Under concentrated illuminations, the solar cells show higher efficiencies mainly due to an increase of the open circuit voltage. In this study, InGaP/InGaAs/Ge triple-junction solar cells have been grown by a low pressure metalorganic chemical vapor deposition. Photovoltaic characteristics of the fabricated solar cells are investigated with a class A solar simulator under concentrated illuminations from 1 to 100 suns. Ideally, the open circuit voltage should increase with the current level when maintained at the same temperature. However, the fabricated solar cells show degraded open circuit voltages under high concentrations around 100 suns. This means that the heat sink design is not optimized to keep the cell temperature at $25^{\circ}C$. To demonstrate the thermal degradation, changes of the device performance are investigated with different bonding conditions and heat sink materials.
The interest in perovskite solar cells has been skyrocketed owing to their rapid progress in efficiency in recent years. Here, we report the effect of non-stoichiometry in the methylammonium lead trihalide ($MAPbI_3$) precursors used in a solution process with different MAI : $PbI_2$ ratios of 1 : 0.96, 1 : 1.10, 1 : 1.15, and 1:1.20. With an increase in the $PbI_2$ content, the $PbI_2$ secondary phase was found to form at grain boundary region of perovskite thin films, as evidenced by X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM). In terms of device performance, open-circuit voltage in particular is significantly improved with increasing the molar ratio of $PbI_2$, which is possibly ascribed to the reduction in recombination sites at grain boundary of perovskite and hence the prolonged life time of light-generated carriers according to the reported. As a result, the $PbI_2-excess$ devices exhibited a higher power conversion efficiency compared to the MAI-excess ones.
In this paper, we study The Effects of PV Cell's Electrical Characteristics for PV Module Application. Photovoltaic module consists of serially connected solar cell which has low open circuit voltage and high short circuit current characteristics. The whole current flow of PV module is restricted by lowest current of one solar cell. For the experiment, we make PV module composing the solar cells that have short circuit current difference of 0%, 1%, 3% and Random. The PV module exposed about 35days, its the maximum power drop ratio was 4.282% minimum and 6.657% maximum. And PV module of low current characteristics has electrical stress from other modules. The solar cell temperature of PV module was higher compared to PV cell. To prevent early degradation, it is need to have attention to PV cell selection.
This paper proposes an open-loop clock recovery circuit (CRC) using two high-Q dielectric resonator (DR) filters for 39.8 Gb/s and 42.8 Gb/s dual-mode operation. The DR filters are fabricated to obtain high Q-values of approximately 950 at the 40 GHz band and to suppress spurious resonant modes up to 45 GHz. The CRC is implemented in a compact module by integrating the DR filters with other circuits in the CRC. The peak-to-peak and RMS jitter values of the clock signals recovered from 39.8 Gb/s and 42.8 Gb/s pseudo-random binary sequence (PRBS) data with a word length of $2^{31}-1$ are less than 2.0 ps and 0.3 ps, respectively. The peak-to-peak amplitudes of the recovered clocks are quite stable and within the range of 2.5 V to 2.7 V, even when the input data signals vary from 150 mV to 500 mV. Error-free operation of the 40 Gb/s-class optical receiver with the dual-mode CRC is confirmed at both 39.8 Gb/s and 42.8 Gb/s data rates.
An experiment has been performed in order to investigate the characteristics of multiple thermoelectric modules (TEMs) with electrical circuits. The open circuit voltage of TEM connected parallel circuit is equal to the sum of individual TEMs. In contrast, the open circuit voltage is equal to the average of that individual TEM for a series circuit. The power output and conversion efficiency of TEM for both parallel and series circuits increase as the operating temperature conditions for individual TEMs becomes identical. Comparing parallel with series circuits, the power generation performance is more excellent for series circuit than parallel circuit. This result is attributed to the power loss from the TEM with better power generation performance.
Rectifiers are widely used in industrial applications. Although detailed models of rectifiers are usually used to evaluate their performance, they are complex and time-consuming. Therefore, the Average Value Model (AVM) has been introduced to meet the demand for a simple and accurate model. This type of rectifier modeling can be used to simplify the simulations of large systems. The AVM of diode rectifiers has been an area of interest for many electrical engineers. However, healthy diode rectifiers are only considered for average value modeling. By contrast, faults occur frequently on diodes, which eventually cause the diodes to open-circuit. Therefore, it is essential to model bridge rectifiers under this faulty condition. Indeed, conventional AVMs are not appropriate or accurate for faulty rectifiers. In addition, they are significantly different in modeling. In this paper, a novel application of the parametric average value of a three-phase line-commutated rectifier is proposed in which one diode of the rectifier is considered open-circuited. In order to evaluate the proposed AVM, it is compared with experimental and simulation results for the application of a brushless synchronous generator field. The results clearly demonstrate the accuracy of the proposed model.
This article briefly tests and analyzes the sulfur content and the distribution of active sulfur in the crude oil of Kurkow Kazakhstan and Siberian Russian, and discusses the relationship between active sulfur content and total sulfur content, active sulfur and corrosion. At the same time, it measures the open circuit potential of X70 steel and X60 steel witch have been immerged in the above two kind of crude oil for a period of time, discusses the sulfur corrosion to metal.
This paper describes the current- based compact digital motor protective relay for low and high voltage induction motors, which are widely used in industrial and commercial power systems. The existing protective relays for motor protection had only overload, short circuit, reverse phase, open circuit and grounding protective elements, and measurement, start/stop control function. But in present day, for automation system, various functions are required, especially motor management and sequence control function and more. To meet these requirements, we developed an economic current-based compact digital motor protective relay which had various function to control, manage and monitor the induction motor.
A torque control algorithm suitable for detecting an open circuit failure in which one of the three phases is unable to supply power to a motor in the permanent magnet synchronous motor is presented in this paper. When the failure occurs in the inverter, the output torque of motor is restricted. A new method which is implemented by using only a processor algorithm internally without any hardware redundancy circuit is proposed. A simulation and experimental study is carried out with a three phase inverter system to show the validity of the proposed method.
Kim, Young-Ill;Son, Dae-Ho;Lee, Jaebaek;Sung, Shi-Joon;Kang, Jin-Kyu;Kim, Dae-Hwan;Yang, Kee-Jeong
Current Photovoltaic Research
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제9권3호
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pp.84-95
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2021
The power conversion efficiency of Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) solar cells depends on the absorber layer thickness; however, changes in the characteristics of the cells with varying absorber layer thickness are unclear. In this study, we investigated the changes in the characteristics of CZTSe solar cells for varying absorber layer thickness. Five absorber thicknesses were employed: CZTSe1 2.78 ㎛, CZTSe2 1.01 ㎛, CZTSe3 0.55 ㎛, CZTSe4 0.29 ㎛, and CZTSe5 0.15-0.23 ㎛. The efficiency of the CZTSe solar cells decreased as the absorber thickness decreased, resulting in power conversion efficiencies of 10.45% (CZTSe1), 8.67% (CZTSe2), 7.14% (CZTSe3), 3.44% (CZTSe4), and 1.54% (CZTSe5). As the thickness of the CZTSe absorber layer decreased, the electron-hole recombination at the grain boundaries and the absorber-back-contact interface increased. This caused an increase in the current loss, owing to light loss in the long-wavelength region. In addition, as the thickness of the CZTSe absorber layer decreased, more ZnSe was produced, and the resulting defects and defect clusters led to an open-circuit voltage loss.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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