• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2003년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.656-659
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• 2003

Although Hereafter a mass production will claim for patterning nano sized thickness or line in micro-nano industry. existent lithography fabrication has many usable fields, it has complex fabrication steps, expensive values and row work rates. Development of Dip-pen type nano plotter using polymer actuator can construct row cost mass production system because it will change existent lithography fabrication more simple and easy.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2012년도 추계학술대회 논문집
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• pp.135-136
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• 2012

• 한국정밀공학회지
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• 제25권3호
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• pp.7-14
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• 2008

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.895-896
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• 2009

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제33권4호
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• pp.1117-1118
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• 2012

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2006년도 춘계학술발표대회 및 제10회 신소재 심포지엄 논문개요집
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• pp.39.1-39.1
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• 2006

• 한국레이저가공학회지
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• 제16권4호
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• pp.1-6
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• 2013

Femtosecond laser patterning of ITO on a touch screen panel with a shaped fs laser beam was investigated. A quasi flat-top beam was formed using a variable mask and a planoconvex lens. The spatial profile of the original Gaussian beam and the shaped beam were monitored by a CCD beam profiler. The laser patterned ITO film was examined using an optical microscope, Scanning Electron Microscope (SEM) with Energy Dispersive X-ray Spectroscopy (EDS), and Atomic Force Microscope (AFM). It turned out that the quality of the ITO pattern fabricated by a shaped beam is superior to that of the pattern without beam shaping in terms of debris generation, height of the craters, and homogeneity of the bottom. Optimum processing window was determined at the laser irradiance exhibiting 100% removal of Sn. The removal rate of In was measured to be 83%.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2005년도 추계학술대회 논문집
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• pp.330-333
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• 2005

The fabrication of mold fur nano imprint lithography (NIL) is experimentally reported using the scanning probe lithography (SPL) technique, instead of the conventional I-beam lithography technique. The nanometer scale patterning structure is fabricated by the localized generation of oxide patterning on the silicon (100) wafer surface with a thin oxide layer, The fabrication method is based on the contact mode of scanning probe microscope (SPM) in air, The precision cleaning process is also performed to reach the low roughness value of $R_{rms}=0.084 nm$, which is important to increase the reproducibility of patterning. The height and width of the oxide dot are generated to be 15.667 nm and 209.5 nm, respectively, by applying 17 V during 350 ms.

• 한국분말재료학회지
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• 제20권2호
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• pp.120-124
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• 2013

This study is carried out to develop the new process for the fabrication of ultra-fine electrodes on the flexible substrates using superhydrophobic effect. A facile method was developed to form the ultra-fine trenches on the flexible substrates treated by plasma etching and to print the fine metal electrodes using conductive nano-ink. Various plasma etching conditions were investigated for the hydrophobic surface treatment of flexible polyimide (PI) films. The micro-trench on the hydrophobic PI film fabricated under optimized conditions was obtained by mechanical scratching, which gave the hydrophilic property only to the trench area. Finally, the patterning by selective deposition of ink materials was performed using the conductive silver nano-ink. The interface between the conductive nanoparticles and the flexible substrates were characterized by scanning electron microscope. The increase of the sintering temperature and metal concentration of ink caused the reduction of electrical resistance. The sintering temperature lower than $200^{\circ}C$ resulted in good interfacial bonding between Ag electrode and PI film substrate.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제7권6호
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• pp.1047-1055
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• 2006

필드이온빔(FIB) 가공기를 써서 초고강도의 벌크다이아몬드를 가공하기 위해 이온 소오스의 종류와 가공 조건에 따른 나노급 미세 선폭의 최적조건을 알아보고 이에 근거한 2차원적인 텍스트의 가공과 3차원적인 박막요소의 가공을 시도하였다. 다이아몬드 기판과 실리콘 기판을 Ga과 $H_2O$ 소오스를 이용하는 FIB를 써서 30 kV 빔 전류를 10 pA $\sim$ 5 nA로 변화시키면서 패터닝하고 이때 각각 20 ${\mu}m$ 길이로 생성되는 선형 패턴의 선폭, 깊이, 에치속도, 에치형상, 깊이선폭비 (aspect ratio)를 확인하였다. 다이아몬드도 실리콘 기판과 마찬가지로 나노급 패턴의 형성이 가능하였다. $H_2O$ 소오스를 채용한 경우가 에치 깊이가 2배 정도 증가하였으며 동일한 가공 조건에서는 실리콘에 비해 다이아몬드의 에치 선폭이 감소는 경향이 있었다. 특히 다이아몬드는 절연성 때문에 차지가 축적되어 가공 중 이온빔이 불안정해지는 문제가 있었으나 차지 중화 모드를 이용하여 성공적으로 sub-100 nm급 선폭의 미세 가공이 가능하였다. 확인된 선폭가공 조건에 근거하여 2차원적으로 0.3carat의 보석용 다이아몬드의 거들부에 300여개의 글자를 FIB를 활용하여 선폭 240 nm정도로 명확히 기록하는 것이 가능하였다. $Ga^+$이온과 30 eV-30 pA로 조건에서 비교적 넓은 선폭과 Z축 depth 고정범위에서 많은 개인정보의 기록이 영구적으로 가능하였으며 전자현미경으로 재생이 가능하였다. 3차원적으로 두께 $1{\mu}m$의 박막요소를 FIB가공과 백금 용접으로 떼어낸 후 FIB가공으로 두께가 100 nm가 되도록 한 후 투과전자현미경을 이용하여 성분 분석을 하는 것이 성공적으로 수행될 수 있었다.