Ba과 Ti의 금속 유기 화합물을 이용하여 (100) $SrTiO_3$ 기판 위에 $BaTIO_3$ 박막을 코팅-열분해법으로 제조하였다. $450^{\circ}C$에서 사전 열처리한 비정질상의 박막은 $2\times 10^{-4}$ atm으로 조정된 산소 분압 하에서 $700^{\circ}C$ 이상의 온도로 열처리함으로써 결정화되었다. $800^{\circ}C$ 이하에서 제조한 박막의 기판에 수직한 면의 격자상수는 cubic $BaTIO_3$의 a 값에 가까우면 $800^{\circ}C$ 이하에서 제조한 박막의 tetragonal $BaTIO_3$ 의 a 값에 가까 웠다. 박막과 기판의 정렬상태를 XRD $\beta$ scan과 pole-figure로 분석한 결과 $BaTIO_3$ 박막은 $SrTiO_3$ 기판과 에피택시 관계가 있었다. $800^{\circ}C$에서 열처리한 박막의 표면은 0.4${\mu}m$ 정도의 섬 형태의 입자로 구성되어 있었고 약 0.8$\mu\textrm{m}$의 두께를 가진 단면은 구형의 입자가 층을 이루고 있었다.
The paste on the glass or fabrication of the PDP(Plasma Display Panel) barrier rib was selectively etched using focused A $r_{+}$ laser(λ=514 nm) and Nd:YAG(λ=532, 266 nm) laser irradiation. The depth of the etched grooves increase with increasing a laser fluence and decreasing a laser beam scan speed. Using second harmonic of Nd:YAG laser(532 nm) the etching threshold laser fluence was 6.5 mJ/c $m^2$ for the sample of PDP barrier rib. The thickness of 180 ${\mu}{\textrm}{m}$ of the sample on the glass was clearly removed without any damage on the glass substrate by fluence of 19.5J/c $m^2$beam scan speed of 20${\mu}{\textrm}{m}$ /s. In order to increase the etch rate of the barrier rib material barrier rib samples heated by a resistive heater during laser irradiation. The heated sample has many defects and becomes to be fragile. This imperfection of the structure compared to the sample without heat treatment allows the effective etching by the focused laser beam. The etch rates were 65${\mu}{\textrm}{m}$/s and 270 ${\mu}{\textrm}{m}$/s at room temperature and 20$0^{\circ}C$, respectively.y.
수차가 적은 홀로그래픽 스캐너는 기존의 렌즈나 거울과 같은 광학 소자의 사용 매수를 줄임으로써 제작 가격을 낮출 수 있다는 잠재적인 장점을 갖고 있다. 본 연구에서는 홀로그래픽 스캐너 설계에 광선 추적버블 적용하여 스캔 기능과 초점을 맺는 기능을 동시에 할 수 있는 홀로그래픽 광학 소자를 설계하였으며, 수차가 없는 직선의 스캔 라인을 얻기 위한 기록 및 재생 구조와 hologon 구조에 대해 조사하였다. Prototype으로 제작된 홀로그래픽 스캐너에서 bow는 전체 스캔 폭 300 mm에서 $\pm$133$\mu\textrm{m}$이었으며, spot의 크기는 100 $\mu\textrm{m}$ 이하로 얻을 수 있었다. 실험 결과 광선 추적을 이용한 설계 데이터의 유용성을 검증하였고 레이저 프린터나 디스플레이 분야 등으로의 응용 가능성을 제시하였다.
Ga-doped ZnO (GZO)는 $300^{\circ}C$ 이상의 온도에서는 전기적으로 불안정하기 때문에 CIGS, CdTe, DSC와 같은 태양전지의 높은 공정온도 때문에 사용이 제한적이다. ZTO thin film은 Al2O3, SiO2, TiO2, ZnO tihin film과 비교하여 산소 및 수분에 대하여 투과성이 상대적으로 낮은 것으로 알려져 있다. 따라서 GZO single layer에 비하여 ZTO-GZO multi-layer를 구성하여 TCO를 제작하면, 높은 공정온도에서도 사용 가능하다. 실제 제작된 GZO single layer (300 nm)에서 비저항이 $7.69{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$에서 $500^{\circ}C$에서 열처리 후 $7.76{\times}10^{-2}{\Omega}{\cdot}cm$으로 급격하게 상승한다. ZTO single layer (420 nm)는 as-grown에서는 측정 불가했지만, $400^{\circ}C$에서 열처리 후 $3.52{\times}10^{-1}{\Omega}{\cdot}cm$$500^{\circ}C$에서 열처리 후 $4.10{\times}10^{-1}{\Omega}{\cdot}cm$으로 열처리에 따른 큰 변화가 없다. 또한 ZTO-GZO multi-layer (720 nm)의 경우 비저항이 $2.11{\times}10^{-3}{\Omega}{\cdot}cm$에서 $500^{\circ}C$에서 열처리 후 $3.67{\times}10^{-3}{\Omega}{\cdot}cm$으로 GZO에 비하여 상대적으로 변화폭이 작다. 또한 ZTO의 두께에 따른 영향을 확인하기 위하여 ZTO를 2 scan, 4 scan, 6 scan 공정 진행 및 $500^{\circ}C$에서 열처리 후 ZTO, ZTO-GZO thin film의 비저항을 측정하였다. ZTO의 경우 $3.34{\times}10^{-1}{\Omega}{\cdot}cm$ (2 scan), $3.62{\times}10^{-1}{\Omega}{\cdot}cm$ (4 scan), $4.1{\times}10^{-1}{\Omega}{\cdot}cm$ (6 scan)으로 큰 차이가 없으며, ZTO-GZO에서도 $3.73{\times}10^{-3}{\Omega}{\cdot}cm$ (2 scan), $3.42{\times}10^{-3}{\Omega}{\cdot}cm$ (4 scan), $3.67{\times}10^{-3}{\Omega}{\cdot}cm$ (6 scan)으로 큰 차이가 없음을 확인하였다. 염료감응 태양전지에 적용하여 기존에 사용되는 FTO대신에 ZTO-GZO를 사용하며, 가격적 측면, 성능적 측면에서 개선 가능할 것으로 생각된다.
The shape and size variations of the nanopatterns produced on a positive photoresist using a near-field scanning optical microscope(NSOM) are investigated with respect to the process variables. A cantilever type nanoprobe having a 100nm aperture at the apex of the pyramidal tip is used with the NSOM and a He-Cd laser at a wavelength of 442nm as the illumination source. Patterning characteristics are examined for different laser beam power at the entrance side of the aperture( $P_{in}$ ), scan speed of the piezo stage(V), repeated scanning over the same pattern, and operation modes of the NSOM(DC and AC modes). The pattern size remained almost the same for equal linear energy density. Pattern size decreased for lower laser beam power and greater scan speed, leading to a minimum pattern width of around 50nm at $P_{in}$ =1.2$\mu$W and V=12$\mu$m/. Direct writing of an arbitrary pattern with a line width of about 150nm was demonstrated to verify the feasibility of this technique for nanomask fabrication. Application on high-density data storage using azopolymer is discussed at the end.
oxine을 리간드로 이용하여 흡착벗김 전압전류법으로 극미량의 지르코늄을 정량하는 방법을 연구하였다. 이때 지지전해질은 $2.5{\times}10^{-3}M$ borax 완충용액을 사용하였고, oxine의 농도가 $4{\times}10^{-8}M$로 되도록 하여 실험하였다. accumulation potential을 -0.2V, accumulation time을 400sec로 하고 scan rate를 4mV/sec로 하여 실험한 결과 지르코늄의 농도가 $1{\sim}100{\mu}g/L$ 범위에서 얻은 검정곡선은 직선성을 나타내었다.
검출기의 분광감응도 표준으로부터 출발하여 SI 기본 단위의 하나인 칸델라(candela)눈금의 불확도는 복사계 개구의 면적 측정 불확도에 의해서 제한을 받는다. 칸델라 눈금을 새로 실현하기 위하여 다이아몬드 선삭가공기를 사용하여 개구의 가장자리가 칼날과 같도록 가공하였다. 이 개구를 디지털 되먹임 알고리듬을 채용한 x-y 이송대에 설치한 후, 출력이 안정화된 레이저 광선을 빔 허리가 5 $\mu\textrm{m}$ 이하가 되도록 집속시키고, 이송대를 이동하면서 개구의 가장자리 좌표를 칼날주사 방법으로 검출하였다. 이 좌표들을 지나는 최적의 타원을 최소 제곱법으로 결정하여 개구의 면적으로 구하였다. 측정 불확도를 분석한 결과 제작한 장치의 면적 측정의 상대 측정 표준 불확도(k=1)는 8${\times}$$10^{-5}$이다.
To drive the high-image quality plasma displays of XGA and/or full-HD, we must effectively improve the driving waveform, which get the reset period for the stabilized control of wall charges, the address period to select discharge or non-discharge, and sustain period for luminance in 1 TV-frame, and also the display quality. To accomplish them, the development of the technology for the fast address discharge is required. In this paper, the correlation between the sustain-electrode gap and address discharge characteristics for the high-speed addressing was analyzed using the measurements of dynamic voltage margins. Results showed that the narrower the gap between the sustain electrodes, the narrower the with of the scan pulse became and a dynamic margin of data voltage of 29.2 V was obtained at scan pulse width of $1.0{\mu}s\;and\;V_{ramp}$ of 240 V for driving 4-inch test penal, which the gap between sustain electrodes was $65{\mu}m$.
In this paper, we present a new reset waveform for a large-sustain-gap structure in at PDPs. In the driving of the large-sustain-gap structure with a conventional ramp reset waveform, we cannot avoid the condition of an address being a cathode, which causes lots of trouble in stabilizing a reset discharge. To solve these problems, we use the square pulse instead of the conventional rising ramp pulse. Before making a strong discharge between the address (cathode) and scan (anode) electrodes, we make a priming discharge between the address (anode) and the scan (cathode) electrodes to stabilize the strong discharge in which the address electrodes are the cathode. With this scheme, we obtained 60V minimum address voltage and 145V maximum address voltage in $250{\mu}m$ and $350{\mu}m$ gap structures.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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