• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제13권5호
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• pp.426-430
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• 2000

We have studied the field emission characteristics of multi-layered diamond-like-carbon (DLC) films deposited by vertical electrodes type plasma enhanced chemical vapor deposition with CH$_4$ and H$_2$ mixture. We deposited a thin layer of DLC on the p$^{+}$-Si substrate and then turned off plasma before another deposition of a new DLC layer. The thickness and the number of DLC layers are varied. The emission characteristics of multi-layered DLC films were compared with conventional one. The multi-layered DLC film shows higher emission current than conventional one.e.

• 한국응용과학기술학회지
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• 제32권2호
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• pp.232-239
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• 2015

화학기상증착법(CVD)을 이용하여 Cu-foil 위에 합성된 대면적의 단층 그래핀(Graphene)을 폴리머 탄성융합체 PDMS(Polydimethylsiloxane)를 이용하여 건식으로 전사하는 기술을 연구하였다. 이때, $UV/O_3$처리를 통해 목표 기판(target substrate)의 표면 개질을 변화시켜 그래핀의 손상이 최소화되로록 그래핀을 전사하였다. 이 과정을 반복 실행하여 그래핀을 다층(1~4 layers)으로 $SiO_2/Si$기판 위에 적층하였으며, 전사된 다층 그래핀의 품질평가를 위하여 광투과율과 면저항의 변화를 측정하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 추계학술대회 논문집 Vol.16
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• pp.473-476
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• 2003

This paper shows necessity of encapsulation layer to maximite flexibility of brittle indium-tin-oxide (ITO) on polymer substrates. And, Young's modulus (E) of encapsulation layer have an significant effect on external bending stress and the coefficient of thermal expansion (CTE) of that have a significant effect on internal thermal stress. To compare magnitude of total mechanical stress including both bending stress and thermal stress, the mechanical stress of triple-layer structure (substrate / ITO / encapsulation layer or substrate / buffer layer / ITO) can be quantified and numerically analyzed through the farthest cracked island position. As a result, it should be noted that multi-layer structures with more elastic encapsulation material have small mechanical stress compared to that of buffer and encapsulation structure of large Young's modulus material when they were externally bent.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제20권5호
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• pp.63-70
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• 2020

본 논문에서는 35 GHz 대역의 군 탐색기용 송수신 모듈을 설계 및 제작하였다. 밀리미터파 대역의 기판 성능과 집적도를 높이기 위해, 4층 액정 폴리머 기판을 개발하였다. 4층 액정 폴리머 기판은 3장의 FCCL 기판과 2장의 접착층으로 구현되었으며, 적층을 위해 기판간의 녹는 점 차이를 이용한 공정을 이용하였다. 스트립선로와 마이크로스트립 선로를 이용하여 기판의 길이에 따른 전송손실을 확인하였고, 35 GHz 대역의 전력분배기를 통해 액정폴리머 기판의 성능을 검증하였다. 이러한 기판을 이용하여 전력증폭기와 저잡음증폭기와 같은 송수신모듈을 구성하는 개별 블록에 대한 성능을 확인한 후, 단일 채널 Ka대역 송수신모듈을 4층 액정 폴리머 기판을 이용하여 개발하였다. 제작한 송수신모듈의 송신출력은 펄스 Duty 10%에서 1.1W 이상, 수신 잡음지수는 8.5 dB 이하, 수신 이득은 17.6 dB 이상의 수신 특성을 갖는다.

• 한국결정성장학회지
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• 제27권6호
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• pp.282-288
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• 2017

본 논문에서는 광전 음극 이미지 센서로 사용될 수 있는 광소자용 재료로 III-V 족 화합물 반도체인 GaAs/AlGaAs 다층 구조를 LPE(Liquid Phase Epitaxy) 방법에 의해 성장하였다. n형 GaAs 기판 위에 수십 nm의 GaAs 완충층을 형성 한 후 Zn가 도핑된 p-AlGaAs 에칭 정지 층(etching stop layer)과 Zn가 도핑된 p-GaAs 층 그리고 Zn가 도핑된 p-AlGaAs 층을 성장하였다. 성장된 시료의 특성을 조사하기 위하여 주사전자현미경(SEM)과 이차이온질량분석기(SIMS) 그리고 홀(Hall) 측정 장치 등을 이용하여 GaAs/AlGaAs 다층 구조를 분석하였다. 그 결과 $1.25mm{\times}25mm$의 성장 기판에서 거울면(mirror surface)을 가지는 p-AlGaAs/p-GaAs/p-AlGaAs 다층 구조를 확인할 수 있었으며, Al 조성은 80 %로 측정 되었다. 또한 p-GaAs층의 캐리어 농도는 $8{\times}10^{18}/cm^2$ 범위까지 조절할 수 있음을 확인하였다. 이 결과로부터 LPE 방법에 의해 성장된 p-AlGaAs/p-GaAs/AlGaAs 다층 구조는 광전 음극 이미지 센서의 소자로서 이용될 수 있을 것으로 기대한다.

• 대한금속재료학회지
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• 제48권1호
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• pp.90-100
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• 2010

Micro-conductive patterns were microfabricated on an insulating substrate ($SiO_2$) surface by a selective electroless nickel plating process in order to investigate the formation of seed layers. To fabricate micro-conductive patterns, a thin layer of metal (Cu.Cr) was deposited in the desired micropattern using laser-induced forward transfer (LIFT). and above this layer, a second layer was plated by selective electroless plating. The LIFT process. which was carried out in multi-scan mode, was used to fabricate micro-conductive patterns via electroless nickel plating. This method helps to improve the deposition process for forming seed patterns on the insulating substrate surface and the electrical conductivity of the resulting patterns. This study analyzes the effect of seed pattern formation by LIFT and key parameters in electroless nickel plating during micro-conductive pattern fabrication. The effects of the process variables on the cross-sectional shape and surface quality of the deposited patterns are examined using field emission scanning electron microscopy (FE-SEM) and an optical microscope.

• 한국결정성장학회지
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• 제26권3호
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• pp.89-94
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• 2016

본 연구에서는 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)를 이용하여 각각 다른 V/III ratio를 가지는 multi-step의 성장 시간 변화에 따라 r-plane 사파이어 위에 성장되는 a-plane GaN 에피층의 결정성에 대하여 연구하였다. 또한 이번 연구의 결과를 선행 연구에서 single-step으로 r-plane 사파이어 위에 성장시킨 a-GaN 에피층의 결과와 비교하였다. Multi-step으로 r-plane 사파이어 위에 a-plane GaN 에피층을 성장시켰을 때, source HCl의 유량과 성장 시간이 증가함에 따라 a-plane GaN 에피층에 대한 rocking curve의 FWHM(Full Width at Half Maximum) 값이 감소하였다. 높은 source HCl의 유량을 갖는 first step과 second step의 성장 시간과 source HCl의 유량이 증가할수록 a-plane GaN 에피층 내부의 void가 감소하였다. 결과적으로 first step과 second step의 성장 시간이 가장 긴 조건에서 성장된 a-plane GaN 에피층이 가장 낮은 FWHM 값인 584 arcsec을 가지며, azimuth angle의 의존도가 가장 적은 것으로 확인되었다.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제10권3호
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• pp.186-189
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• 2010

Reflection(R($\omega$)), transmission(T($\omega$)) and loss(L($\omega$)) characteristics of multi-layer metamaterials are investigated experimentally in free space with the incident EM waves perpendicular to the substrate plane. The sample is made of split-ring resonators(SRRs) and wires which are the typical model of metamaterials. The R($\omega$) and T($\omega$) of multi-layer metamaterials have been calculated from the measured S-parameters. In this paper, we got the impedance-matched result according to the curves of R($\omega$), meanwhile the T($\omega$) decreased with increasing number of layers. At last, we attained the result that the L($\omega$) gets to nearly 98% around 8 GHz, with R($\omega$)=T($\omega$)=0. The design presented in this paper achieves experimented loss near unity.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 학술대회 논문집 전문대학교육위원
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• pp.49-51
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• 2002

In this thesis, Josephson junction using high-Tc superconducting multi-layer thin film has been fabricated by on-axis RF magnetron sputtering method. And, the characterizations were performed by X-ray diffraction, SEM and the measuring system of critical current density. The physical properties of multi-layer superconducting thin films were also analyzed with the measured results. To fabricate the multi-layer superconducting thin films, the optimum partial pressure of Argon and Oxgen and the temperature of substrate were measured. Also, YBaCuO thin film was grown on MgO and $SrTiO_3$ substrates by rf-sputtering and LGO thin film of 30 A was epitaxially grown on the YBaCuO thin film as a josephson junction with the same condition. The schottky barrier at the contact surface between YBaCuO/LGO and YBaCuO/Au and the energy gap of 0.5 ${\sim}$ 0.6 mV in Nb were observed from the dI/dV-V of YBaCuO/LGO/Au/Nb and YBaCuO/Au/Nb.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제25권10호
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• pp.811-816
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• 2012

The effect of co-sputtering condition on the structural properties of $Mg_xZn_{1-x}O$ thin films grown by RF magnetron co-sputtering system was investigated for manufacturing ZnO/MgZnO structure LED. $Mg_xZn_{1-x}O$ thin films were grown with ZnO and MgO target varying RF power. Structural properties were investigated by X-ray diffraction (XRD) and Energy dispersive spectroscopy (EDS). The ZnO thin films have sufficient crystallinity on the high RF power. As RF power of ZnO target increased, the contents of MgO in the $Mg_xZn_{1-x}O$ film decreased. LED was manufactured using ZnO/MgZnO multi-layer on p-GaN/$Al_2O_3$ substrate. Threshold voltage of multi-layer LED was appeared at 8 V, and it was luminesced at wave length of 550 nm.