• 정보저장시스템학회논문집
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• 제6권2호
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• pp.63-67
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• 2010

Holographic data storage system is one of next generation high density optical memories. Thereby storing multiple data pages using multiplexing method in one spot, we can achieve high store density and fast access time. However, for uniform writing, we must control exposure time properly by the change of writing material characteristics. Many studies have been investigated about exposure time scheduling. However, once it is decided, we cannot change the scheduled time. Therefore, it is hard to obtain uniform data intensity. In this study, we propose exposure time control method using additional red beam as the monitoring signal. Through reconstructed red beam intensity in real time, we can adjust exposure time by the writing condition change. We construct compensation method mathematically and verify the feasibility of proposed method through the experiments.

• 대한화학회지
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• 제60권1호
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• pp.28-33
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• 2016

스피로파이란은 반복적인 광 변색현상 과정에서 광 퇴화 특성을 보이는 대표적인 물질이다. 스피로파이란은 뛰어난 안정성, 빠른 응답속도, 강한 색 변화, 빛에 의한 물질의 화학적, 물리적 특성 조절이 가능하다는 점으로 광 스위치, 광 메모리, 바이오 센서 등의 다양한 분야에 적용되고 있다. 하지만 스피로파이란은 광 퇴화되며 기능이 점차 떨어지기 때문에, 광퇴화에 따른 스피로파이란의 특성 변화에 대해 자외선-가시광선 분광법, 핵 자기 공명 분광법, 라만 분광법 등을 이용한 많은 연구가 이루어지고 있다. 본 연구에서는 스피로파이란의 광 퇴화 특성을 테라헤르츠 주파수 영역에서 테라헤르츠 시간 영역 분광법(Terahertz time-domain spectroscopy, THz-TDS)을 이용하여 측정 및 분석하였다. 반복적인 자외선 조사에 따른 스피로파이란의 광 퇴화 특성이 테라헤르츠 영역에서의 흡수량 증가로 나타남을 확인하였다. 이러한 스피로파이란의 광 퇴화 특성이 야기하는 테라헤르츠 영역 흡수량 변화 경향은 가시광선 영역 흡수량 변화 경향과 서로 반대됨을 확인할 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.362-362
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• 2012

Graphene-based materials have been gaining the unprecedented academic and industrial applications, due to the unique charge transport as a new kind of 2-dimensional materials. The applications incorporate electronic devices, nonvolatile memories, batteries, chemical sensors, etc. based on the electrical, mechanical, structural, optical, and chemical features newly reported. The current work employs thermal chemical vapor deposition involving H2 and CH4, in order to synthesize the 2-dimensional graphene materials. The qualitative/quantitative characterizations of the synthesized graphene materials are evaluated using Raman spectroscopy and Hall Measurements, In particular, the effect of processing variables is systematically investigated on the formation of graphene materials through statistical design of experiments. The optimized graphene materials will be attempted towards the potential applications to flat-panel displays.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2006년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.239-240
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• 2006

For longer than picosecond pulses, bulk damage inside defect-free dielectrics involves the heating and multiplication of spurious electrons by the incident laser beam and transfer of this energy to the lattice. The situation is quite different for femtosecond pulses which are shorter than the time scale for electron energy transfer to the lattice. Damage caused by these pulses is produced with smaller statistical uncertainty and is controllable on a microscopic scale. These properties can be exploited to produce laser devices such as arrays of damage dots for all optical memories with high data storage density or arrays of parallel grooves to form transmission gratings. In this work, we observed characteristic of the femtosecond laser machining in BK7 and fused silica.

• 한국광학회지
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• 제11권5호
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• pp.371-376
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• 2000

디스크 형태의 저장 매체에 다중 홀로그램을 기혹함에 있어서, 우리는 저장밀도를 향상시키기 위해 회전, 각, 그리고 공간 다중화를 복합적으로 구현할 수 있는 간단하고 비용면에서 효율적인 방법을 연구한 바 있다. 회전다중과 각다중은 두 개의 쐐기 프리즘을 이용하여 기준빔을 직접 제어함으로써 얻고, 공간다중은 기록매질을 이동시킴으로써 얻었다. 본 논문에서는 저장밀도가 신호빔과 기준빔 경로상에 있는 렌즈들을 F/#(f number)와 밀접한 관계가 있으며, 그 저장밀도가 신호빔 경로상에 있는 렌즈의 F/#가 기준빔 경로에 있는 렌즈의 F/#의 약 두 배가 될 때 최대로 얻어짐을 보였다.

• 대한금속재료학회지
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• 제48권12호
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• pp.1064-1069
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• 2010

Thin films have been used in a large variety of technological applications such as solar cells, optical memories, photolithographic masks, protective coatings, and electronic contacts. If thin films experience frequent temperature changes, thermal stresses are generated due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the film and substrate. Thermal stresses may lead to damage or deformation in thin film used in electronic devices and micro-machined structures. Thus, knowledge of the thermomechanical properties of thin films, such as the coefficient of thermal expansion, is an important issue in determining the stability and reliability of the thin film devices. In this study, thermal cycling of Cu and Ag thin films with various microstructures was employed to assess the coefficient of thermal expansion of the films. The result revealed that the coefficient of thermal expansion (CTE) of the Cu and Ag thin films increased with an increasing grain size. However, the effect of film thickness on the CTE did not show a remarkable difference.

• 펄프종이기술
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• 제42권4호
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• pp.25-32
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• 2010

The beeswax-treated volumes of the Annals of Joseon Dynasty, designated as a UNESCO's Memories of the World, have been more seriously damaged than the untreated ones. As a continuous effort to develop the optimal conservation techniques for the damaged beeswax-treated volumes of the Annals, this study examines the effectiveness of wet cleaning on the conservation of the beeswax-treated paper. To do this, wet cleaning is performed on the duplicated beeswax-treated paper and the Hanji that are aged at $105^{\circ}C$ for 30 days using distilled water of $24^{\circ}C$ and $50^{\circ}C$. As results, it is observed that pH of the both the beeswax-treated paper and the Hanji increase, indicating the removal of the acid of the aged paper samples through wet cleaning. After the wet cleaning, however, the physical properties and viscosity of the Hanji decrease, while those of the beeswax-treated paper increase. It is also found that wet cleaning contributes to enhancement of most optical properties of the Hanji, but not for those of the beeswax-treated paper except for the $b^*$ value. Analyses of UV absorbance of cleaning water demonstrate that both the beeswax-treated paper and the Hanji have typical spectra of chromophore compounds of cellulose.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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• pp.863-866
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• 1999

(Ba,Sr)$TiO_3$ thin films have attracted groat interest as new dielectric materials of capacitors for ultra-large-scale integrated dynamic random access memories (ULSI-DRAMs) such as 1 Gbit or 4 Gbit. In this study, inductively coupled $BCl_3/Cl_2$/Ar plasmas was used to etch (Ba,Sr)$TiO_3$ thin films. RF power/dc bias voltage = 600 W/-250 V and chamber pressure was 10 mTorr. The $Cl_2/(Cl_2+Ar)$ was fixed at 0.2, the (Ba,Sr)$TiO_3$ thin films were etched adding $BCl_3$. The highest (Ba,Sr)$TiO_3$ etch rate is 480$\AA/min$ at 10 % $BCl_3$ adding to $Cl_2$/Ar. The characteristics of the plasmas were estimated using optical emission spectroscopy (OES). The change of Cl, B radical density measured by OES as a function of $BCl_3$ percentage in $Cl_2$/Ar. The highest Cl radical density was shown at the addition of 10% $BCl_3$ to $Cl_2$/Ar. To study on the surface reaction of (Ba,Sr)$TiO_3$ thin films was investigated by XPS analysis. Ion enhancement etching is necessary to break Ba-O bond and to remove $BaCl_2$. There is a little chemical reaction between Sr and Cl, but Sr is removed by physical sputtering. There is a chemical reaction between Ti and Cl, and Tic14 is removed with ease. The cross-sectional of (Ba,Sr)$TiO_3$ thin film was investigated by scanning electron microscopy (SEM), the etch slope is about $65\;{\sim}\;70$.

• 한국광학회지
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• 제14권6호
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• pp.663-668
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• 2003

본 논문에서는 디스크형 기록매질에 이용될 수 있는 국소 홀로그램 기록방식을 연구하였다. 이 방식에서는 원통렌즈를 사용하여 기준빔을 얇은 두께로 집속하고, 그 집속된 곳에 신호빔을 쬐어 홀로그램을 기록한다. 기록매질을 기준빔의 스팟 크기보다 더 많이 이동시킴으로써 여러 개의 국소 홀로그램을 다중화한다. 국소 홀로그램 기록방식은 균일한 회절효율을 위하여 기록시간을 조절할 필요가 없다. 우리는 주어진 신호빔의 스팟 크기에 대해서 요구되는 최저의 기록매질 두께가 존재함을 보였다. Fe가 도핑된 2 mm 두께의 LiNbO$_3$광결정을 사용하여 데이터의 저장 및 복원 실험을 실행하였고, 20 bit/$\mu\textrm{m}$$^2$의 면적 저장밀도와 2.5${\times}$$10^{-3}$의 RBER(raw-bit error rate)을 얻었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제37권11호
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• pp.18-24
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• 2000

(Ba,Sr)$TiO_3$ 박막은 ULSI-DRAM 즉 1-4 Gbit급 DRAM용 셀(cell) 커패시터의 새로운 유전물질로 각광받고 있다. 본 연구에서는 ICP 장비에서 $BCl_3/Cl_2/Ar$ 플라즈마로 (Ba,Sr)$TiO_3$ 박막을 식각하였다. 이때 RF power/dc bias voltage는 600W/-250V, 반응로의 압력은 10mTorr 이었다. $Cl_2/(Cl_2+Ar)$은 0.2로 고정하였고, $BCl_3$ 가스를 첨가하면서 (Ba,Sr)$TiO_3$ 박막을 식각하였다. $BCl_3$ 가스를 10% 첨가하였을 때, $480{\AA}/min$으로 (Ba,Sr)$TiO_3$ 박막은 가장 높은 식각 속도를 나타내었다. $Cl_2/Ar$가스에 $BCl_3$의 첨가 비에 따른 Cl, BCl 및 B의 라디칼 밀도를 optical emission spectroscopy(OES)에 의해 구하였다. $BCl_3$를 10% 첨가하였을 때 Cl의 라디칼 밀도가 가장 높았다. (Ba,Sr)$TiO_3$ 박막의 표면반응을 규명하기 위하여 XPS 분석을 수행한 결과 이온 bombardment 식각이 Ba-O 결합을 파괴하고 Ba와 Cl의 결합형태인 $BaCl_2$을 제거하기 위하여 필요하다. Sr과 Cl의 결합의 양은 많지 않고, Sr은 주로 물리적인 스퍼터링에 의하여 제거된다. Ti와 Cl은 화학적으로 반응하여 $TiCl_4$ 결합형태로 용이하게 제거된다. 식각후 단면사진을 SEM을 통해 본 결과 식각단면이 약 65~70$^{\circ}$ 정도였다.