• 제목/요약/키워드: Mu-Scan

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코딩-열분해법에 의해 제조한 BaTiO$_3 $ 박막의 결정 성장을 위한 낮은 산소 분압에서의 열처리 (Annealing under low oxygen partial pressure for crystal growth of BaTiO$_3 $thin films prepared by coating-pyrolysis process)

  • 김승원
    • 한국결정성장학회지
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    • 제10권2호
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    • pp.111-115
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    • 2000
  • Ba과 Ti의 금속 유기 화합물을 이용하여 (100) $SrTiO_3$ 기판 위에 $BaTIO_3$ 박막을 코팅-열분해법으로 제조하였다. $450^{\circ}C$에서 사전 열처리한 비정질상의 박막은 $2\times 10^{-4}$ atm으로 조정된 산소 분압 하에서 $700^{\circ}C$ 이상의 온도로 열처리함으로써 결정화되었다. $800^{\circ}C$ 이하에서 제조한 박막의 기판에 수직한 면의 격자상수는 cubic $BaTIO_3$의 a 값에 가까우면 $800^{\circ}C$ 이하에서 제조한 박막의 tetragonal $BaTIO_3$ 의 a 값에 가까 웠다. 박막과 기판의 정렬상태를 XRD $\beta$ scan과 pole-figure로 분석한 결과 $BaTIO_3$ 박막은 $SrTiO_3$ 기판과 에피택시 관계가 있었다. $800^{\circ}C$에서 열처리한 박막의 표면은 0.4${\mu}m$ 정도의 섬 형태의 입자로 구성되어 있었고 약 0.8$\mu\textrm{m}$의 두께를 가진 단면은 구형의 입자가 층을 이루고 있었다.

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레이저빔에 의한 PDP 격벽 재료의 식각 (Etching of the PDP barrier rib material using laser beam)

  • 안민영;이경철;이홍규;이상돈;이천
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제13권6호
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    • pp.526-532
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    • 2000
  • The paste on the glass or fabrication of the PDP(Plasma Display Panel) barrier rib was selectively etched using focused A $r_{+}$ laser(λ=514 nm) and Nd:YAG(λ=532, 266 nm) laser irradiation. The depth of the etched grooves increase with increasing a laser fluence and decreasing a laser beam scan speed. Using second harmonic of Nd:YAG laser(532 nm) the etching threshold laser fluence was 6.5 mJ/c $m^2$ for the sample of PDP barrier rib. The thickness of 180 ${\mu}{\textrm}{m}$ of the sample on the glass was clearly removed without any damage on the glass substrate by fluence of 19.5J/c $m^2$beam scan speed of 20${\mu}{\textrm}{m}$ /s. In order to increase the etch rate of the barrier rib material barrier rib samples heated by a resistive heater during laser irradiation. The heated sample has many defects and becomes to be fragile. This imperfection of the structure compared to the sample without heat treatment allows the effective etching by the focused laser beam. The etch rates were 65${\mu}{\textrm}{m}$/s and 270 ${\mu}{\textrm}{m}$/s at room temperature and 20$0^{\circ}C$, respectively.y.

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광선 추적을 이용한 홀로그래픽 스캐너의 설계 및 제작 (Design and fabrication of a holographic scanner using the ray tracing method)

  • 김종재;정만호
    • 한국광학회지
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    • 제10권2호
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    • pp.107-113
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    • 1999
  • 수차가 적은 홀로그래픽 스캐너는 기존의 렌즈나 거울과 같은 광학 소자의 사용 매수를 줄임으로써 제작 가격을 낮출 수 있다는 잠재적인 장점을 갖고 있다. 본 연구에서는 홀로그래픽 스캐너 설계에 광선 추적버블 적용하여 스캔 기능과 초점을 맺는 기능을 동시에 할 수 있는 홀로그래픽 광학 소자를 설계하였으며, 수차가 없는 직선의 스캔 라인을 얻기 위한 기록 및 재생 구조와 hologon 구조에 대해 조사하였다. Prototype으로 제작된 홀로그래픽 스캐너에서 bow는 전체 스캔 폭 300 mm에서 $\pm$133$\mu\textrm{m}$이었으며, spot의 크기는 100 $\mu\textrm{m}$ 이하로 얻을 수 있었다. 실험 결과 광선 추적을 이용한 설계 데이터의 유용성을 검증하였고 레이저 프린터나 디스플레이 분야 등으로의 응용 가능성을 제시하였다.

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Effect of Post-Annealing and ZTO Thickness of ZTO/GZO Thin Film for Dye-Sensitized Solar Cell

  • 송상우;이경주;노지형;박온전;김환선;지민우;문병무
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.405-406
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    • 2013
  • Ga-doped ZnO (GZO)는 $300^{\circ}C$ 이상의 온도에서는 전기적으로 불안정하기 때문에 CIGS, CdTe, DSC와 같은 태양전지의 높은 공정온도 때문에 사용이 제한적이다. ZTO thin film은 Al2O3, SiO2, TiO2, ZnO tihin film과 비교하여 산소 및 수분에 대하여 투과성이 상대적으로 낮은 것으로 알려져 있다. 따라서 GZO single layer에 비하여 ZTO-GZO multi-layer를 구성하여 TCO를 제작하면, 높은 공정온도에서도 사용 가능하다. 실제 제작된 GZO single layer (300 nm)에서 비저항이 $7.69{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$에서 $500^{\circ}C$에서 열처리 후 $7.76{\times}10^{-2}{\Omega}{\cdot}cm$으로 급격하게 상승한다. ZTO single layer (420 nm)는 as-grown에서는 측정 불가했지만, $400^{\circ}C$에서 열처리 후 $3.52{\times}10^{-1}{\Omega}{\cdot}cm$ $500^{\circ}C$에서 열처리 후 $4.10{\times}10^{-1}{\Omega}{\cdot}cm$으로 열처리에 따른 큰 변화가 없다. 또한 ZTO-GZO multi-layer (720 nm)의 경우 비저항이 $2.11{\times}10^{-3}{\Omega}{\cdot}cm$에서 $500^{\circ}C$에서 열처리 후 $3.67{\times}10^{-3}{\Omega}{\cdot}cm$으로 GZO에 비하여 상대적으로 변화폭이 작다. 또한 ZTO의 두께에 따른 영향을 확인하기 위하여 ZTO를 2 scan, 4 scan, 6 scan 공정 진행 및 $500^{\circ}C$에서 열처리 후 ZTO, ZTO-GZO thin film의 비저항을 측정하였다. ZTO의 경우 $3.34{\times}10^{-1}{\Omega}{\cdot}cm$ (2 scan), $3.62{\times}10^{-1}{\Omega}{\cdot}cm$ (4 scan), $4.1{\times}10^{-1}{\Omega}{\cdot}cm$ (6 scan)으로 큰 차이가 없으며, ZTO-GZO에서도 $3.73{\times}10^{-3}{\Omega}{\cdot}cm$ (2 scan), $3.42{\times}10^{-3}{\Omega}{\cdot}cm$ (4 scan), $3.67{\times}10^{-3}{\Omega}{\cdot}cm$ (6 scan)으로 큰 차이가 없음을 확인하였다. 염료감응 태양전지에 적용하여 기존에 사용되는 FTO대신에 ZTO-GZO를 사용하며, 가격적 측면, 성능적 측면에서 개선 가능할 것으로 생각된다.

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근접장현미경을 이용한 폴리머박막 나노리쏘그라피 공정의 특성분석 (Characteristics of Nanolithography Process on Polymer Thin-film using Near-field Scanning Optical Microscope)

  • 권상진;김필규;장원석;정성호
    • 한국정밀공학회:학술대회논문집
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    • 한국정밀공학회 2004년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.590-595
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    • 2004
  • The shape and size variations of the nanopatterns produced on a positive photoresist using a near-field scanning optical microscope(NSOM) are investigated with respect to the process variables. A cantilever type nanoprobe having a 100nm aperture at the apex of the pyramidal tip is used with the NSOM and a He-Cd laser at a wavelength of 442nm as the illumination source. Patterning characteristics are examined for different laser beam power at the entrance side of the aperture( $P_{in}$ ), scan speed of the piezo stage(V), repeated scanning over the same pattern, and operation modes of the NSOM(DC and AC modes). The pattern size remained almost the same for equal linear energy density. Pattern size decreased for lower laser beam power and greater scan speed, leading to a minimum pattern width of around 50nm at $P_{in}$ =1.2$\mu$W and V=12$\mu$m/. Direct writing of an arbitrary pattern with a line width of about 150nm was demonstrated to verify the feasibility of this technique for nanomask fabrication. Application on high-density data storage using azopolymer is discussed at the end.

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흡착벗김 전압전류법적 지르코늄의 정량 (Adsorptive Stripping Voltammetrical Determination of Zirconium)

  • 최원형;이진식;김도훈;김종철
    • 분석과학
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    • 제6권5호
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    • pp.425-433
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    • 1993
  • oxine을 리간드로 이용하여 흡착벗김 전압전류법으로 극미량의 지르코늄을 정량하는 방법을 연구하였다. 이때 지지전해질은 $2.5{\times}10^{-3}M$ borax 완충용액을 사용하였고, oxine의 농도가 $4{\times}10^{-8}M$로 되도록 하여 실험하였다. accumulation potential을 -0.2V, accumulation time을 400sec로 하고 scan rate를 4mV/sec로 하여 실험한 결과 지르코늄의 농도가 $1{\sim}100{\mu}g/L$ 범위에서 얻은 검정곡선은 직선성을 나타내었다.

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레이저 스폿의 칼날주사 방법에 의한 복사계 개구 면적의 정밀측정 (Precision measurements of radiometric aperture area by laser spot scanning along the edge of the aperture)

  • 강창호;김석원;박승남
    • 한국광학회지
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    • 제15권3호
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    • pp.258-262
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    • 2004
  • 검출기의 분광감응도 표준으로부터 출발하여 SI 기본 단위의 하나인 칸델라(candela)눈금의 불확도는 복사계 개구의 면적 측정 불확도에 의해서 제한을 받는다. 칸델라 눈금을 새로 실현하기 위하여 다이아몬드 선삭가공기를 사용하여 개구의 가장자리가 칼날과 같도록 가공하였다. 이 개구를 디지털 되먹임 알고리듬을 채용한 x-y 이송대에 설치한 후, 출력이 안정화된 레이저 광선을 빔 허리가 5 $\mu\textrm{m}$ 이하가 되도록 집속시키고, 이송대를 이동하면서 개구의 가장자리 좌표를 칼날주사 방법으로 검출하였다. 이 좌표들을 지나는 최적의 타원을 최소 제곱법으로 결정하여 개구의 면적으로 구하였다. 측정 불확도를 분석한 결과 제작한 장치의 면적 측정의 상대 측정 표준 불확도(k=1)는 8${\times}$$10^{-5}$이다.

AC-PDP의 유지방전 전극사이의 간격과 어드레스 방전 특성과의 상관성 분석 (The Analysis of the Correlation between the Sustain-Electrode Gap of an AC-PDP and Address Discharge Characteristics)

  • 이영준;최수삼;박세광;김용득
    • 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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    • 제55권5호
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    • pp.239-244
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    • 2006
  • To drive the high-image quality plasma displays of XGA and/or full-HD, we must effectively improve the driving waveform, which get the reset period for the stabilized control of wall charges, the address period to select discharge or non-discharge, and sustain period for luminance in 1 TV-frame, and also the display quality. To accomplish them, the development of the technology for the fast address discharge is required. In this paper, the correlation between the sustain-electrode gap and address discharge characteristics for the high-speed addressing was analyzed using the measurements of dynamic voltage margins. Results showed that the narrower the gap between the sustain electrodes, the narrower the with of the scan pulse became and a dynamic margin of data voltage of 29.2 V was obtained at scan pulse width of $1.0{\mu}s\;and\;V_{ramp}$ of 240 V for driving 4-inch test penal, which the gap between sustain electrodes was $65{\mu}m$.

AC PDP의 장방전 구조의 구동을 위한 새로운 리셋파형 (New Reset Waveform for a Large-Sustain-Gap Structure in AC PDPs)

  • 김선;김동훈;송태용;김지용;이석현;서정현
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 C
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    • pp.1544-1545
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    • 2006
  • In this paper, we present a new reset waveform for a large-sustain-gap structure in at PDPs. In the driving of the large-sustain-gap structure with a conventional ramp reset waveform, we cannot avoid the condition of an address being a cathode, which causes lots of trouble in stabilizing a reset discharge. To solve these problems, we use the square pulse instead of the conventional rising ramp pulse. Before making a strong discharge between the address (cathode) and scan (anode) electrodes, we make a priming discharge between the address (anode) and the scan (cathode) electrodes to stabilize the strong discharge in which the address electrodes are the cathode. With this scheme, we obtained 60V minimum address voltage and 145V maximum address voltage in $250{\mu}m$ and $350{\mu}m$ gap structures.

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