• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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• pp.272-273
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• 2007

This paper presents the characteristic of rectangular and octagonal spiral inductor using PGS(Patterned Ground Shield). We investigated variation of inductance and Q-factor with changing of turn number at fixed width, spacing and inner diameter. We confirmed that characteristic of inductance and Q-factor be appled PGS in rectangular and octagonal types spiral inductor by EM simulation tool. Inductance decreased irrespective of structure but Q-factor increased. When PGS not exist, Q-factor of Inductor is analogous at classification frequency but, rectangular is a few larger then octagonal in small turn number. The other side, When PGS is inserted, we confirmed that octagonal lager then rectangular in many turn number. Q-factor is improved in case of octagonal structure and small turn number by PGS effect.

• 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신설비학회 2006년도 하계학술대회
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• pp.153-157
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• 2006

본 논문에서는 SoC 공정에 적용 가능한 spiral 인덕터의 특성에 대해 다루었다. 일정한 크기의 인덕터에서 턴 수의 변화에 따른 인덕턴스와 Q-factor의 변화를 보았다. HFSS 프로그램을 사용하여 턴 수와 선로의 폭이 같은 조건하에서 사각형 구조와 팔각형 구조를 갖는 인덕터의 인덕턴스와 Q-factor의 ?냅? 계산하였다. 사각형 구조와 팔각형 구조 모두 선로 폭 보다는 턴 수가 증가할수록 인덕턴스가 증가하였다. 턴 수가 증가할수록 Q-factor의 값은 사각형 구조는 감소한 반면 팔각형 구조는 증가하였다. spiral과 실리콘 사이에 PGS(Patterned Ground Shield)를 삽입하여 인덕턴스 및 Q-factor의 변화를 비교 분석하였다. 그 결과 PGS의 사용으로 사각형 구조와 팔각형 구조에서 턴 수에 따라 Q-factor의 값이 구조에 따라 서로 다른 방향으로 증감하는 것을 확인할 수 있었다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제13권3호
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• pp.1284-1287
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• 2012

본 논문에서 underpass와 via를 갖지 않는 팔각 나선형 박막 인덕터 구조를 제안하고 주파수 특성을 확인하였다. 인덕터의 구조는 Si를 $300{\mu}m$, $SiO_2$를 $7{\mu}m$으로 하였으며, Cu 코일의 폭과 선간의 간격은 각각 $20{\mu}m$으로 설정하여 3회 권선하였다. 나선형 박막 인덕터의 성능을 나타내는 인덕턴스, quality-factor, SRF에 대한 주파수 특성을 HFSS로 시뮬레이션 하였다. 팔각 나선형 박막 인덕터는 0.8~1.8GHz 범위에서 2.5nH의 인덕턴스, 5GHz에서 최대 18.9 정도의 품질계수를 가지며, SRF는 11.1GHz로 시뮬레이션 결과를 얻었다. 반면에 사각 나선형 박막 인덕터는 0.8~1.8GHz 범위에서 2.8nH의 인덕턴스, 4.9GHz에서 최대 18.9 정도의 품질계수를 가지며, SRF는 10.3GHz로 시뮬레이션 결과를 얻을 수 있었다.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제8권2호
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• pp.47-51
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• 2008

In this paper, we present a cost effective parallel-branch spiral inductor with the enhanced quality factor and the resonance frequency. This structure is designed to improve the quality factor, but different from other fully stacked spiral inductors. The parallel-branch effect is increased by overlapping the first metal below the second metal with same direction. Measurement result shows an increased quality factor of 12 % improvement. Also, we show an octagonal parallel-branch inductor which reduces the parasitic capacitances for higher frequency applications.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2003년도 종합학술발표회 논문집 Vol.13 No.1
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• pp.234-238
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• 2003

In this work, we have designed a fully integrated 2.4GHz LC-tuned voltage-controlled oscillator (VCO) with multiple tuning inputs for a $0.25-{\mu}m$ standard CMOS Process. The design of voltage-controlled oscillator is based on an LC-resonator with a spiral inductor of octagonal type and pMOS-varactors. Only two metal layer have been used in the designed inductor. The frequency tuning is achieved by using parallel pMOS transistors as varactors and back-gate tuned pMOS transistors in an active region. Coarse tuning is achieved by using 3-bit pMOS-varactors and fine tuning is performed by using back-gate tuned pMOS transistors in the active region. When 3-bit digital and analog inputs are applied to the designed circuits, voltage-controlled oscillator shows the tuning feature of frequency range between 2.3 GHz and 2.64 GHz. At the power supply voltage of 2.5 V, phase noise is -128dBc/Hz at 3MHz offset from the carrier, Total power dissipation is 7.5 mW.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2003년도 통신소사이어티 추계학술대회논문집
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• pp.32-36
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• 2003

In this work, we have designed a fully integrated 2.4GHz LC-tuned voltage-controlled oscillator (VCO) with multiple tuning inputs for a 0.25-$\mu\textrm{m}$ standard CMOS process. The design of voltage-controlled oscillator is based on an LC-resonator with a spiral inductor of octagonal type and pMOS-varactors. Only two metal layer have been used in the designed inductor. The frequency tuning is achieved by using parallel pMOS transistors as varactors and back-gate tuned pMOS transistors in an active region. Coarse tuning is achieved by using 3-bit pMOS-varactors and fine tuning is performed by using back-gate tuned pMOS transistors in the active region. When 3-bit digital and analog inputs are applied to the designed circuits, voltage-controlled oscillator shows the tuning feature of frequency range between 2.3 GHz and 2.64 GHz. At the power supply voltage of 2.5 V, phase noise is -128dBc/Hz at 3MHz offset from the carrier. Total power dissipation is 7.5 mW.