• 한국진공학회지
• /
• 제7권4호
• /
• pp.328-333
• /
• 1998

저압 유기금속 화학증착법을 이용하여 (001) InP 기판 위에 격자 일치된 InAlAs 에 피층 성장 결과 620~$700^{\circ}C$범위에서 성장 온도가 증가할수록 산소 유입량의 감소 때문으로 생각되는 광학적 성질의 향상이 관찰되었으나 $750^{\circ}C$이상의 고온에서는 InP완충층의 열화에 의한 결정성의 감소가 발견되었다. 또한, AsH3의 유량이 증가됨에 따라 성장된 InAlAs층의 Al함유량이 증가하는 현상이 관찰되었고, 이는 Al-As와 In-As의 bond strength 차이로 설 명하였다. InGaAs/InAlAs 단일 양자우물구조에서 측정된 우물두께에 따른 photoluminescence peak energy는 계산 값과 잘 일치하였고, high resolution x-ray diffraction 측정을 통하여 뚜렷한 satellite peak와 fine thickness fringe들이 관찰되는 우수 한 계면특성을 가지는 다중 양자우물구조가 성장됨을 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
• /
• pp.304.1-304.1
• /
• 2014

Flat-panel displays have been growing as an essential everyday product in the current information/communication ages in the unprecedented speed. The forward-coming applications require light-weightness, higher speed, higher resolution, and lower power consumption, along with the relevant cost. Such specifications demand for a new concept-based materials and applications, unlike Si-based technologies, such as amorphous Si and polycrystalline Si thin film transistors. Since the introduction of the first concept on the oxide-based thin film transistors by Hosono et al., amorphous oxide thin film transistors have been gaining academic/industrial interest, owing to the facile synthesis and reproducible processing despite of a couple of shortcomings. The current work places its main emphasis on the binary oxides composed of ZnO and SnO2. RF sputtering was applied to the fabrication of amorphous oxide thin film devices, in the form of bottom-gated structures involving highly-doped Si wafers as gate materials and thermal oxide (SiO2) as gate dielectrics. The physical/chemical features were characterized using atomic force microscopy for surface morphology, spectroscopic ellipsometry for optical parameters, X-ray diffraction for crystallinity, and X-ray photoelectron spectroscopy for identification of chemical states. The combined characterizations on Zn-Sn-O thin films are discussed in comparison with the device performance based on thin film transistors involving Zn-Sn-O thin films as channel materials, with the aim to optimizing high-performance thin film transistors.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
• /
• pp.280-280
• /
• 2014

We report the fabrication and electroluminescent characteristics of GaN/InxGa1-xN microdonut-shaped light-emitting diode (LED) microarrays as variable-color emitters. The diameter, width, height, and period of the GaN microdonuts were controlled by their growth parameters and the geometrical factors of the growth mask patterns. For the fabrication of microdonut LEDs, p-GaN/p-AlxGa1-xN/u-GaN/u-InxGa1-xN heteroepitaxial layers were coated on the entire surface of n-GaN microdonuts. The microdonut LED arrays showed strong light emission, which could be seen with the unaided eye under normal room illumination. Additionally, magnified optical images of microdonut LED arrays exhibited microdonut-shaped light emissions having spatially resolved blue and green colors. Their electroluminescence spectra had two dominant peaks at 460 and 560 nm. With increasing applied voltage, the intensity of the blue emission peak increased much faster than that of the green emission peak, indicating that the color of the LEDs is tunable. We also demonstrated that EL spectra of the devices could be controlled by changing the size of microdonut LEDs. What we want to emphasize here with the microdonut LEDs is that they have additional inner sidewall facets which did not exist for other typical three-dimensional structures including nanopyramids and nanorods, and that InxGa1-xN single quantum well formed on the inner sidewall facets had unique thickness and chemical composition, which generated additional EL color. The origin of the electroluminescence peaks was investigated by structural characterizations and chemical analyses.

• 폴리머
• /
• 제33권4호
• /
• pp.333-341
• /
• 2009

폴리프로필렌(PP)/기능화된 다중벽 탄소나노튜브(F-MWNT)나노복합체를 용액 삽입법을 이용해서 제조하였다. 두 종류의 F-MWNT인 dodecanol-MWNT(DDO-MWNT)와 dodecylamine-MWNT(DDA-MWNT)를 포함하는 PP 복합체 필름의 열적, 기계적 성질, 모폴로지, 전기전도도, 필름의 투명도 및 개스투과도 등을 조사하고 그 물성을 구조가 다른 F-MWNT에 따라 서로 비교하였다. 전자 현미경(SEM과 TEM) 사진을 통하여 일부의 MWNT는 잘 분간이 되었으나 그렇지 않은 부분도 확인하였다. 적은 양의 F-MWNT가 첨가되어도 PP 복합체 필름의 열적 기계적 물성이 향상되었으며, 2 wt%에서 최대값을 보여주었다. 일반적으로 PP 복합체 필름의 초기 탄성율과 광학 투명도에서 DDO-MWNT가 DDA-MWNT 보다 더 효과적이었나.

• 열처리공학회지
• /
• 제19권2호
• /
• pp.96-102
• /
• 2006

Development of Rotation-Cylinder Method(RCM) is given for Mg-Al-Zn-X(X=Sr) alloys, identifying some of the key factors that need to be controlled and indicating subsequent casting processes. Effects of Sr addition on the microstructure and mechanical properties of as-cast and T6 heat-treated Mg-Al-Zn-X alloys fabricated by the RCM were investigated. The microstructural and mechanical characterizations were performed by utilizing optical microscope, scanning electron microscope, transmission electron microscope, hardness test and ultimate tensile test. The solution and aging treatment time was varied to optimize the T6 heat treatment conditions, and experimental results were discussed. The grain size of Sr containing alloys was refined by increasing Sr content, but the tensile and yield strengths were increased by addition up to 1wt% Sr.

• 청정기술
• /
• 제19권2호
• /
• pp.165-172
• /
• 2013

본 연구에서는 고정층 반응기(높이 15 cm, 내경 0.5 cm)에서 K-계열 건식 흡수제($K_2CO_3/Al_2O_3$, 한국전력공사 전력연구원)를 이용하여 반응압력 변화에 따른 염화수소 흡수 실험을 수행하였다. 반응온도는 가스화 직후, 필터를 거쳐서 주입되는 것을 가정하여 $400^{\circ}C$로 설정하였으며, 반응기체 농도는 750 ppm HCl ($N_2$ balance)으로 설정하였다. 반응압력은 1, 5, 10, 15, 20 bar로 증가시켰다. 압력이 증가할수록 K-계열 흡수제의 흡수 성능이 증가하였다. 흡수제를 구성하고 있는 주요 물질인 $K_2CO_3$가 HCl 가스와 반응하여 KCl 결정을 형성하였으며, 강한 결합에너지로 인하여 흡수제의 재생이 실질적으로 불가능하였다. 이에 대한 광학적, 물리적, 화학적 특성을 SEM, EDX, BET, TGA, XRD를 이용하여 분석하였다. $400^{\circ}C$, 20 bar 조건(가스화 이후 탈할로겐 공정의 온도 및 압력조건)에서 $K_2CO_3$ 흡수제는 Ca 계열 및 Mg 계열의 흡수제에 비해 높은 HCl 흡수능 및 HCl/$N_2$ 분리 거동을 보였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제6권1호
• /
• pp.1-10
• /
• 1999

본 논문에서는 평탄형 GaAs 기판과 $2^{\circ}$, $6^{\circ}$, $10^{\circ}$경사형 GaAs 기판 등 네 종류의 기판에 유기금속 기강성장장치를 이용하여 InGaP 에피막을 성장시켰고, 기판-에피막간의 격자부정합, 탄성변형, 격자굴곡, 부정합응력 등을 측정하여 기판 경사도, 즉 misorientation이 InGaP 에피막의 탄성특성에 미치는 영향에 대해 최초로 연구하였다. 또한 에피막의 x-선 반치폭과 PL강도 및 PL 반치폭, 발진파장 등을 측정하여 기판의 경사도가 에피막의 결정질에 미치는 영향에 대하여도 연구하였다. 시료 분석은 TXRD(tripple-axis x-ray diffractometer)와 저온 (11K) PL(photoluminescence)를 이용하여 수행했다. 기판 경사도 증가에 따라 Ga 원자의 흡착율이 평탄기판의 경우에 비해 상대적으로 증가하였으며, x-선 반치폭이 감소하였다. 또한 선형 탄성이론에 입각하면 격자 misfit 감소에 따라 부정합응력도 감소해야 하나, 반대로 미세하게 증가하는 현상이 관측되었으며 이는 경사기판을 사용할 때 접계면의 에피막 원자의 탄성효율이 향상되는 것에 기인함을 밝혔다. 그리고 기판의 경사도가 증가함에 따라 PL발진파장이 감소하였고, PL 강도는 증가하였으며, PL 반치폭은 감소하였다. 따라서 본 연구에서는 경사기판을 사용할 때 접계면의 탄성효율이 향상되고, InGaP 에피막의 결정질이 향상됨을 밝혔다.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제25권2호
• /
• pp.45-50
• /
• 2015

본 논문에서는 Al 조성이 점진적으로 변화된 AlGaN 에피층을 HVPE (hydride vapor phase epitaxy) 방법에 의하여 성장하였다. 소스영역의 온도는 $950^{\circ}C$, 성장 영역의 온도는 $1145^{\circ}C$에서 연속적으로 (0001) 사파이어 기판위에 성장되었고, AlGaN 에피층은 시간당 100 nm의 성장률을 보였다. FE-SEM 측정과 EDS 측정으로부터 성장층의 Al 변화를 확인하였으며, AFM 측정결과 2인치 기판위에 성장된 graded AlGaN 에피층의 거칠기는 수십 nm였다. Al 조성의 변화는 XRD 측정에 의하여 확인하였으며, Al 조성 74 %의 (002) AlGaN의 주피크 관측과 함께 연속적으로 (002) AlN 층의 피크가 확인되었다. 이는 하나의 층에 사파이어 기판으로부터 Al 조성이 점진적으로 변화하는 에피층을 HVPE 방법으로 얻었음을 증명하며, 이 결과로부터 다양한 광소자 및 전자소자의 응용이 기대된다.

• 보존과학회지
• /
• 제28권1호
• /
• pp.53-62
• /
• 2012

행정박물이란 공공기관의 업무수행과 관련된 유형적 증거물로, 독특하고 유일하며 특정 사건, 시간, 또는 인물을 표현하는 정보적인 가치를 지니고 있다. 근대문화유산으로써의 가치를 지니고 있는 행정박물은 그 중요성에 비해 체계적으로 분류 관리 보존하는 지침은 마련되지 않았다. 이 중 금속제 행정박물의 경우 보존처리 및 연구사례가 적고 복합적인 행정적 가치를 지니고 있어 일반화된 발굴유물의 보존처리 과정을 적용하기 어렵다. 그러므로 본 연구에서는 강화처리에 초점을 두어 동합금 행정박물의 표면강화처리에 알맞은 재료와 적용방법을 실험을 통해 찾아보고자 하였다. 현재 사용하고 있는 Wax 3종과 발굴유물에 사용하는 아크릴계 수지를 선정하여 종류와 코팅방법에 따른 특성을 비교 분석하였다. 표면관찰, 박막 두께, 접착력, 접촉각 및 표면에너지, 황변실험 등 일련의 분석을 통해 코팅 특성을 비교한 결과, 아크릴계 수지를 행정박물에 사용해도 무방하나 기존에 사용하던 Wax B를 Dip-coating 한 후 가열처리하여 강화처리하는 것이 가장 우수한 강화효과를 얻을 수 있음을 확인하였다.

• Korean Chemical Engineering Research
• /
• 제45권5호
• /
• pp.466-472
• /
• 2007

웨이퍼 레벨(WL) 3차원(3D) 집적을 구현하기 위해 저유전체 고분자를 본딩 접착제로 이용한 웨이퍼 본딩과, 적층된 웨이퍼간 전기배선 형성을 위해 구리 다마신(damascene) 공정을 사용하는 방법을 소개한다. 이러한 방법을 이용하여 웨이퍼 레벨 3차원 칩의 특성 평가를 위해 적층된 웨이퍼간 3차원 비아(via) 고리 구조를 제작하고, 그 구조의 기계적, 전기적 특성을 연속적으로 연결된 서로 다른 크기의 비아를 통해 평가하였다. 또한, 웨이퍼간 적층을 위해 필수적인 저유전체 고분자 수지를 이용한 웨이퍼 본딩 공정의 다음과 같은 특성 평가를 수행하였다. (1) 광학 검사에 의한 본딩된 영역의 정도 평가, (2) 면도날(razor blade) 시험에 의한 본딩된 웨이퍼들의 정성적인 본딩 결합력 평가, (3) 4-점 굽힘시험(four point bending test)에 의한 본딩된 웨이퍼들의 정량적인 본딩 결합력 평가. 본 연구를 위해 4가지의 서로 다른 저유전체 고분자인 benzocyclobutene(BCB), Flare, methylsilsesquioxane(MSSQ) 그리고 parylene-N을 선정하여 웨이퍼 본딩용 수지에 대한 적합성을 검토하였고, 상기 평가 과정을 거쳐 BCB와 Flare를 1차적인 본딩용 수지로 선정하였다. 한편 BCB와 Flare를 비교해 본 결과, Flare를 이용하여 본딩된 웨이퍼들이 BCB를 이용하여 본딩된 웨이퍼보다 더 높은 본딩 결합력을 보여주지만, BCB를 이용해 본딩된 웨이퍼들은 여전히 칩 back-end-of-the-line (BEOL) 공정조건에 부합되는 본딩 결합력을 가지는 동시에 동공이 거의 없는 100%에 가까운 본딩 영역을 재현성있게 보여주기 때문에 본 연구에서는 BCB가 본딩용 수지로 더 적합하다고 판단하였다.