• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권6호
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• pp.384-392
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• 2003

집적회로용 NPN BJT의 베이스-컬렉터간 역방향 항복전압 추출 알고리즘을 제시한다. 모의실험 시간을 최소화할 수 있는 3차원 메쉬 생성 방법을 제시하고 포아송 방정식의 해를 이용하여 역방향 항복전압을 구하는 방법을 제시한다. 제시된 방법의 타당성을 검증하기 위해 20V 공정과 30V 공정을 기반으로 제작된 집적회로용 NPN BJT의 베이스-컬렉터간 역방향 항복전압을 실측치와 비교한 결과 20V 공정을 이용한 NPN BJT는 8.0%의 평균상대오차를 보였으며 30V 공정을 이용한 NPN BJT는 4.3%의 평균 상대오차를 보였다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제52권2호
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• pp.67-73
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• 2003

The algorithm (or calculating the base-collector breakdown voltage of NPN BJT(Bipolar Junction Transistor) for integrated circuits is Proposed. The method for calculating the electric field using the solution of Poisson's equation is presented and the method for calculating the breakdown voltage using the integration of ionization coefficients is presented. The base-collector breakdown voltage of NPN BJT using 20V process obtained from the proposed method shows an averaged relative error of 8.0% compared with the measured data and the base-collector breakdown voltage of NPN BJT using 30V process shows an averaged relative error of 4.3% compared with the measured data

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권4호
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• pp.13-20
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• 2003

반도체 소자이론에 근거한 집적회로용 BJT의 역포화 전류 모델을 제시한다. 공정 조건으로부터 베이스 영역의 불순물 분포를 구하는 방법과 원형 에미터 구조를 갖는 Lateral PNP BJT와 Vertical NPN BJT의 베이스 Gummel Number를 정교하게 계산하는 방법을 제시한다. 제안된 방법의 타당성을 검증하기 위해 20V와 30V 공정을 기반으로 제작한 NPN BJT와 PNP BJT의 역포화 전류를 실측치와 비교한 결과, NPN BJT는 6.7%의 평균상대오차를 보이고 있으며 PNP BJT는 6.0%의 평균 상태오차를 보인다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제25권4호
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• pp.417-421
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• 1988

In order to analyze the blooming suppression mechanism of a MOS image sensor, test photodiodes have been fabricated and characterized by attaching a source follower circuit. The blooming suppression ability of npn structure compared to that of np structure is quantitatively analyzed and measured by experiment. The dependency of the blooming current on the substrate voltage, the vertical MOS gate voltage and the video voltage is measured and the optimum condition for blooming suppression is presented.

• 대한전자공학회논문지
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• 제3권4호
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• pp.25-32
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• 1966

실리콘 프래너 npn 트랜지스터를 시작하였다. 이 시작트랜지스터들은 베이스에 보론 확산을 한다음 drive in 시간을 변화시켜서 3종류의 Sample을 얻었다. 이들 특성은 아래와 같다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1998년도 추계학술대회 논문집
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• pp.5-8
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• 1998

기존의 바이폴라 논리회로에서 신호변환시 베이스 영역의 소수 캐리어를 빨리 제거 하기 위해서, 베이스 부분의 매몰충을 줄여서 npn트랜지스터의 베이스와 에피충과 기판사이에 병합 pnp 트랜지스터를 생성한 트랜지스터와 게이트 당 전달 지연 시간을 측정하기 위한 링-발진기를 설계, 제작하였다. 게이트의 구조는 수직 npn 트랜지스터와 기판과 병합 pnp 트랜지스터이다. 소자 시뮬레이션의 자료를 얻기 위하여 수직 npn 트랜지스터와 병합 pnp 트랜지스터의 전류-전압 특성을 분석하여 특성 파라미터를 추출하였다. 결과로서 npn 트랜지스터의 에미터의 면적이 기존의 접합넓이에 비해서 상당히 적기 때문에 에미터에서 진성베이스로 유입되는 캐리어와 가장자리 부분으로 유입되는 캐리어가 상대적으로 많기 때문에 이 많은 양은 결국 베이스의 전류가 많이 형성되며, 또 콜렉터의 매몰층이 거의 반으로 줄었기 때문에 콜렉터 전류가 적게 형성되어 이득이 낮아진다. 병합 pnp 트랜지스터는 베이스폭이 크고 농도 분포에서 에미터의 농도와 베이스의 농도 차이가 적기 때문에 전류 이득이 낮아졌다. 게이트를 연결하여 링-발진기를 제작하여 측정한 AC특성의 출력은 정현파로 논리전압의 진폭은 200mV, 최소 전달 지연시간은 211nS이며, 게이트당 최소 전달지연 시간은 7.26nS의 개선된 속도 특성을 얻었다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제16권2호
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• pp.7-14
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• 1979

Integrated Injecton Logic의 설계를 npn transistor 의 상향전류증폭율, βu 을 중심으로 하여 검토하였다. I2L 기본회로의 DC, AC특성과 npn transistor의 베이스 전류성분을 측정하기 위하여 test structure를 제작하였으며 또한 I2L T flip-flop도 설rP, 제작하였다. 제작된 test structure의 특성은 βe가 10, speed-power product가 2.6p.J/gate, 최소 전달지연 시간이 36 nsec 였으며 T flip-flop은 3.5 MHz 까지 동작하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.137-140
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• 2002

The algorithm for calculating the base-collector breakdown voltage of NPN BJT(Bipolar Junction Transistor) for integrated circuits is proposed. The method for calculating the electric field using the solution of Poisson's equation is presented and the method for calculating the breakdown voltage using the integration of ionization coefficients is presented. The base-collector breakdown voltage of NPN BJT using 20V process obtained from the proposed method shows an averaged relative error of 8.0% compared with the measured data.

• 대한핵의학회지
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• 제2권1호
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• pp.27-41
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• 1968

The ferrokinetics and red cell life spans of the patients with chronic glomerulonephritis were investigated by the double tracing method using radioactive iron ($^{59}Fe$) and chromium ($^{51}Cr$). According to the serum NPN levels, the patients were subdivided into 3 groups: Group 1. 6 patients, had the levels below 40 mg/dl Group 2. 6 patients, had the levels between 41 mg/dl to 80 mg/dl Group 3. 10 patients, had the levels above 80 mg/dl The results were as follows: 1) Red blood cell-, hematocrit- and hemoglobin values were moderately reduced in patients with normal serum NPN levels, while markedly reduced in patients with elevated serum NPN levels. 2) The plasma volume was increased, while the red cell volume was decreased in patients with elevated serum NPN levels, hence, total blood volume was unchanged. 3) The serum iron level was slightly reduced h patients of groups 1 and 2, while was within the normal ranges in patients of group 3. 4) i) In patients with normal serum NPN levels, the plasma iron disappearance rate, red cell iron utilization rate, red cell iron turnover rate, daily red cell iron renewal rate, circulating red cell iron and red cell iron concentration were within the normal ranges, while the plasma iron turnover rate was slightly reduced. ii) In patients with elevated serum NPN levels, the plasma iron disappearance rate was delayed, while the plasma iron turnover rate was within the normal ranges. The red cell iron utilization rate, red cell iron turnover rate and circulating red cell iron were decreased and the period in which the red cell iron utilization rate reachd its peak was delayed in Group 3 patients. The daily red cell iron renewal rate and the red cell iron concentration were unchanged. iii) The mean red cell life span was within the normal ranges in patients with normal serum NPN levels, while was shortened in patients with elevated serum NPN levels.

• 한국산업정보학회논문지
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• 제19권2호
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• pp.37-43
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• 2014

본 논문에서는 대부분의 선형 집적회로와 집적 주입 논리 회로에 넓게 사용되고 있는 NPN 트랜지스터의 에미터 면적의 크기에 대한 순방향 전류 이득의 영향에 대해 연구하였다. 순방향 전류이득과 에미터 면적 사이의 관계를 실험과 시뮬레이션을 통해 확인하였다. 같은 에미터 길이에서 에미터 접합 깊이가 증가 할수록 에미터 전류 이득은 감소하였다. 측면 면적에 비해 에미터 바닥 면적 비율이 증가할수록 에미터 전류이득은 증가하였다. 이론과 시뮬레이션의 결과는 실험결과와 함께 아주 잘 일치하였다.