• 대한관절경학회지
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• 제10권2호
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• pp.159-164
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• 2006

서론: 신선 동결된 동종 아킬레스건을 이용하여 실패한 전방 십자 인대 재 재건술의 술기 및 슬관절의 안정성 및 기능적 결과를 분석하고자 한다. 재료 및 방법: 실패한 전방 십자 인대 재건술에 대하여 동종 아킬레스건을 이용하여 재 재건술을 시행한 13예를 대상으로 하였다. 재 재건술까지의 평균 기간은 61.8개월 이었으며 평균 추시 기간은 38.4개월이었다. 술기는 아킬레스건에 부착된 종골을 골결손부에 이식하고 재확공을 하여 한 단계로 시행하였다. 일차 재건술의 실패 원인을 분석하였고 술 후 평가는 Lysholm knee score, Lachman 검사, pivot shift 검사와 KT-1000 arthrometer 검사를 이용하였다. 결과 실패의 원인은 부적절한 수술 수기가 10예로 가장 많았다. 최종 추시점에서 Lysholm knee score는 10(75.9%) 예에서 우수 또는 양호의 결과를 보였다. Lachman 검사는 12예(92.3%) 에서 음성 또는 경도의 전방전위를 보였으며 pivot shift 검사는 음성인 경우가 11(84.6%) 예이었다. KT-1000 검사는 최대 전방 전위차가 3 mm 미만이 9예였다. 결론: 전방 십자 인대 재 재건술시 동종 아킬레스건을 이용하면 한 단계로 골이식 및 재확공을 할 수 있고 안정성 면에서 좋은 이식물의 하나이며 추후 장기적인 추시가 필요하리라 생각된다.

• 대한관절경학회지
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• 제13권1호
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• pp.1-7
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• 2009

목적: 10시 혹은 2시 방향의 경경골 대퇴 터널을 이용한 관절경적 전방 십자 인대 재건술 후 2-4년 추시 결과를 분석하고자 하였다. 대상 및 방법: 동종 경골건을 사용하여 전방 십자 인대 재건술을 시행하고 추시가 가능하였던 86예를 대상으로 하였다. 평가는 2000 International Knee Documentation Committee (IKDC) 주관적 슬관절 점수, Lachman 검사, Pivot-shift 검사, KT-1000 arthrometer 검사, 2000 IKDC 슬관절 검사 및 2차 관절경 검사를 포함하였다. 결과: IKDC 주관적 슬관절 점수는 80점 이상이 75예(87.2%), Lachman 검사상 1+ firm end 이하의 전위는 83예(96.5%), Pivot-shift 검사상 음성은 78예(90.7%), KT-1000 전방 전위 검사상 차이가 5 mm 이하인 경우는 83예(96.5%)였다. IKDC 슬관절 검사상 정상 또는 거의 정상이 80예(93.0%)였다. 2차 관절경 검사는 15예에서 시행되었으며 9예(60%)에서 전방 십자 인대 이식물의 양호한 활액막 형성을, 4예(26.7%)에서 부분적인 활액막 형성을, 2예(13.3%)에서 불량한 활액막 형성을 보였고 이식물의 실패는 1예(6.67%)가 있었다. 결론: 10시 혹은 2시 방향의 경경골 대퇴 터널을 이용한 전방 십자 인대 재건술은 전후방 안정성뿐만 아니라 회전 안정성에서 양호한 결과를 보여주었다.

• 한국경제지리학회지
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• 제13권4호
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• pp.584-600
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• 2010

본 연구는 미국 동부 지역의 두 고속도로 회랑지대, I-95와 I-85 일대의 지식 기반 서비스업의 고용변화를 확장된 shift-share 분석을 통해 살펴보고 있다. 지식 기반 서비스업으로 선정된 산업은 금융, 보험, 비즈니스 서비스와 의료 산업이며 1977년부터 1990년, 1990년부터 2005년까지의 기간 동안의 대도시 지역이 연구 대상이다. 1977년부터 1990년 사이에는 생산량과 노동 생산성 측면에서 두 지역 모두 주변 지역 및 국가 전체 평균보다 월등한 성장세를 보였다. 그러나 1990년에서 2005년 사이에는 산업별 차이가 있었지만 평균에 미치지 못하는 성장 속도를 보이는 경우가 많이 나타났다. 또한 지리적으로 인접해 있거나 동일한 회랑지대에 위치한 대도시들도 유사한 고용 변화 패턴을 보이지는 않는다는 것이 밝혀졌다.

• 의료커뮤니케이션
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• 제12권1호
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• pp.97-110
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• 2017

Purpose: This study is an overview of the experiences of nurses who have participated in a communication education program which was designed to develop proper change-of-shift dialogues. The goal of this program was to improve the communication competencies of outgoing and incoming nurses during handover and takeover of their shifts. Methods: The materials used in this study to analyze the experiences qualitatively were transcripts from narrative interviews with seven nurse participants. The education program consisted of two rounds of change-of-shift simulations by pairs of nurses, planning of a forthcoming change-of-shift, three lectures on ideal dialogue patterns, and time for video feedback. Afterwards the participants' experiences of the program were evaluated generally, highlighting the positive and the negative aspects, and how this educational experiences might affect their future change-of-shift activities. Results: High practicability, originality, professionalism, and effectiveness were some of the positive assessments made by the nurse participants. In addition, they pointed out that the sample video in which two professors performed an ideal handover and takeover and the paper kardex were both quite unrealistic. The location of the change-of-shift simulation was also unfamiliar so it needed to be supplemented. However, most of the nurses took for granted that such a communication education program is necessary and that it will provide a substantial help in their future job performance. In this regard they recommended the program to all related hospitals and nursing schools. Conclusion: The results of this study could be applied to other forms of communication education programs regardless of the specific area where communication takes place.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
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• pp.1673-1676
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• 2007

We have investigated the degradation mechanism of hydrogenated amorphous silicon (a- Si:H) thin film transistors (TFTs) The threshold voltage of driving a-Si:H TFT is shifted severely by electrical bias due to a charge trapping and defect state creation. And the short channel TFTs exhibit less threshold voltage degradation than long channel TFTs. We propose the pixel circuits employing negative bias annealing scheme in order to suppression of threshold voltage shift of a-Si:H TFT.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.298-298
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• 2012

본 연구에서는 Bias Temperature Stress (BTS) 측정을 통한 다층세라믹커패시터(Multi-Layer Ceramic Capacitor, MLCC) 소자 분석에 대한 연구를 진행하였다. BTS 분석은 소자 내부에 존재하는 Na+, K+ 등의 mobile charge 검출을 위한 방법으로 positive bias와 negative bias stress에 따른 C-V 특성 곡선으로부터 mobile charge의 정량적 해석이 가능하다. 실험 결과 positive bias stress 후의 C-V 특성 곡선이 stress 전 C-V 특성 곡선과 비교해 negative bias 영역으로 0.0376 V 만큼 shift 하였다. 또한 수식(QM = $Cox{\cdot}{\triangle}V$)으로부터 $1.7{\times}1,011$개의 mobile charge가 존재함을 확인하였다. 본 연구는 MLCC 소자 내의 금속 오염물 존재 여부에 따른 소자의 전기적 특성 변화 분석을 위해 진행되었으며, BTS 분석은 반도체 소자 뿐 아니라 본 연구에서와 같이 커패시터 소자의 결함 여부 판단에도 이용 가능함을 확인하였다.

• Journal of Photoscience
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• 제5권4호
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• pp.149-152
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• 1998

Expression of light-harvesting chlorophyll a/b-binding protein gene(cab) is repressed in the dark and activited by light. However, the detail of its regulatory mechanism is not characterized so far. To identify the interactions of cis-acting elements and trans-acting factors involvedin this regulation, nuclear extracts from the light-grown and dark-adapted Arabidopsis thaliana leaves were anlayzed for mobility shift assay against 134bp fragments had two retarded bands and one retardation band, respectively, both in light-grown and dark-adapted bands in the dark-adapted tissues. A new retardation the cab 3 expression in the dark. Several light regulatory motifs are scattered in the 146 bp region of cab 3 promoter. One of the light-regulatory motifs could be the binding site for the negative regulatory factor.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제25권9호
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• pp.677-680
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• 2012

The dependency of annealing temperature on the electrical performances in amorphous silicon-zinc-tin-oxide thin film transistors (SZTO-TFT) has been investigated. The SZTO channel layers were prepared by using radio frequency (RF) magnetron sputtering method with different annealing treatment. The field effect mobility (${\mu}_{FE}$) increased and threshold voltage ($V_{th}$) shifted to negative direction with increasing annealing temperature. As a result, oxygen vacancies generated in SZTO channel layer with increasing annealing temperature resulted in negative shift in $V_{th}$ and increase in on-current.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제25권8호
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• pp.580-583
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• 2012

The dependency of processing pressure on the electrical performances in amorphous silicon-zinc-tin-oxide thin film transistors (SZTO-TFT) has been investigated. The SZTO channel layers were deposited by using radio frequency (RF) magnetron sputtering method with different partial pressure. The field effect mobility (${\mu}_{FE}$) increased and threshold voltage ($V_{th}$) shifted to negative direction with increasing pressure during deposition processing. As a result, oxygen vacancies generated in SZTO channel layer with increasing partial pressure resulted in negative shift in $V_{th}$ and increase in on-current.

• ETRI Journal
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• 제34권2호
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• pp.280-283
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• 2012

By inserting $H_2O$ treatment steps during atomic layer deposition of a ZnO layer, the turn-on voltage shift from negative bias stress (NBS) under illumination was reduced considerably compared to that of a device that has a continuously grown ZnO layer without any treatment steps. Meanwhile, treatment steps without introducing reactive gases, and simply staying under a low working pressure, aggravated the instability under illuminated NBS due to an increase of oxygen vacancy concentration in the ZnO layer. From the experiment results, additional oxidation of the ZnO channel layer is proven to be effective in improving the stability against illuminated NBS.