• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1995년도 추계학술대회 논문집
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• pp.183-186
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• 1995

The fabrication of dielectric multilayer mirror(DMM) optimized at the wavelength of 1.55$\mu\textrm{m}$ and its spectral properties were investigated. The materials used in the fabrication of DMM are TiO$_2$-SiO$_2$, which have the advantage of yielding high reflectance for relatively small numbers of layers. The optical constants of TiO$_2$single film were obtained by using a modified envelope method. The reflectances of DMMs with 3,7,11 and 23 layers were 58%, 89%, 97% and 99.9% at the wavelength of 1.55$\mu\textrm{m}$, respectively.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2002년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.69-69
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• 2002

• 한국광학회지
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• 제31권4호
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• pp.169-175
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• 2020

격자의 구조가 간단하고 격자의 대조비가 낮은 SBC 시스템 구성을 위한 무편광 유전체 다층박막 회절격자를 설계하였다. SBC 방법으로 결합한 빔의 빔 품질을 높게 유지하기 위하여 회절격자의 파면 왜곡이 최소화되는 구조를 제안하였으며, 오염에 의한 흡수가 발생하지 않고 회절격자를 제작할 수 있는 구조로 회절격자를 최적화 설계하였다. 설계된 회절격자는 1055 nm 중심파장에서 Littrow 각도로 입사하는 경우 무편광 -1차 회절 효율이 99.36%이었으며, 96% 이상의 무편광 회절 효율을 나타내는 공정 여분이 확보되어 있음을 확인하였다.

• 한국방사선학회논문지
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• 제9권4호
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• pp.205-211
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• 2015

최근 의료영상기술에서 유방암 엑스선 진단기술의 주요 이슈는 정확한 조기암 진단과 환자의 피폭선량의 감소에 있다. 엑스선 영상대비도를 높이고 피폭선량을 줄이는 기술 중 하나로써 다층박막거울을 이용한 단색 엑스선을 획득하는 연구가 선행되어 왔다. 그러나 기존의 Uniform 다층박막거울은 거울면의 일부 반사영역에서만 원하는 파장대역의 단색 엑스선을 얻을 수 있어서 엑스선 영상기술 응용에 한계가 있다. 본 연구에서는 다층박막거울의 전 영역에 걸쳐 동일한 단색엑스선을 얻기 위해 거울에 입사하는 백색 엑스선의 입사각에 상응하는 선형적 기울기의 박막두께를 갖는 Graded 다층박막거울을 설계하였고, 기존 이온빔 스퍼터링 장치에 마스크 제어 장치를 추가 제작하여 $100{\times}100mm^2$ 크기로 제작하였다. 제작된 Graded 다층박막거울은 17.5keV의 단색 엑스선을 획득할 수 있도록 설계하였으며 박막두께주기는 2.88nm~4.62nm(Center 3.87nm)이다. 엑스선 반사율은 60% 이상이며, 단색 엑스선의 FWHM은 1.4keV 이하이고 엑스선 빔 폭은 3mm정도이다. 유방촬영에 적합한 몰리브덴 특성엑스선에 해당하는 17.5keV의 단색 엑스선을 얻음으로써 저선량 고감도 유방암 진단장치 개발에 응용할 수 있을 것으로 기대된다.

• 한국광학회지
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• 제13권6호
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• pp.515-520
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• 2002

광학 반사경에서 일어나는 입사광과 반사광의 광로정변화와 분위기변화와의 관계를 조사했다. 분위기 변화요소로는 기압, 온도, 습도 그리고 $CO_2$함유량 등을 예로 들었다. 이들의 변화에 따른 광로정 변화치의 측정기법을 개발하여 실험 결과로부터 광로정 변화치를 정량화할 수 있음을 보였으며. 습도변화가 광로정의 변화에 가장 큰 영향을 미친다는 것을 확인하였다.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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• 한국마이크로전자및패키징학회 2002년도 춘계 기술심포지움 논문집
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• pp.241-246
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• 2002

극자외선 노광공정(EUVL: Extreme Ultraviolet Lithography)은 반도체 공정에서 0.1$\mu\textrm{m}$ 이하의 해상도를 실현하기 위해 연구되고 있는 유력한 차세대 노장공정(NGL: Next Generation Lithography)이다. [1] 본 연구에서는 극자외선 노광공정에서 사용되는 반사형 다층박막 미러를 제조하기 위해서 직접 제작한 전산모사 도구를 이용하여 130~135$\AA$의 파장 영역에서 고반사도를 가지는 효율적인 다층박막의 구조인자를 예측하였으며, 그러한 구조인자를 실현하기 위해서 상온(~300K)에서 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 다층박막을 증착하였다. 증착조건 중에서, 공정압력에 따른 다층박막 계면 성장의 질적 의존성이 나타났으며, 결과적으로는 낮은 공정압력에서 더좋은 계면특성을 가지는 다층박막이 형성되었다. 다층박막의 구성물질로 Ru, Mo, Si을 사용하였으며, 다층박막의 구조분석은 high/low angle XRD, 단면 TEM images 등을 이용하여 분석되었다.

• 한국안광학회지
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• 제7권1호
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• pp.75-78
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• 2002

파장범위 620~820nm에서 반사가 큰 $TiO_2/SiO_2$ 33층 박박 mirror를 설계하고 전자 빔 증착 방법으로 제작하였다. 다층박막은 BK7 유리 기판에 연속적으로 증착하였다. 고반사박막 설계는 중심파장 ${\lambda}_0$ 주변에 stopband가 만들어지는 것과 같은, 고굴절률을 가지는 층($n_H$)과 저굴절률을 가지는 층($n_L$)을 반복해서 하였다. 입사각 $40^{\circ}{\pm}7^{\circ}$인 투과도 측정 스펙트럼에서 전체적으로 파장범위 620~820nm에서 99.9%의 반사를 보였다. 파장이 700~740nm에서 투과도가 큰 피크를 보였다.

• 한국광학회지
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• 제33권1호
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• pp.22-27
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• 2022

격자의 구조가 간단하고 격자의 대조비가 낮은 SBC 시스템 구성을 위한 무편광 유전체 다층박막 회절격자를 제작하였다. 제작된 박막의 굴절률과 두께 오차로 인하여, 제작된 회절격자의 회절 효율은 설계보다 낮은 값을 나타내었다. 오차를 발생시킨 원인을 분석하고, 제작된 회절격자 위에 추가의 코팅을 통하여 회절 효율 보정이 가능함을 시뮬레이션을 통하여 확인하였다. 시뮬레이션 결과를 확인하기 위하여 제작된 회절격자 위에 Ta₂O₅ 추가층을 제작하고 회절격자를 측정한 결과 회절 효율 보상이 이루어졌으며, 최고 91.7%의 무편광 회절 효율을 얻었다.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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• 한국마이크로전자및패키징학회 2001년도 추계 기술심포지움
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• pp.213-216
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• 2001

극자외선영역의 빛에대한 Mo/Si 반사형 다층 박막 미러를 스퍼터링 시스템으로 증착하여, 특성을 평가한 결과 3mTorr의 낮은 공정 압력에서 최적의 구조인자를 가진 다층 박막을 증착할 수 있었다. TEM, low angle XRD peak, 반사도 그래프로부터 다층 박막의 구조인자를 분석하였으며, 특히 low angle XRD peak로부터 다층박막의 d-spacing, 층간 두께 uniformity에 대한 정보 및 광학적 정보를 간접적으로 분석할 수 있었다. 최대 반사도는 12.7nm 파장에서 약 53%였으며, low angle XRD에서 추출한 d-spacing 값이 TEM 이미지에서 측정한 값보다 더 정확한 값을 얻을 수 있었다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제9권4호
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• pp.13-18
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• 2010

Extreme ultraviolet (EUV) lithography using 13.5 nm wavelengths is expected to be adopted as a mass production technology for 32 nm half pitch and below. One of the new issues introduced by EUV lithography is the shadowing effect. Mask shadowing is a unique phenomenon caused by using mirror-based mask with an oblique incident angle of light. This results in a horizontal-vertical (H-V) biasing effect and ellipticity in the contact hole pattern. To minimize the shadowing effect, a refilled mask is an available option. The concept of refilled mask structure can be implemented by partial etching into the multilayer and then refilling the trench with an absorber material. The simulations were carried out to confirm the possibility of application of refilled mask in 32 nm line-and-space pattern under the condition of preproduction tool. The effect of sidewall angle in refilled mask is evaluated on image contrast and critical dimension (CD) on the wafer. We also simulated the effect of refilled absorber thickness on aerial image, H-V CD bias, and overlapping process window. Finally, we concluded that the refilled absorber thickness for minimizing shadowing effect should be thinner than etched depth.