• 한국환경보건학회지
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• 제27권1호
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• pp.93-99
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• 2001

This study aims at finding out pertinent reaction conditions for treating high concentration ammonia contained in N-chemical factory wastewater with decompressed ammonia stripping method that was designed. And it also tries to investigate adsorption capability of removed ammonia to soil. The results from experiments are as follows ; 1. The removal rate of N $H_3$-N of synthetic wastewater was under 85% at pH 10 with decompressed ammonia stripping method. The reaction time in pressure 360 mmHg at pH 11 and 12 was shorter than in 460 mmHg, and the removal rate of N $H_3$-N with decompressed ammonia stripping method at 9$0^{\circ}C$ was 11~15% higher than air stripping 2. The optimum conditions for decompressed ammonia stripping with synthetic sample were shown as pH 12, temperature 9$0^{\circ}C$, internal reaction pressure 460 mmHg and reaction time 50 minutes. These conditions were applied to treat the wastewater containing organic-N 290.5mg/$\ell$, N $H_3$-N 168.9mg/$\ell$, N $O_2$-N 23.2mg/$\ell$, N $O_3$-N 252.4mg/$\ell$, T-N 735mg/$\ell$. Organic-N turned out to be removed 60%, the removal rate of N $H_3$-N IS 94%, T-N is 50%. But N $O_2$-N and N $O_3$-N were increased with 7.8% and 14.9% respectively. 3. The CO $D_{Sr}$ removal rate in decompressed ammonia stripping reaction was 42% and S $O_4$$^{2-}$ was removed 8.2%. It was turned out caused with higher pH and thermolysis. 4. In soil adsorption of ammonia desorbed from the decompressed stripping process of wastewater, the recovery rate was 76% in wet soil.

• 한국결정성장학회지
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• 제12권6호
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• pp.283-287
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• 2002

초고집적 반도체 회로에서 Cu를 배선으로 쓰이기 위한 Cu 금속과 Si 기판사이의 확산방지막으로써 Zr(Si)N 박막을 연구하였다. Zr(Si)N 박막증착은 DC magnetron sputter으로 $Ar/N_2$의 혼합 gas를 사용한 reactive sputtering 방법을 이용하였다. 상온에서 ZrN 박막 증착시 Ar gas와 NE gas 비율이 48 : 2일 때 가장 낮은 비저항값을 가졌으며, 증착시 기판의 온도의 증가에 따라서 비저항값이 낮아졌다. 비저항값이 감소된 ZrN 박막일수록 (002)면의 방향성을 갖는 결정이 성장되었다. ZrN 박막의 Cu 확산방지 특성은 ZrN 박막에 Si을 첨가함으로써 개선될 수 있으며 지나치게 첨가될 경우에는 오히려 확산방지 특성이 감소되었다. 접착력 특성에서는 ZrN에 Si의 함유량이 증가함에 파라 개선되었다. 증착막의 특성은 XRD, 광학 현미경, scretch tester 그리고 $\alpha$-step 등을 사용하여 분석하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제13권5호
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• pp.235-240
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• 2003

대면적 GaN 기판재료의 개발은 GaN 계열의 응용 가능성을 확대하기 위한 중요한 과제중 하나이다. 이러한 가능성을 조사하고자 본 연구에서는 seed 기판으로 MOCVD-GaN 박막과 소스 물질로서 상업용 GaN 분말을 이용하여 승화법에 의해 GaN 후막 성장을 시도하였다. 일정한 $N_2$ gas와 $NH_3$ gas 유량으로 성장실의 압력을 대기압으로 유지할 때 후막성장에 대한 승화소스물질과 seed 기판 사이의 거리, 상ㆍ하부 히터의 온도, 성장시간 등의 영향들을 연구하였다. 성장된 GaN후막은 SEM 및 XRD등을 이용하여 후막성장 형태 및 구조를 관찰하였고 상온에서 PL특성측정을 통하여 후막의 광학적인 밴드갭 및 결함 등을 조사하였다. 이로부터 양호한 GaN 후막성장에 필요한 공정요소로서 소스와 seed 기판 간 거리, 상ㆍ하부 히터의 온도 및 성장시간 등의 조건들을 정할 수 있었다.

• 공업화학
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• 제19권1호
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• pp.59-65
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• 2008

비이온 계면활성제 $C_{12}E_8$ 마이셀에 의한 이성분 탄화수소 오일 혼합물 시스템의 가용화도(equilibrium solubilization capacity)를 $23^{\circ}C$에서 기체 크로마토그래피(GC)를 이용하여 측정하였다. 단일 성분의 탄화수소 오일 가용화도는 탄화수소 오일의 탄소수(ACN)가 증가함에 따라 거의 선형적으로 감소하였다. 한편 탄화수소 오일의 이성분 시스템은 사용한 두 탄화수소 오일의 탄소수(alkane carbon number, ACN) 차이에 따라 선택적 가용화 혹은 비선택적 가용화 경향을 나타내었다. 본 연구에서 가용화도 실험을 수행한 n-octane/n-nonane, n-nonane/n-decane과 n-decane/n-undecane 혼합물 시스템과 같이 이성분 탄화수소 혼합물의 탄소수 차이가 1인 경우에는 비선택적(non-selective) 가용화 경향을 나타내었다. 반면에 n-octane/n-decane과 n-octane/n-undecane 혼합물 시스템과 같이 탄소수 차이가 1보다 큰 경우에는 선택적(selective) 가용화 경향을 나타내었다.

• 대한수학회보
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• 제44권1호
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• pp.131-150
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• 2007

In this paper, we will define direct producted $W^*-porobability$ spaces over their diagonal subalgebras and observe the amalgamated free-ness on them. Also, we will consider the amalgamated free stochastic calculus on such free probabilistic structure. Let ($A_{j},\;{\varphi}_{j}$) be a tracial $W^*-porobability$ spaces, for j = 1,..., N. Then we can define the corresponding direct producted $W^*-porobability$ space (A, E) over its N-th diagonal subalgebra $D_{N}\;{\equiv}\;\mathbb{C}^{{\bigoplus}N}$, where $A={\bigoplus}^{N}_{j=1}\;A_{j}\;and\;E={\bigoplus}^{N}_{j=1}\;{\varphi}_{j}$. In Chapter 1, we show that $D_{N}-valued$ cumulants are direct sum of scalar-valued cumulants. This says that, roughly speaking, the $D_{N}-freeness$ is characterized by the direct sum of scalar-valued freeness. As application, the $D_{N}-semicircularityrity$ and the $D_{N}-valued$ infinitely divisibility are characterized by the direct sum of semicircularity and the direct sum of infinitely divisibility, respectively. In Chapter 2, we will define the $D_{N}-valued$ stochastic integral of $D_{N}-valued$ simple adapted biprocesses with respect to a fixed $D_{N}-valued$ infinitely divisible element which is a $D_{N}-free$ stochastic process. We can see that the free stochastic Ito's formula is naturally extended to the $D_{N}-valued$ case.

• Asian Journal of Atmospheric Environment
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• 제11권3호
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• pp.202-216
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• 2017

Nitrogen (N) is an essential macronutrient. Thus, evaluating its flows and stocks in rice paddy ecosystems provides important insights into the sustainability and environmental loads of rice production. Among the N sources of paddy fields, atmospheric deposition and irrigation inputs remain poorly understood. In particular, insufficient information is available for atmosphere-rice paddy exchange of gaseous and particulate reactive N (Nr, all N species other than molecular N) which represents the net input or output through dry deposition and emission. In this study, we assessed the N inputs via atmospheric deposition and irrigation to a Japanese rice paddy area by weekly monitoring for 2 years with special emphasis on gas and particle exchange. The rice paddy during the cropping season acted as a net emitter of ammonia ($NH_3$) to the atmosphere regardless of the N fertilizer applications, which reduced the effects of dry deposition to the N input. Dry N deposition was quantitatively similar to wet N deposition, when subtracting the rice paddy $NH_3$ emissions from N exchange. The annual N inputs to the rice paddy were 3.2 to $3.6\;kg\;N\;ha^{-1}\;yr^{-1}$ for exchange, 8.1 to $9.8\;kg\;N\;ha^{-1}\;yr^{-1}$ for wet deposition, and 11.1 to $14.5\;kg\;N\;ha^{-1}\;yr^{-1}$ for irrigation. The total N input, 22.8 to $27.5\;kg\;N\;ha^{-1}\;yr^{-1}$, corresponded to 38% to 55% of the N fertilizer application rate and 53% to 67% of the brown rice N uptake. Monitoring of atmospheric deposition and irrigation as N sources for rice paddies will therefore be necessary for adequate N management.

• 한국결정성장학회지
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• 제8권2호
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• pp.249-254
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• 1998

GaN계 재료의 습식 화학식각 특성과 광 화학 및 전기 화학 및 전기 화학 습식식각 특성을 연구하였다. n형 GaN는 상온에서 NaOH 수용액에 식각되었으며 식각두께는 식각시간에 선형적으로 증가하였다. 또 광 조사 및 전기 화학을 가할 경우 식각율은 수배로 증가하였으며, 식각율은 $1{\times}10^{19};cm^{-3}$의 전자농도를 갖는 시료에서 광 조사시 최대 164${\AA}$/min을 얻었다. n-GaN의 식각율은 GaN의 전자농도에 크게 의존하는 특성을 나타내었으며 이러한 식각과정을 논의하였다. $SiO_2$ 박막으로 덮여진 100${\mu}m{\times}100{\mu}m$ 모양의 옆 식각면은 방향성을 갖지 않고 수직하였으며, 넓은 면적에서 매우 평탄하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.249-249
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• 1999

GaN과 같은 III-nitride 반도체 관한 식각 기술의 연구는 blue-emitting laser diode(LD)를 위한 경면(mirror facet)의 형성뿐만아니라 새로운 display 용도의 light emitting diodes (LED), 고온에서 작동되는 광전소자 제조 등에도 그 중요성이 증대되고 있다. 최근에는 III-nitride 물질의 높은 식각속도와 미려하고 수직한 식각형상을 이루기 위하여 ECR(Electron Cyclotron Resonance)이나 ICP(Inductively Coupled Plasma)와 같은 고밀도 플라즈마 식각과 CAIBE(Chemically assisted ion beam etching)를 이용한 연구가 진행되고 있다. 현재 제조되어 지고 있는 LED 및 LD와 같은 광소자의 구조의 대부분은 p-GaN/AlGaN/InGaN(Q.W)/AlGaN/n-GaN 와 같은 여러 층의 형태로 이루어져 있다. 이중 InGaN는 광소자나 전자소자의 특성에 영향을 주는 가장 중요한 부분으로써 현재까지 보고된 식각연구는 undoped GaN에 대부분 집중되고 있고 이에 비해 소자 특성에 핵심을 이루는 InGaN의 식각특성에 관한 연구는 미흡한 상황이다. 본 연구에서는 고밀도 플라즈마원인 ICP 장비를 이용하여 InGaN를 식각하였고, 식각에는 Cl2/CH4, Cl2/Ar 플라즈마를 사용하였다. InGaN의 식각특성에 영향을 미치는 플라즈마의 특성을 관찰하기 위하여 quadrupole mass spectrometry(QMS)와 optical emission spectroscopy(PES)를 사용하였다. 기판 온도는 5$0^{\circ}C$, 공정 압력은 5,Torr에서 30mTorr로 변화시켰고 inductive power는 200~800watt, bias voltage는 0~-200voltage로 변화시켰으며 식각마스크로는 SiO2를 patterning 하여 사용하였다. n-GaN, p-GaN 층 이외에 광소자 제조시 필수적인 InGaN 층을 100% Cl2로 식각한 경우에 InGaN의 식각속도가 GaN에 비해 매우 낮은 식각속도를 보였다. Cl2 gas에 소량의 CH4나 Ar gas를 첨가하는 경우와 공정압력을 감소시키는 경우 식각속도는 증가하였고, Cl2/10%Ar 플라즈마에서 공정 압력을 감소시키는 경우 식각속도는 증가하였고, Cl2/10%CHF3 와 Cl2/10%Ar 플라즈마에서 공정압력을 15mTorr로 감소시키는 경우 InGaN과 GaNrks의 선택적인 식각이 가능하였다. InGaN의 식각속도는 Cl2/Ar 플라즈마의 이온에 의한 Cl2/CHF3(CH4) 플라즈마에서의 CHx radical 형성에 의하여 증가하는 것으로 사료되어 진다.

• Korean Journal of Mathematics
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• 제12권1호
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• pp.15-22
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• 2004

In this paper we establish some recurrence relations satisfied by quotient moments of upper record values from the power distribution. Let {$X_n$, $n{\geq}1$} be a sequence of independent an identically distributed random variables with a common continuous distribution function(cdf) $F(x)$ and probability density function(pdf) $f(x)$. Let $Y_n=max\{X_1,X_2,{\cdots},X_n\}$ for $n{\geq}1$. We say $X_j$ is an upper record value of {$X_n$, $n{\geq}1$}, if $Y_j$ > $Y_{j-1}$, $j$ > 1. The indices at which the upper record values occur are given by the record times {$u(n)$}, $n{\geq}1$, where $u(n)=min\{j{\mid}j>u(n-1),X_j>X_{u(n-1)},n{\geq}2\}$ and $u(1)=1$. Suppose $X{\in}POW(0,1,{\theta})$ then $$E\left(\frac{X^r_{u(m)}}{X^{s+1}_{u(n)}}\right)=\frac{\theta}{s}E\left(\frac{X^r_{u(m)}}{X^s_{u(n-1)}}\right)+\frac{(s-\theta)}{s}E\left(\frac{X^r_{u(m)}}{X^s_{u(n)}\right)\;and\;E\left(\frac{X^{r+1}_{u(m)}}{X^s_{u(n)}}\right)=\frac{\theta}{n+1}\left[E\left(\frac{X^{r+1}_{u(m-1)}}{X^s_{u(n+1)}}\right)-E\left(\frac{X^{r+1}_{u(m)}}{X^s_{u(n-1)}}\right)+\frac{r+1}{\theta}E\left(\frac{X^r_{u(m)}}{X^s_{u(n)}}\right)\right]$$.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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• pp.111-111
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• 2000

최근 질화물 반도체를 이용한 단파장 laser diode (LD)와 ultraviolet light emitting diode (LED)에 관한 관심의 증가로 인하여 AlGaN의 성장에 관한 연구가 많이 진행되고 있다. Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)법을 이용한 AlGaN 성장에 있어서는 Al의 전구체로 널리 사용되고 있는 trimethylaluminum (TMAl)과 암모니아와의 기상에서의 adduct 형성을 억제하기 위하여 주로 저압에서 성장을 하거나 원료 가스의 유속을 증가시키는 방법으로 연구가 되고 있다. 또한, AlN의 경우 GaN보다 녹는점이 매우 높기 때문에 일반적으로 Al을 포함하는 질화물 반도체의 성장에 있어서는 GaN보다 녹는점이 매우 높기 때문에 일반적으로 Al을 포함하는 질화물 반도체의 성장에 있어서는 GaN 성장 시보다 높은 온도에서 성장이 이루어지고 있다. MOCND법을 이용하여 AlGaN를 성장시키는 대부분의 연구들은 100$0^{\circ}C$ 이상의 고온에서의 성장 온도가 AlGaN특성에 미치는 영향에 대한 것으로 국한되고 있다. 그러나, InGaN/GaN multiple quantum wells (MQWs) 구조의 LD나 LED를 성장시키는 경우 In의 desorption을 억제하기 위하여 MQWs층 위에 저온에서 AlGaN를 성장하는 데 있어서 AlGaN의 성장 온도를 500-102$0^{\circ}C$로 변화시키면서 AlGaN의 성장거동을 고찰하였다. GaN는 사파이어 기판을 수소분위기하에서 고온에서 가열한 후 저온에서 GaN를 이용한 핵생성층을 성장하고 102$0^{\circ}C$의 고온에서 1.2$\mu\textrm{m}$정도의 두께로 성장하였다. AlGaN는 고온에서 성장된 GaN 위에 200Torr의 성장기 압력 하에서 trimethylgallium (TMGa)과 TMAl의 유속을 각각 70 $\mu$mol/min 으로 고정한 후 성장온도만을 변화시키며 증착하였다. 성장 온도가 낮아짐에 따라 AlGaN의 표면거칠기가 증가하고, 결함과 관련된 포토루미네슨스가 현저히 증가하는 것이 관찰되었다. 그러나, 성장온도가 50$0^{\circ}C$정도로 낮아진 경우에 있어서는 표면 거칠기가 다시 감소하는 것이 관찰되었다. 이러한 현상은 저온에서 표면흡착원자의 거동에 제한이 따르기 때문으로 생각되어진다. 또한, 성장 온도가 낮아짐에 따라 AlGaN의 성장을 저해하기 때문으로 판단된다. 성장 온도 변화에 따라 성장된 V의 구조적 특성 및 표면 거칠기 변화를 관찰하여 AlGaN의 성장 거동을 논의하겠다.