Ta-N films were reactively sputter deposited by dc magnetron sputtering from a Ta target with a various Ar-N, gas ratio. Electrical resistivity of pure Ta film was 150$\mu$$\Omega$cm and decreased initially with nitrogen addition, and then increased to a value of 220$\mu$$\Omega$-cm~260$\mu$$\Omega$-cm at 9%~23% nitrogen partial flow. Rutherford backscattering spectrometry(RBS) and Auger electron spectroscopy (AES) analysis show that nitrogen content in the film is increased with the nitrogen partial flow. The film contains 58at.% nitrogen at 36% nitrogen partial flow. Both the phase and the microstructure of the as-deposisted films were investigated by x-ray diffractometry(XRD) adn transmission electron microscopy (TEM) at various nitrogen content. The phase of pure Ta film is identified as $\beta$-Ta with a 200$\AA$~300$\AA$ grain size. The phase of Ta film is changed to bcc-Ta as small amount of nitrogen is added. Crystalline Ta2N film was deposited at 24at.% nitrogen content. Amorphous phase is formed over a range of nitrogen content from about 33at.% to 35at.% while crystalline fcc-TaN is observed to form at 39at.%~48at.% nitrogen content.
Kim, Jae-Ihn;Cho, Ki Ho;Lee, Jae-Hwan;Ha, Yeon-Chul
Current Optics and Photonics
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제3권3호
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pp.243-247
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2019
We have developed a compact, wavelength-selectable, Q-switched Nd:YAG laser at mid ultraviolet for chemical warfare agent detection. The fundamental wave at 1064 nm is delivered by a pulsed solid state laser incorporating with a square-type Nd:YAG rod in a resonator closed by two crossed Porro prisms for environmental reliability. The output energy at 213 nm ($5{\omega}$) and 266 nm ($4{\omega}$) by ${\chi}^{(2)}$ process in the sequentially disposed BBO crystals are measured to be 6.8 mJ and 15.1 mJ, respectively. The output wavelength is selected for $5{\omega}$ and $4{\omega}$ by a motorized wavelength switch. The energy ratio of the $5{\omega}$ to the $4{\omega}$ is varied from 0.05 to 0.85 by controlling the phase matching temperature of the nonlinear crystal for sum-frequency generation without change of the output pulse parameters.
유리기판 위에 electron beam으로 증착(EBE)된 CdTe film의 결정구조 및 전기 전도도와 광 전도도를 조사하였다. 그 구조는 거의 hexagonal phase 이었으며 Cubic phas가 약간 포함된 다결정이었다. 암 전기 전도도(dark electric conductivity)는 $1-^{-8} {\Omega}^{-1} cm^{-1}$정도이고 $300^{\circ}C$에서 1시간 동안 열처리하여 약간 증가되었다. 온도가 증가됨에 따른 전기 전도도로부터 계산된 활성화 에너지는 실온에서 증착된 film의 경우1.446 eV이었다. 흡수계수로부터 구한 광학적 band gap은 직접 천이(direct transition)인 경우 1.52 eV이었고 간접 천이(indirect transition)인 경우 1.44eV이었다. Film의 광전도도는 약$1-^{-8} {\Omega}^{-1} cm^{-1}$정도이고, 실온에서 대략 600 nm일때 가장 크다. 광전기 전도도는 850 nm에서 증가하기 시작하며 이는 CdTe 다결정의 활성화 에너지 (activation energy)인 1.446 eV와 근사하다.
Glutathione S-transferase omega 1 (GstO1) is closely associated with various human diseases, including obesity and diabetes, but its functional mechanism is not fully understood. In the present study, we found that the GstO1-specific inhibitor C1-27 effectively suppressed the adipocyte differentiation of 3T3-L1 preadipocytes. GstO1 expression was immediately upregulated upon the induction of adipocyte differentiation, and barely altered by C1-27. However, C1-27 significantly decreased the stability of GstO1. Moreover, GstO1 catalyzed the deglutathionylation of cellular proteins during the early phase of adipocyte differentiation, and C1-27 inhibited this activity. These results demonstrate that GstO1 is involved in adipocyte differentiation by catalyzing the deglutathionylation of proteins critical for the early phase of adipocyte differentiation.
In this article, we deal with the notion of ${\Omega}$-limit sets in dynamical systems. We show that the ${\Omega}$-limit set of a compact subset of a phase space is quasi-attracting.
This paper suggests a 3-phase series-resonant type high voltage capacitor charger for an EML pulsed power system. The operating principle on the charger is explained by an equivalent circuit. Additionally, we analyze the charging characteristic in one discontinuous conduction mode and three continuous conduction modes. The analysis shows that the resonant current per phase is two thirds of the 3-phase charger's average charging current and one third of the single-phase charger's average charging current with the same capacity. We suggest a design method of the 3-phase capacitor charger in each operational mode and present an example of 3.5 kW capacitor charger at ${\omega}_s=0.33{\omega}_r$. The 3.5 kW 3-phase capacitor charger prototype is assembled with a TI28335 controller and a 40 kJ, 7 kV capacitor. The design rules based on the analysis are verified by experiment.
본 연구는 임피던스 파라미터(전기이중층 내의 미분용량 $C_d$, 용핵저향 $R_Q$, 전하이동저항 $R_t$,및 흡착유사용량 $C{\phi}$)를 결정하기 위해 정확한 측정식을 얻는데 주력하낟. 정현파가 정상상태에 있을 때 복소수함수 ${\omega}$중의 허수부분만을 으용하여 구한 전체임피던스식은 낮은 주파수에서 $|Z_{LF}|=1/{\omega}_{1C\phi}{\sqrt{1+{{\omega}_1}^2/{\omega}^2}$에, 높은 주파수에서는 $|Z_{HF}|={\omega}_2/({\omega}_1{\omega}_3C{\phi})({\omega}^2+{{\omega}_2}^2){\sqrt{{({\omega}^2+{\omega}_2{\omega}_3)}^2+{({\omega}_2{\omega}-{\omega_3{\omega})^2}}$에 따름을 나타낸다. 이들 임피던스 파라미터의 계산에 필요한 전체임피던수, 위상각 및 쎌전류값을 .5M $NA_2SO_4$ 또는 1M NaCl, 19.373% 해수, 1M HCl, 1M $KNO_3$ 지지전해질과 이들의 지지전해질내에 각각 $10^{-2}M Kl$ 또는 6mM DBNA를 첨가하여 20~60Hz 범위에서 실험적으로 측정하였다. 본 연구에서 유도한 식은 임피던스 파라미터 $C_d,\;C_{\phi},\;R_t$ 및 $R_Q$의 값들이 각각 $15{\sim}4{\mu}F/cm^2,\;162{\sim}758{\mu}F/cm^2,\;11.5{\sim}57.6ohm{\cdot}cm^2$ 및 $0.5{\times}10^{-2}{\sim}4.1{\sim}10^{-2}\;ohm{\cdot}cm^2$임을 보여준다.
A numerical analysis of turbulent gas-particle two-phase flow is performed in conjunction with the experiments of Fackrell & Robins and Raupach & Legg that considered ground-level source and/or elevated source flat plate flow. K-$\omega$ turbulence model is used in order to analyze fully turbulent flow field and the concentration equation with settling velocity is adopted for the concentration field. The model of Einstein and Chien is applied that couples the velocity field and the concentration field. Turbulent eddy viscosity is re-evaluated in this model. The present numerical results have good agreement between the simulation and the experimental data for the mean flow velocities and particle concentrations. While the previous study shows about 27% error in the vicinity of the source of particle concentration, the .present study allows about 14% error. A new turbulent gas-particle flow model developed by this study is able to cut down error by 13% at a near source.
Kim, J.H.;Kim, S.S.;Kim, S.H.;Baik, S.W.;Jeon, G.R.
센서학회지
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제25권1호
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pp.20-26
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2016
The bioelectrical impedance (BI) for the young and the elderly was measured using bioelectrical impedance spectroscopy (BIS). First, while applying a current of $600{\mu}A$ to the foot and hand, BI was measured at 50 frequencies ranging from 5 to 1000 kHz. The BI for young subjects was considerably lower than that for old subjects since young subjects have more lean mass (hydration). The prediction marker was 0.74 for young subjects and 0.78 for old subjects. Second, a Cole-Cole diagram was obtained for young subjects and old subjects, indicating the different characteristic frequencies. At 50 kHz, the average phase angle was $7.8^{\circ}$ for young subjects whereas that was $6.1^{\circ}$ for old subjects. Third, BIVA was analyzed for young subjects and old subjects. The vector length was 210.89 [${\Omega}/m$] for young subjects and 326.12 [${\Omega}/m$] for old subjects. At 50 kHz, the resistance (R/H) and the reactance ($X_C/H$) divided by height were 208.94 [${\Omega}/m$] and 28.68 [${\Omega}/m$] for young subject, and 324.33 [${\Omega}/m$] and 34.09 [${\Omega}/m$] for old subjects.
Poly-Si films have been prepared by solid phase crystallization of LPCVD(low-pressure CVD) amorphous silicon. The crystallinity of poly-Si films has been derived from UV reflectance spectrum and lies in the range between 70% and 80% . From XRD measurement the peak at 28.2$^{\circ}$from (111) plane is dominantly detected in the SPC poly-Si films, The average grain size of poly-Si film is determined by the image of SEM and varies from 4000 $\AA$ to 8000$\AA$. The electrical conductivity of as-deposited amorphous silicon film is about 2.5$\times$10$^{-7}$ ($\Omega$.cm)$^{-1}$ , and 3~4$\times$10$^{-6}$ ($\Omega$.cm)$^{-1}$ of room temperature conductivity is the SPC poly-Si films. The conductivity activation energies are 0.5~0.6 eV or the 500$\AA$-thick poly-Si films.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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