The single acute treatment of mice with the steam distillate, non-volatile ether extract and methanol extract from mace, arils of Myristica fragrans(Myristicaceae) caused a significant prolongation of hexobarbital-induced narcosis, an increase in strychnine toxicity as well as a significant decrease in hepatic microsomal drug metabolizing enzyme activities. On seven daily consecutive administrations, however, the duration of narcosis was markedly shortened and significant increases in the hepatic enzyme activities were shown. From the non-volatile ether fraction, macelignan, a new lignan, mp $70{\sim}72^{\circ}$ was isolated as an active principle.
본 연구에서는 열처리 온도에 따른 전도 특성을 조사하기 위하여 RF magnetron sputtering을 이용해서 Si기판 위에 SBN 박막을 증착시킨 후, SBN 박막에 $650{\sim}800[^{\circ}C]$의 온도 범위에서 열처리를 하였다. $650[^{\circ}C]$에서 열처리된 박막의 경우 표면 거칠기는 약 0.42[nm]로 나타났으며, -5~+5[V]의 전압 범위에서 누설전류밀도는 $10-5[A/cm^2]$ 이하로 안정된 값을 나타내었다.
Park, Jaehyun;Shin, Donghwa;Chang, Naehyuck;Lee, Hyung Gyu
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제14권6호
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pp.741-749
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2014
Low power double data rate 2 non-volatile memory (LPDDR2-NVM) has been deemed the standard interface to connect non-volatile memory devices such as phase-change memory (PCM) directly to the main memory bus. However, most of the previous literature does not consider or overlook this standard interface. In this paper, we propose address phase skipping by reforming the way of interfacing with LPDDR2-NVM. To verify effectiveness and functionality, we also develop a system-level prototype that includes our customized LPDDR2-NVM controller and commercial PCM devices. Extensive simulations and measurements demonstrate up to a 3.6% memory access time reduction for commercial PCM devices and a 31.7% reduction with optimistic parameters of the PCM research prototypes in industries.
STT-RAM is attracting as a next generation Non-volatile memory for replacing cache memory with low leakage energy, high integration and memory access performance similar to SRAM. However, there is problem of write operations as the other Non_volatile memory. Hybrid cache memory using SRAM and STT-RAM is attracting attention as a cache memory structure with lowe power consumption. Despite this, reducing the leakage energy consumption by the STT-RAM is still lacking access to the Dynamic energy. In this paper, we proposed as energy management method such as a way-selection approach for hybrid L2 cache fo SRAM and STT-RAM and memory selection method of write/read operation. According to the simulation results, the proposed hybrid cache memory reduced the average energy consumption by 40% on SPEC CPU 2006, compared with SRAM cache memory.
본 논문에서는 블록 생성 번호를 활용한 동적 마모도 평준화 기법을 제안한다. 지금까지 제안된 동적 마모도 평준화 기법들은 콜드 블록을 판별하기 위해 경과 시간을 사용하고 있다. 하지만 저장장치의 데이터 접근은 일정한 시간 간격으로 이루어지는 것이 아니기 때문에 이와 같은 경과 시간을 사용하는 방식은 데이터에 대한 블록 접근 정보가 왜곡될 수 있는 단점이 있다. 이러한 단점을 해결하기 위해, 본 논문에서 제안하는 기법은 블록을 할당할 때 블록 순차 번호를 테이블에 저장하고 이를 이용하여 블록의 접근 빈도를 판별한다. 실험에서 제한하는 기법은 기존의 CB, CAT 기법과 비교하여 최대 11% 수명이 향상됨을 확인하였다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제12권1호
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pp.16-19
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2011
The oxide-nitride-oxide (ONO) deposition process was added to the beginning of a 0.25 ${\mu}m$ embedded polysiliconoxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) process before all of the logic well implantation processes in order to maintain the characteristics of basic CMOS(complementary metal-oxide semiconductor) logic technology. The system subsequently suffered severe ONO rupture failure. The damage was caused by the ONO implantation and was responsible for the ONO rupture failure in the embedded SONOS process. Furthermore, based on the experimental results as well as an implanted ion's energy loss model, processes primarily producing permanent displacement damages responsible for the ONO rupture failure were investigated for the embedded SONOS process.
In this paper, the p-channel poly Si thin-film transistors (Poly-Si TFT's) using formed by solid phase crystallization (SPC) on glass substrate were fabricated. And we propose an ONO(Oxide-Nitride-Oxide) multilayer as the gate insulator for poly-Si TFT's to indicate non-volatile memory (NVM) effect. Poly-Si TFT is investigated by measuring the electrical properties of poly-Si films, such as I-V characteristics, on/off current ratio. NVM characteristics is showed by measuring the threshold voltage change of TFT through I-V characteristics.
CDMA 단말기의 DBMS는 단말기를 운영하는데 필요한 시스템 및 가입자의 정보를 관리하기 위한 소프트웨어로서 서비스 제공에 있어서의 실시간성과 높은 신뢰성, 그리고 효과적인 Fault Tolerance 및 고장으로부터의 신속한 회복 기능을 제공하여야 한다. 이를 위해 이동통신용 단말기에서는 실시간 운영체제를 기반으로 하는 Non-Volatile 메모리인 EEPROM에 저장하여 관리하는 방법을 채택하고 있다. CDMA 단말기에서 사용하는 MSM(Mobile Station Modem)과 단말기 소프트웨어는 운영체제 환경하에서 동작하는데 기능 중심으로 여러 개의 Task들을 설계하고 이들이 필요한 기능들을 수행하도록 하고 있다. 본 논문에서는 CDMA 단말기 소프트웨어의 여러 Task 중에서 EEPROM과 관련하여 데이터베이스 시스템 역할을 수행하는 NVDB Task(Non-Volatile Database Task)의 기능과 구조를 다룬다.
CDMA 단말기의 DBMS는 단말기를 운영하는데 필요한 시스템 및 가입자의 정보를 관리하기 위한 소프트웨어로서 서비스 제공에 있어서의 실시간성과 높은 신뢰성, 그리고 효과적인 Fault Tolerance 및 고장으로부터의 신속한 회복 기능을 제공하여야 한다. 이를 위해 이동통신용 단말기에서는 실시간 운영체제를 기반으로 하는 Non-Volatile 메모리인 EEPROM에 저장하여 관리하는 방법을 채택하고 있다. CDMA 단말기에서 사용하는 MSM(Mobile Station Modem)과 단말기 소프트웨어는 운영체제 환경하에서 동작하는데 기능 중심으로 여러 개의 Task들을 설계하고 이들이 필요한 기능들을 수행하도록 하고 있다. 본 논문에서는 CDMA 단말기 소프트웨어의 여러 Task 중에서 EEPROM과 관련하여 데이터베이스 시스템 역할을 수행하는 NVDB Task(Non-Volatile Database Task)의 기능과 구조를 다룬다.
Maximizing energy efficiency minimizes the energy consumption of computation, storage and communications required for IT services, resulting in economic and environmental benefits. Recent advancement of flash and next generation non-volatile memory technology and price decrease of those memories have led to the rise of so-called AFA (All-Flash Array) storage devices made of flash or next generation non-volatile memory. Currently, the AFA devices are rapidly replacing traditional storages in the high-performance servers due to their fast input/output characteristics. However, it is not well known how effective the energy efficiency of the AFA devices in the real world. This paper shows input/output performance and power consumption of the AFA devices measured on the Linux XFS file system via experiments and discusses energy efficiency of the AFA devices in the real world.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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