은염건판을 반전표백 처리하여 위상형 홀로그래픽 회절격자를 제작하였다. 반전표백에 적합한 화학적 현상액을 사용하고, 표백 후 isopropyl alcohol에 의한 급속탈수 방법으로 회절격자의 효율을 높일 수 있었다. 현상액의 종류와 표백액의 조성 변화 그리고 건조 방법에 따른 회절효율의 변화를 실험적으로 측정하였으며, 각각의 경우에 제작된 회절격자의 특성을 이론적으로 분석하였다. 제작된 회절격자는 최적 조건에서 최고 88%의 효율을 보여, 상용표백 방법으로 제작된 회절격자에 비해 산란이 적으면서도 효율이 높은 결과를 얻었다.
일반적으로 광섬유 격자에 사용되고 있는 KrF 엑시머 레이저를 광출력 스펙트럼 파장천이용으로 이용하였다. 실험 결과, FHD에 의해서 제작된 PLC형 WDM 방향성결합기에서는 UV에 의한 파장천이효과가 비교적 큼을 알 수 있었다. UV 노출량에 의한 파장천이량을 측정하여 UV 노출량에 따른 실리카 광도파로의 유효굴절률 변화량을 계산하였다.
본 논문에서는 LCD의 어두운 상태의 특성을 보완하기 위해 광대역 λ/4 보상판을 사용하여 단일 편광판 모드 반사형 쌍안정 TN LCD를 설계·제작하였다. 단일 편광판 모드에서 광대역 λ/4 보상판의 필요성을 이론적인 계산과 실험을 통해 확인하였고, 시험적ㅇ로 제작한 단일 편광판 모드 반사형 쌍안정 TN LCD는 기존 구조의 반사형 쌍안정 TN LCD와의 비교에서 더욱 밝은 디스플레이 특성을 나타내었다. 본 실험에서 우리는 10:1의 콘트라스트를 얻었다.
Amplitude filter와 phase filter가 결합된 CFAP(Combined Filter of Amplitude and Phase)의 결상 특성을 조사하기 위해 Bessel beam을 도입하였다. 이 논문에서는 무수차계와 수차를 포함하는 광학계에 대한 PSF와 encircled energy(E), transmission ratio(TR), gain(G)을 Bessel beam의 node수에 따라 계산하였다. 이 결과 Bessel beam은 amplitude filter와 다른 PSF 특성을 보였으며, 또한 구면수차가 포함된 경우 compensating effect가 크게 나타났다. 특히 Bessel beam의 central spot의 size가 Airy disk 반경보다 적게 나타나므로, 고집적 반도체 소자 제작에 이용가능하리라 생각된다.
본 논문에서는 BK7 유리 기판에 Ag$^{+}$-$Na^{+}$ 이온교환법을 이용하여 1.31/1.55$mu extrm{m}$ 방향성 광결합기형 역다중화기를 제작하여 특성을 평가하였다. BK7에 이온교환법을 이용하여 도파로를 제작할 경우 0.2dB/cm 이하의 전파손실을 유지할 수 있으며 또한 도파로의 굴절율 분포가 단일모드 광섬유와 매우 유사하여 광섬유와 광소자 사이의 접합면에서 발생하는 접합손실을 줄일 수 있다 또한 BK7을 이용하면 도파로를 제작하였을 때 복굴절 현상이나 편광 의존성이 적어서 수동 소자 제작에 유용하다는 장점이 있다$^{(1 3)}$ . (중략)
MCVD법과 액체 첨가법으로 실리카 광섬유 코아에 Nd를 첨가하여 능동 광섬유 소자를 제조하였다. 514.5nm Ar 레이저를 여기광원으로 하고, dichroic 레이저 거울로 Fabry-Perot 공진기를 구성하여 발진시킨 결과, 중심파장 $1.096\mu\textrm{m}$에서 발진서폭 15nm로 발진하는 광섬유 레이저를 구현할 수 있었다. 여기광원의 세기에 따라 발진특성을 조사하였고, 레이저 출력거울의 반사율을 다양하게 조절하여 실험한 결과 출력거울 반사율이 67.5%일 때 slope 효율 1.28%, 최대 발진출력 1.88mW를 얻었다.
리튬나이오베이트 결정에 Ti를 열확산시켜 광도파로를 만드는 방법에서 문제가 되는 out-diffusion(삼출) 문제를 해결하는 방안으로 확산과정 이전에 $SiO_2$ 박막을 시료 위해 입히고 Ti을 열확산시켜 광도파로를 제조하는 방법을 제안하였으며, 기존의 방법에 의해서 만들어진 광도파로와 본 연구의 방법에 의해서 만든 광도파로의 근시야상(near field pattern)을 비교하였다.
마이크로칼럼에 사용되는 전자렌즈는 MEMS 공정으로 정밀하게 가공되어 기존의 전자칼럼에 비하여 광학수차를 최소화 할 수 있으며, 이는 전자칼럼의 성능 향상에 주요한 요소로 작용한다. 따라서 반도체 공정 방식(습식식각과 건식식각)에 의해 형성되는 렌즈구조에 따른 전자 광학계 연구는 중요한 의미가 있다. 마이크로칼럼을 구성하고 있는 전자방출원, 소스렌즈, 디플렉터, 포커스렌즈(Einzel lens) 중에서 전자빔의 특성에 가장 큰 영향을 주는 것은 소스렌즈이다. 본 연구에서는 소스렌즈의 extractor와 limiting aperture의 구조에 따른 전자빔 특성을 조사하였다.
Structures, fabrication, and characteristics of top-surface-emitting GaAs four quantum well microlaser are described. The microlasers have good room-temperautre CW characteristivs. The maximum CW laser output is >3mW from a 30 $\mu\textrm{m}$ diameter microlaser and the maximum differential quantum efficiency is >70% from a 10 $\mu\textrm{m}$ diameter microlaser. Active surface emitting laser logic devices are designed and fabricated as a discrete version of a top-surface-emitting laser and heterojunction phototransistor. The active surface emitting laser logic device have high optical gain (>20 overall, >200 differential) and very high on/off ratio. Two-dimensional arrays of top-surface-emitting microlasers and active surface emitting laser logic devices will be critical elements for optical computing, photonic switching and neural network applications.
광대역 이득 특성을 얻기 위한 InGaAsP-InP 응력보상 비대칭 다중 양자우물(Asymmetric Multiple Quantum Well, AMQW) 구조를 성장하고, Ridge Waveguide Laser Diodes(RWG-LDs)를 제작하였다. 제작 후 소자의 동작변수와 모드 이득을 측정하였으며, 얻어진 결과를 비교, 분석하였다. 외부 공진기형 구조에서 넓고 평탄한 이득특성을 얻기 위해 한쪽 단면에 Anti-Reflection(AR) 코팅을 수행하여 AR coated AMQW RWG LD의 이득특성을 분석하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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