_x$ film compared to nonpassivated sample were identical indicating that the performance of an OLED is not critically affected by radiation from tungsten catalyzer during the $SiN_x$ deposition.
In this study, we fabricated of pentacene organic thin film trasistor(OTFT), which used aluminum oxide for the gate insulator on glass substrate. Aluminum oxide for OTFTs was deposited on the gate layer by E-beam evaporation. aluminum oxide fabricated various deposition rate. In this case of the deposition rate of $0.1\;{\AA}$, the fabricated aluminum oxide gate insulator OTFT showed a threshold voltage of -1.36V, an on/off current ratio of $1.9{\times}l0^3$ and field effect mobility $0.023\;cm^2/V_s$.
In a triple-layered structure of ITO/N,N'-diph enyl-N,N'bis(3-methylphenyl)-1,1' - biphenyl-4,4'-diamine(TPD)/tris(8-hydroxyquinoline)aluminum($Alq_3$)/(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(BCP)/Al device, we have studied the electrical and optical characteristics of organic light-emitting diodes(OLEDs) depending on the deposition condition of BCP layer. Several different sizes of holes on boat and several different deposition rates were employed in evaporating the organic materials. And then, electrical properties of the organic light-emitting diodes were measured and the performance of the devices was analyzed. It was found that the hole-size of crucible boat and the evaporation rate affect on the surface roughness of BCP layer as well as the performance of the device. When the hole-size of crucible boat and the deposition rate of BCP are 1.2 mm and $1.0\;{\AA}/s$, respectively, average surface roughness of BCP layer is lower and the efficiency of the device is higher than the ones made with other conditions. From the analysis of current density-luminance-voltage characteristics of a triple layered device, we divided the conductive mechanism by four region according to applied voltage. So we have obtained a coefficient of ${\beta}_{ST}$ in schottky region is $3.85{\times}10^{-24}$, a coefficient of ${\beta}_{PF}$ in Poole-Frenkel region is $7.35{\times}10^{-24}$, and a potential barrier of ${\phi}_{FN}$ in Fower-Nordheim region is 0.39 eV.
우리는 MOCVD (metal organic chemical vapor deposition)법을 이용하여 DEZ (Diethylzinc)을 운송하는 Ar 유속과 reactant (반응물질)의 종류에 따른 ZnO 박막 증착을 연구하였다. Bubbler 시스템을 통하여 주입되는 Ar 유속에 의해 Zn 소스인 DEZ의 양이 조절된다. 산소 기체와 수증기는 산화를 위해 반응물질로 사용된다. 본 연구로부터 표면의 거칠기(surface roughness)는 반응물질의 종류와 DEZ Ar 유속에 관계되며 박막의 두께에 의존한다는 것을 알 수 있었다. 그러나 기판 온도는 산소를 반응물로 하는 상태에서는 표면 거칠기에 영향을 주지 못함을 알 수 있었다. 우리는 ZnO 박막이 90 sccm (Standard Cubic Centimeter per Minute)의 DEZ Ar 유속, 8 Pa의 수증기압, 그리고 $140^{\circ}C$의 기판 온도에서 39.16 mm의 가장 높은 거칠기를 가진다는 것을 확인할 수 있었다. 본 논문은 태양전지의 광 흡수층으로 사용가능한 ZnO 박막을 연구하였다.
In this review article, we focus on various co-evaporation technologies developed for the fabrication of high performance $REBa_2Cu_3O_{7-{\delta}}$ (RE: Y and Rare earth elements, REBCO) superconducting films. Compared with other manufacturing technologies for REBCO films such as sputtering, pulsed laser deposition (PLD), metal-organic deposition (MOD), and metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), the co-evaporation method has a strong advantage of higher deposition rate because metal sources can be used as precursor materials. After the first attempt to produce REBCO films by the co-evaporation method in 1987, various co-evaporation technologies for high performance REBCO films have been developed during last several decades. The key points of each co-evaporation technology are reviewed in this article, which enables us to have a good insight into a new high throughput process, called as a Reactive Co-Evaporation by Deposition and Reaction (RCE-DR).
In the devices structure of ITO/N,N'-diphenyl-N,N' bis (3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (TPD) /tris (8-hydroxyquinoline)aluminum$(Alq_3)$electron-transport-layer(ETL)(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(BCP))/Al, we have studied the efficiency improvement of organic light-emitting diodes depending on the thickness variation of BCP using electron transport layer. The thickness of TPD and $Alq_3$ was manufactured 40 nm, 60 nm under a base pressure of $5{\times}10^{-6}$ Torr using at thermal evaporation, respectively. The TPD and $Alq_3$ layer were evaporated to be deposition rate of $2.5{\AA}/s$. And the BCP was evaporated to be a4 a deposition of $1.0{\AA}/s$. As the experimental results, we found that the luminous efficiency and the external quantum efficiency of the device is superior to others when thickness of BCP is 5 nm. Also, operating voltage is lowest. Compared to the ones from the devices without BCP layer, the luminous efficiency and the external quantum efficiency were improved by a factor of four hundred ninty and five hundred, respectively. And operating voltage is reduced to about 2 V.
Recently, thiophene oligomer with short chain lengths has received much attention as model compounds for facilitating better understanding of electronic and optical properties of polymers, because oligomer is well-defined chemical systems and its conjugation chain length can be exactly controlled. Moreover, organic this films based on conjugated thiophene oligomer have potential for application to electronic and optoelectronic devices such as MISFETs(metal-insulator-semiconductor field-effect transistors) and LEDs(light-emitting diodes). However, there is little knowledge on electronic and structural properties of linear-conjugated oligothiophenes in solid states, compared with those in solutions. $\alpha$-sexithienyl($\alpha$-6T) thin-films were deposited by OMBD(Organic Molecular Beam Deposition) technique, where the $\alpha$-6T was synthesized and purified by the sublimation method. The $\alpha$-6T films were deposited under various conditions. The effects of deposition rate, substrate temperature, and vacuum pressure on the formation of these films have been studied. The molecules in the $\alpha$-6T film deposited at a low deposition rate under a high vacuum were aligned almost perpendicular to the substrate. The $\alpha$-6T films deposited at an elevated substrate temperature showed higher conductivity than the film deposited at room temperature. Electrical characterization of these films will be also executed by using four-point probe measurement technique.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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