We propose a novel nanomaterial-based pn diode which constructed with an n-type ZnO nanowire (NW) and a p-type HgTe nanoparticle (NP) thin film. The photo current characteristics of a ZnO NW, a HgTe NP thin film and pn diode constructed with a ZnO NW and a HgTe NP thin film were investigated under illumination of the 325 nm and 633 nm wavelength light. The conductivities of a ZnO NW exposed to the 325 nm and 633 nm wavelength light increased, while the photocurrents taken from the HgTe NP thin film was very close to the dark currents. Moreover, The pn diode exhibited the rectifying characteristics of the dark current and of the photocurrent excited by the 633 nm wavelength light. In contrast, the ohmic characteristics for the photocurrent were observed due to the junction barrier lowering in the conduction band of the ZnO nanowire under the illumination of the 325 nm wavelength light.
Airborne nanoparticle concentrations in three metrics (particle surface area concentration, particle number concentration, and particle mass concentrations) were measured by task in a laboratory making carbon nanotubes (CNTs) films using three direct reading instruments. Because of the conducted other researcher's experiment before the tasks, airborne nanoparticle surface area and number concentrations are the highest at the first time conducted weighing and mixing by sonication task, respectively. Because of the mist generated during mixing by sonication, the highest airborne nanoparticle surface area and PM1 concentrations were measured in the task among the total. Nanoparticle surface area concentrations at the researchers' breathing zones had high correlation (r=0.93, p<0.01) with those measured at an area in the laboratory. This result indicates that nanoparticles generated during the experiment contaminated the whole room air. When the experiment performed all the fume hoods weren't operated and making CNTs films task were conducted in the out of the fume hoods. In conclusion, researchers performing making CNTs film experiments were exposed to airborne nanoparticles generated during the experiment without adequate controls. We recommend that adequate controls should be implemented so that workers' exposures to airborne nanoparticle are limited to minimum levels.
박막 태양전지의 단락전류를 증가시키기 위해서는 투명전도 산화막의 표면 식각을 통한 광포획 특성 극대화가 중요하며, 일반적으로 스퍼터링법으로 제작된 투명전도 산화막의 표면 식각은 HCl solution을 이용한다. 본 연구는 투면전도 산화막 증착시 seed로 작용할 수 있는 colloidal 형태의 nanoparticle을 유리기판에 형성한 뒤 rf-magnetron sputtering 법을 이용하여 ZnO:Al(AZO) 투명전도 산화막을 증착하여 광학 전기적 특성 변화를 분석하였다. Nanoparticle을 사용하여 제조된 AZO 박막은 nanoparticle의 확산에 의한 전자농도의 향상이 보였으나, 이동도의 감소로 인해 전기적 특성에 큰 변화는 없었다. 반면 AZO 박막의 표면형상이 nanoparticle로 인해 변하여 박막의 광 포획을 위한 안개도가 향상됨을 확인 할 수 있었으며, 이로 인해 표면 형상 제어를 통한 박막 태양전지 적용을 위한 투명전도 산화막을 제작할 수 있었다.
산화물 기반의 TFT (Thin Film Transistor) 는 유리, 금속, 플라스틱 등 기판 종류에 상관없이 균일한 제작이 가능하며, 상온 및 저온에서 대면적으로 제작이 가능하고, 저렴한 비용으로 제작 가능하다는 장점 때문에 최근 많은 연구가 이루어지고 있다. 현재 TFT 물질로 많이 연구되고 있는 산화물 중 가장 많은 연구가 이루어진 ZnO 기반의 TFT는mobility와 switching 속도에서 우수한 특성을 보이나, 트렌지스터의 안정성이 떨어지는 것으로 보고되고 있다. 그러나 a-IGZO의 경우 결정학적으로 비정질이며, 상온 및 저온에서 대면적으로 제작이 가능하고, 높은 전자 이동도의 특성을 가지고 있는 장점 때문에 최근 차세대 산화물 트렌지스터로 각광받고 있다. IGZO 물질의 경우 s 오비탈의 중첩으로 인해 높은 전자 이동도의 특성을 가지며, IGZO 물질 내 전자의 이동은 IGZO의 조성과 구조적 특성에 영향을 받는다. IGZO 물질의 구성 성분은 $In_2O_3$, $Ga_2O_3$, ZnO 성분으로 이루어져 있으며, $In_2O_3$의 경우 주로 carrier 를 생성하고 IGZO TFT의 mobility를 향상시키는 물질로 알려져 있다. 본 연구에서는 $In_2O_3$ nanoparticle의 density를 조절하여 첨가함으로써 IGZO TFT 소자 특성에 미치는 평가를 진행하였다. $In_2O_3$ nanoparticle의 density변화에 따른 interparticle spacing과 IGZO계면 사이의 미세구조와 전기적인 특성간의 상관관계를 연구하기 위하여 IGZO TFT 특성은 HP 4145B 측정을 통하여 확인하였고, $In_2O_3$ nanoparticle의 분포와 결정성은 AFM과 XRD, TEM을 통해 분석하고 In2O3 nanoparticle의 유무에 따른 IGZO channel 층의 조성 변화를 STEM과 AES를 통해 비교 및 분석하였다.
블록공중합체와 나노입자로 이루어진 박막은 많은 관심을 불러 일으켜 왔다. 그리고, 이 혼성체들의 물성과 거동을 조절하기 위해서 다양한 방법이 접근되어 왔다. 본 연구에서는, 블록 공중합체와 나노입자로 이루어진 복합체를 박막 형태로 제조한 후, 이를 전기장에 조사하여 박막 내부 구조의 변화와 거동을 살펴보고자 한다. 본 실험에서는 폴리스티렌과 폴리(2-비닐피리딘)으로 구성된 블록공중합체를 사용하였고, 영구 쌍극자를 포함하는 CdSe 나노 입자를 그 속에 도입하였다. 이를 스핀코팅을 통해 박막 형태로 제조하였고, 전기장을 조사하여 전자현미경 방법으로 내부의 구조변화를 고찰하였다. 결과적으로 도입된 나노입자는 전기장에 의해 부여된 힘에 영향을 거의 받지 않고 블록공중합체의 내부에 존재하였으며, 공중합체의 내부 미세상은 전기장의 영향을 받아 전기장 방향으로 배향하였다. 이는 향후 이종으로 구성된 나노복합체의 전기장 하에서의 거동을 파악하는 데 도움이 될 것이다.
Choi, Hyung-Y.;Guerrero, Michael S.;Aquino, Michael;Kwon, Chu-Hee;Shon, Young-Seok
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제31권2호
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pp.291-297
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2010
This article introduces a facile nanoparticle self-assembly/annealing method for the preparation of nanoisland films. First, nanoparticle-polymer multilayer films are prepared with layer-by-layer assembly. Nanoparticle multilayer films are then annealed at $~500^{\circ}C$ in air to evaporate organic matters from the films. During the annealing process, the nanoparticles on the solid surface undergo nucleation and coalescence, resulting in the formation of nanostructured gold island arrays. By controlling the overall thickness (number of layers) of nanoparticle multilayer films, nanoisland films with various island density and different average sizes are obtained. The surface property of gold nanoisland films is further controlled by the self-assembly of alkanethiols, which results in an increased surface hydrophobicity of the films. The structure and characteristics of these nanoisland film arrays are found to be quite comparable to those of nanoisland films prepared by vacuum evaporation method. However, this self-assembly/annealing protocol is simple and requires only common laboratory supplies and equipment for the entire preparation process.
We investigated the fabrication of Si nanoparticle and $C_{60}$ thin films by pulsed laser ablation. As a result, we observed visible green photoluminescence spectra in the Si/C$_{60}$ multilayer films after laser annealing. It is considered that this green photoluminescence is occurred from SiC particles, which is produced reaction of Si nanoparticles with $C_{60}$ via laser annealing.ing.
Kim, Bong-Jin;Kim, Hyung-Jun;Jung, Sung-Mok;Yoon, Tae-Sik;Kim, Yong-Sang;Choi, Young-Min;Ryu, Beyong-Hwan;Lee, Hyun-Ho
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.1494-1495
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2009
Thin Film Transistor(TFT) having CIS (CuInSe) semiconductor layer was fabricated and characterized. Heavily doped Si was used as a common gate electrode and PECVD Silicon nitride ($SiN_x$) was used as a gate dielectric material for the TFT. Source and drain electrodes were deposited on the $SiN_x$ layer and CIS layer was formed by a direct patterning method between source and drain electrodes. Nanoparticle of CIS material was used as the ink of the direct patterning method.
한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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pp.724-726
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2007
We have developed the synthesis method to reduce the surface oxide layer in Cu nanoparticle, which is based on controlling the molecular weight of capping polymer. In addition, we demonstrated how the variation of oxide layer thickness influences the resistivity of conductive Cu film.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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