본 연구는 이성분계의 화학종 모델링과 삼성분계의 흡착 모델링으로부터 As(III)와 As(V)의 적철석 표면 흡착에 휴 믹산의 영향과 그 결합기작을 고찰하였다. 비소와 휴믹산의 유기 결합의 모델링은 음이온 사이의 정전기적인 반발력 과 비소의 유기 결합을 위한 결합금속의 영향을 고려한 결합 모델이 적합하였다. 삼성분계의 흡착 실험 자료와 비교 할 때 이성분계의 고유상수를 사용한 음이온 경쟁 모델이 음이온 경쟁에 따른 비소의 흡착량과 일치하였다. 반면, 비 소의 유기 결합량의 감소와 휴믹산과의 음이온 흡착경쟁이 흡착량을 감소시키기 때문에 단순합모델은 양이온 중금속 과는 반대로 모델의 편차를 보였다. 반응 기작의 관점에서 휴믹산의 공존하에 비소 유기결합 화학종과 중성화학종의 As(III) 및 음이온의 As(V)가 속착물을 형성하며, 경쟁적으로 적철석 표면으로 이동하여 흡착하게 된다.
본 실험은 국내 자생하는 한입버섯 균에 대한 특성과 적정 배양 조건을 구명하고 인공재배의 기초적인 자료 활용을 위해 균사체의 특성과 적정 배양 조건에 관한 연구를 수행하였다. 한입버섯 KACC52303 균주의 형태 특성은 불규칙형과 굴곡형, 솜털 또는 면과 유사한 질감의 형태를 보였고 미세구조는 후막포자 형성 전 단계로 보였으며 클램프는 보이지 않았다. 적정 배양온도는 중·고온인 25~30℃로 조사되었으며, pH는 약산성 4부터 중성 7까지 범위가 넓게 확인되었다. 적정 영양원에서 탄소원 dextrine 2.5%, 유기질소원 yeast extract 0.1%의 혼합배지에서 균사생장이 양호하였다. 아미노산은 leucine, 유기산은 acetic acid, gluconic acid, 무기염류는 KCl, KH2PO4에서 가장 빠른 균사생장을 보였다. 칼럼 시험은 소나무 80%, 미강 10%, 콘코브 10% 톱밥의 혼합 배지에서 가장 양호한 균사생장을 보였다.
본 연구에서는 오존의 용해효율 개선과 자가분해 촉진을 위해 나노기포와 초음파 캐비테이션을 동시에 적용한 오존 나노기포 공정을 조사하였다. 공정의 유기물 분해효율을 파악하기 위해 200mm × 200mm × 300mm 규모의 반응기를 제작하여 다양한 조건에서 페놀 분해 실험을 진행하였다. 나노기포의 사용은 60분 반응에서 페놀 분해 효율을 일반적인 폭기 방식에 비해 2.07배 증가시켰으며, 용존 오존의 최대 용해농도를 크게 증가시켜 오존의 용해효율 개선에 효과적이었다. 초음파 조사는 나노기포와 함께 사용될 때 페놀 분해 효율을 36% 증가시켰으며 오존의 자가 분해 촉진으로 용존 오존은 낮게 나타났다. 초음파 출력이 강할수록 페놀 분해 효율도 증가하였으며, 실험에서 사용한 28kHz, 132kHz, 580kHz 중 132kHz의 주파수에서 페놀의 분해 효율이 가장 높게 나타났다. 오존 나노공정은 기존 오존 공정과 같이 높은 pH에서 더 좋은 분해효율을 보였으나 중성에서도 60분 반응 후 페놀 100% 분해를 달성하여 pH에 의한 영향이 적은 것으로 나타났다. 이는 초음파에 의한 오존 자가분해 촉진에 의한 것으로 판단된다. 초음파 조사에 의한 기포 특성 변화를 확인하기 위해 Zetasizer를 이용하여 기포의 크기와 제타 전위 분석을 진행하였으며 초음파 조사가 기포의 평균 크기를 11% 감소시키고 기포 표면의 음전하를 강화하여 오존 나노기포의 물질전달과 수산화 라디칼 생성 효율에 긍정적인 효과를 끼치는 것을 확인하였다.
바이오매스는 현재 석유, 천연가스, 석탄 등 화석 연료에서 얻을 수 있는 액체 연료와 유기 화합물을 생산할 수 있는 지속 가능한 대체 자원이다. 화석 연료를 사용하면 온실가스를 배출하기 때문에 바이오매스와 같은 탄소중립적 원료를 사용하는 것은 기후 변화 대응에 기여할 수 있다. 바이오매스 원료로부터 석유 대체 화학 제품과 연료를 생산하기 위한 생물학적 및 화학적 공정이 제안되었지만, 바이오매스에 포함된 높은 산소 함량때문에 화석 연료를 완전히 대체하기 어렵다. 석유와 유사한 연료와 화학 물질을 생산하려면 바이오매스 파생물에 존재하는 산소 원자를 제거하거나 산소 기능기를 전환해야 하며, 이는 촉매 화학적 수첨탈산소화에 의해 달성될 수 있다. 바이오매스 열분해 오일, 리그노셀룰로오스 유래 화학물질, 지질과 같은 원료를 탈산소 연료 및 화학물질로 전환하기 위해 수첨탈산소화가 진행되었다. 높은 표면적의 금속 산화물 또는 탄소에 지지된 귀금속 및 전이 금속으로 구성된 다기능성 촉매는 효율적인 수첨탈산소 촉매로 사용되었다. 본 총설에서는 문헌에서 제안된 촉매를 확인하고 이러한 촉매를 이용한 수첨탈산소 반응 시스템이 논의하였다. 문헌에 보고된 수첨탈산소화 방법을 기반으로, 실현 가능한 수첨탈산소화 공정 개발 방향이 제시하였다.
질량분석기는 태양계와 생명의 기원을 밝히기 위한 필수 과학 장비로서, 달/행성/소행성/혜성 등의 대기 및 지표에 존재하는 중성 원소와 이온에 대한 정보를 파악하기 위해 1970년대 초반부터 우주 탐사에 활용되어 왔다. 제4차 우주개발진흥 기본계획(2023-2027)에 따르면 우리나라는 2032년에 달 착륙을 2045년에는 화성 착륙을 성공하는 것을 핵심 목표로 삼고 무인 탐사를 위한 능력을 확보하는 데 기술개발의 역점을 두기로 하였다. 따라서 우주 탐사의 과학적 목표 달성을 위한 가장 기본적인 장비이지만 국내 우주탐사에서 한번도 시도되지 않았던 질량분석기의 국내 개발은 필수적이라고 할 수 있다. 본 논문에서는 국내에서 개발된 사중극자 질량분석기의 원리와 원형 모델 및 성능에 대해 소개하고 향후 발전 방향에 대해 논의하고자 한다.
전 세계적으로 탄소 중립 전략에 따른 탈탄소화와 관련하여 전기자동차의 수요가 급증하고 있다. 전기자동차의 주요 부품인 리튬이온 배터리의 수요 또한 급증하게 되었고, 이는 폐배터리의 발생으로 이어진다. 이에 폐배터리를 재활용하여 유가 금속을 회수하기 위한 연구가 수행되고 있으며, 본 연구에서는 폐LFP 배터리의 양극재로부터 리튬을 선택적으로 선침출 및 회수하고자 하였다. 양극재 분말 내 포함된 바인더를 제거하여 반응 표면적 증대 및 반응성을 높이기 위하여 대기 및 질소 분위기 그리고 다양한 온도 범위에서 열처리하였고, 이후 기계화학적(Mechanochemical) 공정을 통하여 수침출 하였다. 먼저, 열처리 후 분말을 과황산나트륨(Na2S2O8)과 기계화학적 반응을 이용하여 가용성 리튬화합물로 전환하였고, 이후 증류수를 이용하여 수침출 하였다. 본 연구에서 열처리를 통한 양극재 분말의 특성 변화를 확인하였고, 최종 질소 분위기에서 열처리하여 모든 온도 범위에서 리튬의 침출율은 약 100%로 선침출할 수 있었다.
중성(中性)아황산소오다 전처리(前處理)한 젓나무로부터 가압(加壓)리화이닝법(法)에 의해 고수율(高收率)펄프를 제조(製造)함에 있어서 리화이닝온도(温度)가 섬유(纖維)의 표면구조(表面構造) 및 펄프시트의 강도(強度)에 미치는 영향(影響)을 검토(檢討)하여 다음과 같은 결과(結果)를 얻었다. 전처리수율(前處理收率)(84%, 92% 및 100%) 및 리화이닝온도(温度)($20^{\circ}C$, $120^{\circ}C$ 및 $180^{\circ}C$)는 펄프의 수율(收率), 고해성(叩解性), 펄프 시트의 강도(強度) 및 섬유(纖維)의 표면구조(表面構造)에 미치는 영향(影響)이 현저(顯著)하였으며, 특히 펄프수율(收率)과 고해성(叩解性)은 리화이닝온도(温度)가 상승(上昇)함에 따라 감소(減少)하였다. 전처리수율(前處理收率) 84%의 미고해(未叩解)펄프의 섬유표면(纖維表面)이 거의 2차벽(次壁)으로 싸여있음이 확인(確認)되었으며, 반면(反面) 전처리수율(前處理收率) 92%의 펄프는 복합세포중간층(複合細胞中間層)으로 대부분(大部分) 덮여있었다. 미처리(未處理) 펄프의 경우는 섬유(纖維)의 손상(損傷)이 심하였으며 섬유표면(纖維表面)은 2차벽(次壁)과 복합세포중간층(複合細胞中間層)이 거의 같은 정도로 노출(露出)되어 있었다. 전처리수율(前處理收率)이 높은 펄프(92% 및 100%)의 경우는 리화이닝온도(温度) 및 여수도(濾水度)가 달라지더라도 밀도(密度)와 펄프시트의 강도(強度)와의 사이에는 직선적(直線的)인 비례관계(比例關係)가 성립(成立)하였으며 고온(高温)리화이닝한 것이 실온(室温)리화이닝한 펄프보다 강도(強度)가 우수(優秀)하였다. 수율(收率)이 84%정도로 강(強)하게 전처리(前處理)한 경우 동일(同一)한 밀도(密度)에서 비교(比較)하였을때 시트강도(強度)는 실온(室温)리화이닝한 펄프가 고온(高温)리화이닝한 것보다 우수(優秀)하였다. 이는 전자(前者)가 후자(後者)보다 보수도(保水度)가 높은 미세섬유(微細纖維)를 더많이 함유(含有)한 때문으로 결론(結論)지울수 있다. 또한 섬유장분포(纖維長分布)에 있어서는 리화이닝온도(温度)에 따른 근소한 차(差)가 인정(認定)되었으나 섬유(纖維)의 표면구조(表面構造)는 거의 유사(類似)하였다.
소라 (Batillus cornutus) 외투막의 조직화학적 특성 및 미세구조를 광학현미경과 투과전자현미경을 이용하여 기재하였다. 소라의 외투막은 결합조직층을 단층상 피층이 위아래로 둘러싸고 있는 구조였으며, 상피층은 내장 기관계 쪽을 향하고 있는 내부상피층과 패각 쪽의 외부상피층으로 구분된다. 상피층에 의해 둘러싸인 결합조직층은 주로 교원섬유와 근섬유다발로 구성되며, 혈림프동이 발달하고 있었다. 외투막의 각정부 상피층에 분포하는 점액세포들은 산성 및 중성 점액다당류를 함유하고 있었으며, 중간부와 가장자리의 상피층에 분포하는 점액세포들은 비황화 강산성의 당단백질 점액성분을 함유하는 것으로 나타났다. 외투막의 두께, 상피층의 두께, 혈림프동의 면적은 각정부에서 가장자리로 갈수록 낮아지는 경향을 보였다. 투과전자현미경으로 관찰하였을 때 외투막의 상피층은 단층으로 원주형 상피세포, 섬모세포, 흡수세포, 분비세포로 구성되어 있었다. 외투막 상피세포들은 원주형으로 장방형의 핵을 가지며, 자유면에는 미세융모들이 발달되어 있었다. 상피세포 사이에는 폐쇄띠, 폐쇄대와 수지상막구조로 연결되어 있었다. 섬모세포는 자유면에 섬모와 미세융모를 가지며, 세포질의 상부에는 다수의 미토콘드리아를 가지고 있었다. 상피층에서는 흡수기능을 가지는 두 종류의 세포가 관찰되었다. 이들은 원주형으로 미세융모, 음소포, 미토콘드리아 그리고 전자밀도가 다양한 용해소체들을 함유하고 있었다. 소라 외투막에서는 네 종류 (A, B, C, D)의 분비세포를 구분할 수 있었는데, 이들은 모두 단세포선으로 확인되어 대부분의 복족류와 이매패류의 외투막에서 보고된 선세포들과 유사한 특징을 보였다.
The plasma damage free and room temperature processedthin film deposition technology is essential for realization of various next generation organic microelectronic devices such as flexible AMOLED display, flexible OLED lighting, and organic photovoltaic cells because characteristics of fragile organic materials in the plasma process and low glass transition temperatures (Tg) of polymer substrate. In case of directly deposition of metal oxide thin films (including transparent conductive oxide (TCO) and amorphous oxide semiconductor (AOS)) on the organic layers, plasma damages against to the organic materials is fatal. This damage is believed to be originated mainly from high energy energetic particles during the sputtering process such as negative oxygen ions, reflected neutrals by reflection of plasma background gas at the target surface, sputtered atoms, bulk plasma ions, and secondary electrons. To solve this problem, we developed the NBAS (Neutral Beam Assisted Sputtering) process as a plasma damage free and room temperature processed sputtering technology. As a result, electro-optical properties of NBAS processed ITO thin film showed resistivity of $4.0{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}m$ and high transmittance (>90% at 550 nm) with nano- crystalline structure at room temperature process. Furthermore, in the experiment result of directly deposition of TCO top anode on the inverted structure OLED cell, it is verified that NBAS TCO deposition process does not damages to the underlying organic layers. In case of deposition of transparent conductive oxide (TCO) thin film on the plastic polymer substrate, the room temperature processed sputtering coating of high quality TCO thin film is required. During the sputtering process with higher density plasma, the energetic particles contribute self supplying of activation & crystallization energy without any additional heating and post-annealing and forminga high quality TCO thin film. However, negative oxygen ions which generated from sputteringtarget surface by electron attachment are accelerated to high energy by induced cathode self-bias. Thus the high energy negative oxygen ions can lead to critical physical bombardment damages to forming oxide thin film and this effect does not recover in room temperature process without post thermal annealing. To salve the inherent limitation of plasma sputtering, we have been developed the Magnetic Field Shielded Sputtering (MFSS) process as the high quality oxide thin film deposition process at room temperature. The MFSS process is effectively eliminate or suppress the negative oxygen ions bombardment damage by the plasma limiter which composed permanent magnet array. As a result, electro-optical properties of MFSS processed ITO thin film (resistivity $3.9{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$, transmittance 95% at 550 nm) have approachedthose of a high temperature DC magnetron sputtering (DMS) ITO thin film were. Also, AOS (a-IGZO) TFTs fabricated by MFSS process without higher temperature post annealing showed very comparable electrical performance with those by DMS process with $400^{\circ}C$ post annealing. They are important to note that the bombardment of a negative oxygen ion which is accelerated by dc self-bias during rf sputtering could degrade the electrical performance of ITO electrodes and a-IGZO TFTs. Finally, we found that reduction of damage from the high energy negative oxygen ions bombardment drives improvement of crystalline structure in the ITO thin film and suppression of the sub-gab states in a-IGZO semiconductor thin film. For realization of organic flexible electronic devices based on plastic substrates, gas barrier coatings are required to prevent the permeation of water and oxygen because organic materials are highly susceptible to water and oxygen. In particular, high efficiency flexible AMOLEDs needs an extremely low water vapor transition rate (WVTR) of $1{\times}10^{-6}gm^{-2}day^{-1}$. The key factor in high quality inorganic gas barrier formation for achieving the very low WVTR required (under ${\sim}10^{-6}gm^{-2}day^{-1}$) is the suppression of nano-sized defect sites and gas diffusion pathways among the grain boundaries. For formation of high quality single inorganic gas barrier layer, we developed high density nano-structured Al2O3 single gas barrier layer usinga NBAS process. The NBAS process can continuously change crystalline structures from an amorphous phase to a nano- crystalline phase with various grain sizes in a single inorganic thin film. As a result, the water vapor transmission rates (WVTR) of the NBAS processed $Al_2O_3$ gas barrier film have improved order of magnitude compared with that of conventional $Al_2O_3$ layers made by the RF magnetron sputteringprocess under the same sputtering conditions; the WVTR of the NBAS processed $Al_2O_3$ gas barrier film was about $5{\times}10^{-6}g/m^2/day$ by just single layer.
막오염을 감소시킬 수 있는 첨가제로서 chitosan, 염화제이철, MPE50의 막오염 저감 효과를 비교하여 연구하였다. 세가지 첨가제를 다양한 농도로 활성슬러지에 주입한 후 회분여과실험을 수행하여 막오염 특성의 변화를 평가하였다. Chitosan 20 mg/g-MLSS, 염화제이철 70 mg/g-MLSS, MPE50 20 mg/g-MLSS의 주입량에서 여과저항과 케이크 비저항이 모두 최소화되었는데, 케이크 여과저항 뿐 아니라 파울링 여과저항도 함께 감소하는 양상이 관찰되었다. 그러나 서로 다른 활성슬러지에 chitosan을 첨가하는 세 차례의 실험에서 최적 주입농도는 10, 20, 30 mg/g-MLSS로 서로 다르게 나타나, 최적 주입농도가 상수치가 아니라 활성슬러지의 특성에 영향을 받는 것으로 확인되었다. 세 첨가제 모두 최적 주입농도보다 더 많은 양을 주입한 경우 오히려 막여과 특성이 악화되었다. 첨가제의 주입에 따른 여과저항 감소의 기작을 분석하기 위하여 미생물 플록의 제타 전위, 소수성, 입도분포, 상징수 탁도, 용존성 EPS 등의 다양한 분석을 수행하였다. 최적 주입농도에서 제타전위는 0에 가깝게 그리고 입자크기는 가장 크게 나타났는데, 이러한 결과는 음전하를 띠는 슬러지 플록에 양전하의 첨가제가 주입되면서 미세입자의 불안정화 및 재안정화 메커니즘을 보이는 것으로 해석할 수 있다. 또한 최적 주입농도에서 용존성 EPS 농도와 상징수 탁도는 가장 작은 값이 관찰되었는데, 미생물 플록이 응집하며 성장하는 과정에서 고분자의 EPS와 미세 입자가 포집된 결과로 해석된다. 또한 이러한 효과는 고분자성 양이온물질인 chitosan과 MPE50에서 염화철보다 더 크게 나타났다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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