• 제목/요약/키워드: Optical Transmittance

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RF 마그네트론 스퍼터를 이용하여 제작한 MGZO 박막의 구조적 및 전기적, 광학적 특성에 미치는 스퍼터링 전력의 영향 (Effect of Sputtering Powers on Mg and Ga Co-Doped ZnO Thin Films with Transparent Conducting Characteristics)

  • 김인영;신승욱;김민성;윤재호;허기석;정채환;문종하;이정용;김진혁
    • 한국재료학회지
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    • 제23권3호
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    • pp.155-160
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    • 2013
  • ZnO thin films co-doped with Mg and Ga (MxGyZzO, x + y + z = 1, x = 0.05, y = 0.02 and z = 0.93) were prepared on glass substrates by RF magnetron sputtering with different sputtering powers ranging from 100W to 200W at a substrate temperature of $350^{\circ}C$. The effects of the sputtering power on the structural, morphological, electrical, and optical properties of MGZO thin films were investigated. The X-ray diffraction patterns showed that all the MGZO thin films were grown as a hexagonal wurtzite phase with the preferred orientation on the c-axis without secondary phases such as MgO, $Ga_2O_3$, or $ZnGa_2O_4$. The intensity of the diffraction peak from the (0002) plane of the MGZO thin films was enhanced as the sputtering power increased. The (0002) peak positions of the MGZO thin films was shifted toward, a high diffraction angle as the sputtering power increased. Cross-sectional field emission scanning electron microscopy images of the MGZO thin films showed that all of these films had a columnar structure and their thickness increased with an increase in the sputtering power. MGZO thin film deposited at the sputtering power of 200W showed the best electrical characteristics in terms of the carrier concentration ($4.71{\times}10^{20}cm^{-3}$), charge carrier mobility ($10.2cm^2V^{-1}s^{-1}$) and a minimum resistivity ($1.3{\times}10^{-3}{\Omega}cm$). A UV-visible spectroscopy assessment showed that the MGZO thin films had high transmittance of more than 80 % in the visible region and that the absorption edges of MGZO thin films were very sharp and shifted toward the higher wavelength side, from 270 nm to 340 nm, with an increase in the sputtering power. The band-gap energy of MGZO thin films was widened from 3.74 eV to 3.92 eV with the change in the sputtering power.

가변 투과시스템의 광제어 특성을 고려한 통합 채광시스템의 적용성 평가에 관한 연구 (A Design and Performance Evaluation of Differentiated Daylight-Glazing Systems)

  • 김곤;김정태
    • 조명전기설비학회논문지
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    • 제19권2호
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    • pp.13-22
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    • 2005
  • 채광과 직사광 제어라는 자연조명의 상반된 목적을 동시에 충족시키기 위하여 본 연구에서 기존의 유리 창호를 용도와 기능에 따라 채광창과 조망창의 두 부분으로 분리한 이중분할창호시스템이 설계되었다. 채광량을 극대화하기 위하여 고창부의 채광창은 투명유리를 사용하며 조망창은 제어를 위한 다양한 기능성 유리를 적용하였다. 부가적으로 물리적 광제어 및 조절장치인 광선반, 수평 및 수직형 블라인드가 내장된 일체형 이중분할창호를 포함한 포괄적인 광제어 기법의 양적$\cdot$질적 조명효과를 통합적으로 평가하여, 제안된 창호시스템의 적용성을 평가하였다. 조망창과 채광고창의 경계부에 수평형 광선반을 설치하면 일차적인 직사광 유입으로 인하여 극심하게 높은 조도를 나타내는 창면 관접부의 조도를 완화시키는 차폐효과와 아울러 광선반의 반사 능력으로 인하여 채광성능면에서 불리한 실내측 후면부의 조도를 증가시키는데 현격한 효과를 2차적으로 기대할 수 있다. 실내바닥 수평면의 평균조도는 차광기능에 의하여 균제도가 2배 이상 향상되며 수평 슬릿의 반사에 의하여 $16(\%)$ 이상 증가하는 효과가 있으며 태양고도가 낮고 방위각이 정남향이 아닌 경우 수직 차광재를 사용하면 광제어 기능으로 인한 균제도의 향상과 $10(\%)$이상의 후면부 조도의 증가 및 조망이 확보되는 상대적인 장점이 있다.

스티릴피리딘 곁사슬기를 가지는 용해성 폴리이미드의 합성과 광배향 (Synthesis and Photoalignment of Soluble Polyimides with Styrylpyridine Side Groups)

  • 김진우;김민우;안득균;김우식
    • 폴리머
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    • 제33권3호
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    • pp.207-212
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    • 2009
  • 감광성 폴리이미드의 전구체 폴리이미드는 2, 2, 2-트리플루오르에탄 디안하이드라이드의 유도체와 3,3'-디히드록시-4,4'-디아미노비페닐로부터 제조하였다. 감광성 폴리이미드(PI-SP6와 PI-SP12)는 전구체 폴리이미드와 감광성 2-스티릴피리딘알킬렌(헥실렌과 도데실렌)유도체로부터 제조하였다. 합성한 광반응성 폴리이미드는 여러 가지 유기 용매에 잘 녹았다. 감광성 폴리이미드의 초기 열분해온도는 $350^{\circ}C$였다. PI-SP6와 PI-SP12의 유리전이온도는 $130^{\circ}C$$85^{\circ}C$였다. 이는 헥실렌기를 가지는 PI-SP6 보다 도데실렌기를 가지는 PI-SP12가 유연하다는 것을 의미한다. 이들 감광성 고분자의 필름은 $250^{\circ}C$에서도 90%의 투과율을 유지하였다. 이 결과는 이들 감광성 폴리이미드가 투명성 및 내열성이 우수한 고분자라는 것을 의미한다. PI-SP6와 PI-SP12는 $1.5\;J/cm^2$ 광량에서 이색비가 각각 0.01과 0.03이었다. 이 결과는 광배향에 유연한 알킬렌 스페이서를 가지는 감광성 폴리이미드가 보다 효과적이라는 것을 뜻한다.

저장조건에 따른 쌀전분의 이화학적 성질 변화 (Changes in Physicochemical Properties of Rice Starch from Rice Stored at Different Conditions)

  • 고용덕;최옥자;박석규;하희숙;성낙계
    • 한국식품과학회지
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    • 제27권3호
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    • pp.306-312
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    • 1995
  • 저온적습$(5^{\circ}C$, 65%)과 고온다습($30^{\circ}C$, 85%) 조건에서 16주 동안 저장한 쌀로부터 분리한 전분의 이화학적 성질은 다음과 같다. 물결합력은 저장 8주까지는 약간씩 증가하다가 그 이후는 감소하였으며, 저장기간이 같은 경우 저온적습보다 고온다습에서 저장하였을 때 더 높은 경향을 보였다. 팽윤력, 용해도, 광투과도, 요오드반응 및 총아밀로오스 함량은 저장기간이 길어짐에 따라 각각 감소되었고, 저장기간이 같은 경우 저온적습에서보다 고온다습에서 저장하였을 때 약간 낮은 값을 보였다. 전분입자의 크기는 $2{\sim}6{\mu}m$ 정도이며 저장기간과 조건에 따른 입자의 크기나 표면형태의 변화는 나타나지 않았다. X-ray 회절도에 의한 상대적 결정화도는 저장 4주째부터 크게 낮아졌으며 그 이후는 약간씩 감소되었고, 저장기간이 같은 경우 저온적습보다 고온다습에서 더 낮았다. DSC분석 결과 저장기간이 길어짐에 따라 호화온도는 약간 상승되었으나, 호화온도 범위는 차이가 없었고 호화 엔탈피는 약간 낮았다. 저장기간이 같은 경우 저온적습보다 고온다습에서 변화정도가 더 크게 나타났다. 고온에서 나타나는 amylose-lipid complex melting peak는 저장기간이 길어짐에 따라 융해되는 온도범위가 다소 넓어졌고 정점온도도 약간 상승되었으며, 엔탈피도 증가되었다. 동일한 저장기간인 경우 저온적습보다 고온다습에서 저장하였을 때 위와 같은 경향이 뚜렷하게 나타났다.

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액상증착법에 의한 초친수 TiO2 박막 제조 (Fabrication of super hydrophilic TiO2 thin film by a liquid phase deposition)

  • 정현호;김진호;황종희;임태영;최덕균
    • 한국결정성장학회지
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    • 제20권5호
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    • pp.227-231
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    • 2010
  • 광촉매 특성을 지닌 초친수 $TiO_2$ 박막을 액상증착법에 의해 유리 기판 위에 성공적으로 제조하였다. 제조된 $TiO_2$ 박막은 $70^{\circ}C$에서 박막표면에 $TiO_2$ 나노 입자들을 형성하였다. $TiF_4$ 용액의 침적시간이 증가됨에 따라 박막의 두께도 일정하게 증가되었다. $TiO_2$ 박막은 약 $5^{\circ}$ 이하의 접촉각과 가시영역에서 약 75~90 %의 투과율을 보여주었다. 또한 제조된 $TiO_2$ 박막은 자외선 조사에 의해 메칠오렌지 용액을 분해하는 광촉매 특성을 보여주었다. 침적시간 조건에 따라 제조된 박막의 표면 구조, 광학적 특성, 접촉각을 FE-SEM, AFM, UV-Vis, contact angle meter를 이용하여 측정하였다.

라디오파 반응성 마그네트론 스퍼터링으로 증착된 In2O3 박막의 특성에 산소 유량비의 변화가 미치는 효과 (Influence of Oxygen Flow Ratio on the Properties of In2O3 Thin Films Grown by RF Reactive Magnetron Sputtering)

  • 곽준호;조신호
    • 한국진공학회지
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    • 제19권3호
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    • pp.224-229
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    • 2010
  • 산소 유량비의 변화가 라디오파 반응성 마그네트론 스퍼터링 방법으로 유리 기판 위에 증착된 $In_2O_3$ 투명 전도막의 특성에 미치는 효과를 조사하였다. 증착 온도는 $400^{\circ}C$로 고정하였으며, 스퍼터링 가스와 반응성 가스로 각각 아르곤과 산소 가스를 사용하였다. 산소 유량비는 공급되는 혼합 가스양에 대한 산소의 유량으로 선택하여 10%, 20%, 30%, 40%, 50%로 조절하였다. 증착된 박막의 광학, 전기, 구조적인 특성은 자외선-가시광 분광기, 홀 측정 장치, X-선 회절장치와 전자주사현미경으로 조사하였다. 산소 유량비 20%로 증착된 $In_2O_3$ 박막은 430~1,100 nm 파장 영역에서 86%의 투과율과 $1.1{\times}10^{-1}{\Omega}cm$의 비저항 값을 나타내었다. 실험 결과는 산소 유량비를 적절히 제어함으로써 최적의 조건을 갖는 투명 전도막을 성장시킬 수 있음을 제시한다.

KLN 스퍼터링용 타겟의 제조 및 코닝 1737 유리 기판위에 성장시킨 박막의 광학적 성질 (Target Preparation for KLN sputtering and optical properties of thin films deposited on Corning 1737 glass)

  • 박성근;서정훈;김성연;전병억;김진수;김지현;최시영;김기완
    • 한국재료학회지
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    • 제11권3호
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    • pp.178-184
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    • 2001
  • rf-마그네트론 스퍼터링 방법을 이용하여 높은 광투과성을 지니며 c-축 배향된 KLN 박막을 제작하였다. 하소 및 소결 과정을 거쳐서 균일하고 안정한 상태의 KLN 타겟을 제조하였다. KLN 타겟은 화학량론적인 조성 및 K가 30%, 60%, 그리고 Li가 각각 15%, 30% 과량된 조성을 사용하였으며 K와 Li의 휘발을 방지하기 위하여 낮은 온도에서 소결시켰다. 제조된 타겟을 사용하여 rf-magnetron sputtering 방법으로 박막을 제조하였으며, 이때 K가 60% Li가 30% 과량된 타겟으로 제조할 때 단일상의 KLN 박막을 얻을 수 있었다. KLN 박막은 코닝 1737 기판 위에서 우수한 결정성과 높은 c-축 배향성을 나타내었으며, 이때 박막의 성장조건은 고주파 전력 100 W, 공정 압력 150 mTorr, 기판 온도 58$0^{\circ}C$였다. 가시광 영역에서 박막의 투과율은 약 90% 이고, 흡수는 333 nm에서 발생하였으며 632.8 nm에서 박막의 굴절율은 1.93이었다.

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한국산(韓國産) 고구마 전분의 이화학적 특성에 관한 연구 (Studies on Physicochemical Properties of Starches from Sweet Potatoes of Korea Cultivars)

  • 신말식;안승요
    • Applied Biological Chemistry
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    • 제26권2호
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    • pp.137-142
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    • 1983
  • 한국산 고구마의 두 품종, 수원 147 호와 천미의 전분을 분리하여 전분입자의 성상과 이화학적 특성을 조사 검토하였다. 광학현미경과 scanning electron microscopy로 관찰한 고구마 전분은 둥근형과 다각형이었으며, 그 크기는 수원 147 호가 $14{\sim}30{\mu}m$, 천미가 $16{\sim}34{\mu}m$이었다. X-선회절도는 $2{\theta}$가 14.8, 17.2, 22.5에서 약한 결정성을 보이므로 실험한 고구마 전분은 Ca결정형으로 생각된다. Blue value는 수원 147호가 0.342, 천미가 0.279, 아밀로즈 함량은 27.6%, 23.6%, 물결합 능력은 178.7%, 185.5%이었다. 전분의 팽화력은 $50^{\circ}C$까지는 변화가없다가 그후 급격히 증가하였으며 수원 147호가 천미보다 완만한 증가를 보였다. 전분 현탁액(0.2%)의 광투과도는 두 전분 모두 $65^{\circ}C$부터 급격히 증가하였고 $65{\sim}80^{\circ}C$까지 single stage의 호화 양상을 보였다. 아밀로 그라프에 의한 4% 전분 용액의 호화는 모두 최고 점도가 나타나지 않았으며 $92.5^{\circ}C$에서 수원 147호의 점도는 증가하였으나 천미 전분의 점도는 감소하였다.

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찰전분류의 이화학적 특성(점성)비교 (Viscometric Properties of Waxy Starches)

  • 김형수;우자원;윤계순;허문회
    • Applied Biological Chemistry
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    • 제28권4호
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    • pp.219-225
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    • 1985
  • 6종의 찰곡류, 즉 찰벼 (한강 및 올찰), 찰보리, 차조, 찰수수, 찰옥수수 및 율무에서 전분을 분리하여 그들의 몇가지 점성특성에 관하여 분석 비교하였다. 광투과도에 의한 호화온도는 대략 $55{\sim}65^{\circ}C$ 범위로서 한강이 $55^{\circ}C$, 올찰, 찰보리, 차조 및 율무 $60^{\circ}C$, 그리고 찰수수와 찰옥수수는 $65^{\circ}C$에서 호화가 시작되었고, 한강 및 올찰전분은 $70^{\circ}C$, 차조, 찰수수, 찰옥수수 및 율무전분은 $75^{\circ}C$, 그리고 찰보리 전분은 $85^{\circ}C$ 이상에서 호화가 완료 되었다. Amylogram에 의한 호화개시온도는 $62{\sim}71^{\circ}C$이며, 차조, 찰수수, 찰옥수수 및 율무가 다소 높았다. 각 전분의 팽윤력은 $38{\sim}55$로서, 한강, 올찰, 차조 및 율무가 높은 편이고, 찰수수와 찰보리는 다소 낮았다. 용해도는 $9{\sim}27%$의 범위로 차조가 매우 높고, 한강 22, 올찰 21, 찰수수와 찰옥수수는 $18{\sim}19$, 찰보리 17, 율무가 매우 낮아 9였다. 고유점도는 차조 1.43, 율무 1.49, 올찰 1.58, 한강 1.60, 찰수수 1.61, 찰옥수수 1.68, 찰보리 1.75였다. 전분 gel의 질감은 올찰 및 한강이 대단히 무르고 끈기가 높았으며, 찰보리는 가장 단한하고 탄력성이 높았다. 또한 차조, 찰수수, 찰옥수수 및 율무전분 gel도 찹쌀에 비해서 상당히 단단했는데, 그중 유무가 다소 덜 단단했다.

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전하생성층 MoOx와 음극 Al의 두께에 따른 양면발광 적층 OLED의 발광 특성 (Emission Characteristics of Dual Emission Tandem OLED with Charge Generation Layer MoOx and Cathode Al Thickness)

  • 김지현;주성후
    • 한국표면공학회지
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    • 제49권3호
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    • pp.316-321
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    • 2016
  • To study emission characteristics for dual-emission tandem organic light emitting display (OLED), we fabricated blue fluorescent OLED according to thickness variation of $MoO_x$ as charge generation layer and Al as cathode. The bottom emission characteristics of OLED with $MoO_x$ 2, 3, 5 nm thickness showed threshold voltage of 9, 7, 9 V, maximum current emission efficiency of 19.32, 23.18, 15.44 cd/A and luminance of $1,000cd/m^2$ at applied voltage of 17.6, 13.2, 16.5 V, respectively. The top emission characteristics of OLED with $MoO_x$ 2, 3, 5 nm thickness indicated threshold voltage of 13, 10, 13 V, maximum current emission efficiency of 0.17, 0.23, 0.16 cd/A and luminance of $50cd/m^2$ at applied voltage of 22.6, 16.5, 20.1 V, respectively. In case of thicker or thinner than $MoO_x$ of 3 nm, the emission characteristics were decreased because of mismatching of electron and hole in emission layer. The bottom emission characteristics of OLED with Al 15, 20, 25 nm thickness showed threshold voltage of 8, 8, 7 V, maximum current emission efficiency of 18.42, 22.98, 23.18 cd/A and luminance of $1000cd/m^2$ at applied voltage of 16.2, 13.9, 13.2 V, respectively. The reduction of threshold voltage and increase of maximum current emission efficiency are caused by the increase of current injection according to increase of Al cathode thickness. The top emission characteristics of OLED with Al 15, 20, 25 nm thickness indicated threshold voltage of 7, 7, 8 V, maximum emission luminance of 371, 211, $170cd/m^2$, respectively. The top emission OLED of Al cathode with 15 nm thickness showed maximum luminance and it decreased at thickness of 20 nm. These phenomena are caused by the decrease of intensity of emitted light by reduction of optical transmittance according to increase of Al cathode thickness.