• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제10권10호
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• pp.1005-1010
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• 1997

ZnS:Mn thin film was made by coevaporation with Electron Beam Evaparation(EBE) method. And structural and optical characteristics of ZnS:Mn thin films were investigated by substrate temperature annealing temperature and dopant Mn. When ZnS:Mn thin film was well deposited with cubic crystalline at substrate temperature of 30$0^{\circ}C$ its surface index was [111] and its lattice constant of a was 5.41$\AA$. Also When ZnA:Mn thin film was well made with hexagonal crystalline at substrate temperature of 30$0^{\circ}C$annealing temperature of 50$0^{\circ}C$and annealing time of 60min its miller indices were (0002) (1011), (1012) and (1120). And its lattice constant of a and c was 3.88$\AA$and 12.41$\AA$ respectively. Finally hexagonal ZnS:Mn thin film with dopant Mn of 0.5wt% had fundamental absorption wavelength of 342nm. And so its energy bandgap was about 3.62eV.

• 한국자기학회지
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• 제13권5호
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• pp.187-192
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• 2003

IrMn에 Mn을 첨가시킨 N $i_{80}$F $e_{20}$/[I $r_{22}$M $n_{78}$-Mn] $Co_{75}$F $e_{25}$ 다층박막을 상온에서 이온빔 증착(ion beam deposition: IBD)법으로 제작하여 그 자기적 및 열적 특성을 연구하였다. Mn이 첨가된 NiFe/[IrMn-Mn]/CoFe다층박막은 Mn이 첨가되지 않은 순수 합금 IrMn 박막 위의 CoFe 고정층 보다 큰 교환결합력( $H_{ex}$)과 방해온도(blocking temperature: $T_{b}$)을 가지고 있었다. Mn이 첨가되지 않는 I $r_{22}$M $n_{78}$ 와 CoFe 사이의 $H_{ex}$는 상온에서 거의 없었으나, 25$0^{\circ}C$ 열처리 후 100 Oe로 나타났다. IrMn 내에서 76.8-78.1 vol% Mn일 때, $H_{ex}$와 $T_{b}$는 크게 향상되었고, Mn이 0.6 vol%씩 증가함에 따라 크게 줄어들었다. NiFe/[IrMn-Mn]/CoFe 다층박막 구조에서 [(111)CoFe, NiFe]/(111)IrM $n_3$인 x-선 회절 피크비 평균값은 75.5, 77.5, 79.3 vol% Mn일 때 각각 1.4, 0.8, 0.6였다. 특히, 열처리 전 77.5과 78.7 vol% Mn일 때, $H_{ex}$는 각각 259와 150 Oe였다. 77.5 vol% Mn인 경우, $H_{ex}$가 열처리 온도 35$0^{\circ}C$까지 475 Oe였으며, 450 $^{\circ}C$에서는 200 Oe로 크게 감소하였다. 따라서 합금형 반강자성체 IrMn에서 높은 $H_{ex}$와 $T_{b}$을 얻을 수 있는 최적의 Mn 함유량의 존재를 확인하였다.다.다. 확인하였다.다.하였다.다.

• 소성∙가공
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• 제31권6호
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• pp.365-375
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• 2022

The microstructure and high-temperature plastic deformation behavior of the modified Al-0.7Mn alloy were investigated and compared with the conventional Al-0.3Mn (Al3102) alloy. α-Al (matrix) and Al₆(Mn, Fe) phases were identified in both alloys. As a result of microstructure observation, both alloys showed equiaxed grains, and Al-0.7Mn alloy showed larger grain size and higher Al₆(Mn, Fe) fraction than Al-0.3Mn alloy. High temperature compressive tests, the deformation temperatures of 410℃, 450℃, 490℃, 530℃ and strain rats of 10^-2/s, 10^-1/s, 1/s, 10/s, were conducted using Gleeble equipment. The flow stress values of Al-0.7Mn alloy were higher than that of Al-0.3Mn alloy at all strain rates and temperature conditions. Constitutive equations were presented using the flow stresses obtained from experimental results and the Zener-Hollomon parameter. In the true stress-true strain curves of the two alloys, the experimental and predicted values were in good agreement with each other. Based on the dynamic material model, eutectic deformation maps of Al-0.7Mn and Al-0.3Mn alloys were suggested, and the plastic instability region was presented. The modified Al-0.7Mn alloy showed a wider plastic instability region than that Al-0.3Mn alloy. Based on the process deformation maps, the MPE tube parts could be manufactured through the actual extrusion process using the suggested conditions.

• 한국세라믹학회지
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• 제51권3호
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• pp.139-144
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• 2014

Activated carbon fiber (ACF) was modified with MnS nanoparticles to prepare MnS-ACF, and it was employed for preparation of MnS-$ACF/TiO_2$ composites with titanium (IV) n-butoxide (TNB). The properties of MnS-$ACF/TiO_2$ composites were characterized by XRD, SEM, and EDX. EDX results showed the presence of C, O, and Ti as major elements and traces of the metal elements Mn and S. The photocatlytic activity was evaluated by degradation of methyl blue (MB) and methyl orange (MO) dye. The results demonstrated that as-prepared samples could effectively photodegrade MB and MO under UV irradiation. Subsequently, the decomposition of MB solution showed the combined effects of adsorptions by ACF and enhanced photocatalytic effect by $TiO_2$. Finally, the photocatalytic effect increased due to photo-induced-electron absorption effect by ACF and electron trap effect by comodified MnS nanoparticles.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제9권1호
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• pp.1-5
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• 2008

ZnS is an attractive material for future optical and electrical devices since it has a direct and wide band gap to provide blue emission at room temperature. In this study, inductively coupled $BCl_3/Ar$ plasma was used to etch ZnS:Mn thin films. The maximum etch rate of 164.2 nm/min for ZnS:Mn was obtained at a $BCl_3(20)/Ar(80)$ gas mixing ratio, an rf power of 700 W, a dc bias voltage of -200V, a total gas flow of 20 sccm, and a chamber pressure of 1Pa. The etch behaviors of ZnS:Mn thin films under various plasma parameters showed that the ZnS:Mn were effectively removed by the chemically assisted physical etching mechanism. The surface reaction of the ZnS:Mn thin films was investigated by X-ray photoelectron spectroscopy. The XPS analysis revealed that Mn had detected on the surface ZnS:Mn etched in $BCl_3/Ar$ plasma.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.141-141
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• 2010

ZnS:Mn yellow phosphors doped with Cu for white light emitting diodes were synthesized by solid state reaction method. Photoluminescence excitation spectra originated from $Mn^{2+}$ were ranged from 450 nm to 500 nm. The yellow emission at around 580 nm was associated with $^4T_1{\rightarrow}^6A_1$ transition of $Mn^{2+}$ ions in ZnS:Mn,Cu phosphors. The highest photoluminescence intensity of the phosphors under 405 nm excitation was obtained at Cu concentration of 0.02 mol%.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제12권3호
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• pp.99-114
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• 2012

PMIPv6(Proxy Mobile IPv6)는 MN(Mobile Node)의 적극적인 참가를 요구하지 않는 네트워크 기반의 이동성 관리 방법으로 통신 및 인터넷 커뮤니티 사이에서 상당한 주목을 받고 있다. 그것은 낮은 핸드오버 지연을 유지하면서 다수의 MN를 지원할 수 있는 확장성 있는 PMIPv6 도메인의 구축방안은 여전히 연구가 진행 중에 있다. 본 논문에서는 확장성과 안전성 그리고 끊김없는 PMIPv6 도메인을 구축하기 위한 3S 접근 방식을 제안한다. 제안기법에서 모든 MAG(Mobility Access Gateway)는 LMA(Local Mobility Anchor)와 같은 역할을 하고 다른 MAG와 가상 링을 구성한다. 일관된 해싱은 각 MN과 모든 MAG의 MN의 LMA간 효율적인 분산 매핑에 사용된다. MAG와 MN은 대칭 키를 이용하여 인증한다. 수학적 분석을 통하여 3S의 안전성, 확장성 그리고 끊김없는 서비스를 검증한다. 또한 3S의 핸드오버 절차를 제안하고 이전의 기법에 비해 낮은 핸드오버 지연이 발생함을 보여 준다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제16권5호
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• pp.2993-2999
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• 2015

강 제조 회사들은 연속주조금형의 표면을 보호하기 위해 Ni-B 또는 Ni-Co 합금 도금을 적용하고 있으며, 도금 층에 균열이 생기게 하는 황을 함유한 사카린 윤활제를 사용하고 있다. 균열 및 인장 응력을 유발하는 것은 Ni-S 화합물로 여겨진다. Ni-Mn-B 삼원합금은 Ni-S 화합물이 형성되기 이전에 Mn-S 화합물을 형성하여 균열을 억제하기 위해서 개발되었으나, Ni-Mn-B 합금 도금에 관한 국내나 해외 기준이 없다. 그리하여 새로이 개발된 Ni-Mn-B 도금을 평가하기 위한 신뢰성 평가기준을 개정하려한다. 가속수명시험을 개발하기 위해 FMEA(고장형태 영향분석)가 사용되어 도금의 주요 파괴 원인을 분석하였다. Ni-Mn-B 신뢰성 기준은 가속수명시험 방법을 포함하였고, 기본 성능 시험과 환경시험, 가속수명시험으로 분류되었으며, 80% 신뢰수준으로 B10수명 1 000시간을 보장하도록 고안되었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제8권6호
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• pp.1194-1203
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• 2004

IETF mip6 WG에서 MN의 위치를 나타내는 '바인딩정보'를 안전하게 CN에게 송신하여 위치정보를 수정하는 RR프로토콜이 2004년 6월에 RFC 3775로 표준화되었다. 표준화된 RR프로토콜은 시작주체 및 시점이 MN에 의해 이루어짐으로서 위치정보수정 지연에 따른 홈네트워크의 부담 및 통신지연 증가를 문제점으로 지적할 수 있다. 또한 보안측면에서 CN과 HA간에 위치하는 공격자에게 취약성을 내포하고 있다. 본 논문에서는 MN의 위치정보 수정권한을 HA로 위임시키는 새로운 위치정보수정 방안을 제안한다. 즉, MN의 위치정보를 HA에 등록시 MN의 개인키로 서명된 위치정보 인증서를 사용하여 등록하고 이 인증서를 HA가 CN에 MN의 위치정보 수정시 사용하는 방안이다. 이를 통해서 위치정보수정에 소요되는 시간을 단축하고 교환되는 메시지 수를 감소시켜 통신부담을 경감시키는 효과를 얻을 수 있다. 또한 CN과 HA간에 위치한 공격자에 대한 보안 취약성을 제거하였다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제4권6호
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• pp.13-16
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• 2003

Mn-doped $ZnGa_{2}O_{4}$:$Mn^{2+}$ (M=S, Se) thin film phosphors have been grown using a pulsed laser deposition technique under various growth conditions. The structural characterization carr~ed out on a series of $ZnGa_{2}O_{4}$:$Mn^{2+}$ (M=S, Se) films grown on MgO(l00) substrates usmg Zn-rich ceramic targets. Oxygen pressure was varied from 50 to 200 mTorr and Zn/Ga ratio was the function of oxygen pressure. XRD patterns showed that the lattice constants of the $ZnGa_{2}O_{4}$:$Mn^{2+}$ (M=S, Se) thin film decrease with the substitution of sulfur and selenium for the oxygen in the $ZnGa_2O_4$. Measurements of photoluminescence (PL) properties of $ZnGa_{2}O_{4}$:$Mn^{2+}$ (M=S, Se) thin films have indicated that MgO(100) is one of the most promised substrates for the growth of high quality $ZnGa_2O_{4-x}M_{x}$:$Mn^{2+}$ (M=S, Se) thin films. In particular, the incorporation of Sulfur or Selenium into $ZnGa_2O_4$ lattice could induce a remarkable increase in the intensity of PL. The increasing of green emission intensity was observed with $ZnGa_2O_{3.925}Se_{0.075}:$Mn^{2+}$ and $ZnGa_2O_{3.925}S_{0.05}$:$Mn^{2+}$ films, whose brightness was increased by a factor of 3.1 and 1.4 in comparison with that of $ZnGa_{2}O_{4}$:$Mn^{2+}$ films, respectively. These phosphors may promise for application to the flat panel displays.