$NH_3$ 및 $N_2$ 활성기 처리를 통한 Poly-SiliconTFT의 전기적 안정도에 관한 연구
(Study on the Electrical Stability of poly-Si TFT through the Passivation Treatment with $NH_3$ or $N_2$ Precursors)
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- 대한전기학회:학술대회논문집
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- 대한전기학회 1996년도 하계학술대회 논문집 C
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- pp.1443-1445
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- 1996