We fabricated $YBa_2Cu_33O_{7-x}$(YBCO) films on(00l) $LaAlO_3$ substrates prepared by metal organic deposition(MOD) method using trifluoroacetate(TFA) solution and evaluated the effects of the humidity on the microstructure, phase purity, and critical properties. The films calcined at $430^{\circ}C$ were fired at $775^{\circ}C$ at 0%, 4.2%, 12.1%, and 20.0% humidified As gas mixed with 0.1% $O_2$. We observed that the amount of $BaF_2$ phase was effectively reduced and that a sharp and strong biaxial texture formed under a humidified atmosphere, leading to increased critical properties. For the films fired at 0% humidity, the $T_c\;and\;I_c$ were undetectably small. When the humidity was increased to 4.2%, the corresponding $T_c$(onset) and $I_c$ were increased to 90.5 K and 8 A/cm-width, respectively. For the films at the humidity range of 12.1-20.0%, the $I_c$ was found to be 35 A/cm-width. According to the results of the XRD, pole-figure, and SEM, these improved critical properties are probably attributed to the formation of a purer YBCO phase, larger grain size, and stronger c-axis orientation.
DRAM 커패시터에서 축정용량을 증대시키기 위한 기초연구로서 2가지 방법을 시도하였다. 첫째로, 커패시터의 유효 표면적을 증대시키기 위해 HSG(hemispherical grain)와 rugged 형태의 표면형상을 갖는 폴리실리콘 전극을 저압 화학기상증착법을 이용하여 제잘하였다. 그 결과 기존의 평평한 폴리실리콘 전극에 비하여 유효면적이 증대된 폴리실리콘 전극이 형성되었다. 둘째로, 고유 전상수를 갖는 $Ta_2O_5$ 박막을 각각의 전극에 플라즈마 화학기상증착법으로 증착시키고 후열처리한 후 전기적 특성변화를 조사하였다. MIS(metal-insulator-semiconductor) 구조의 커패시터를 제작하여 전기적 특성을 측정한 결과, HSG와 rugged 형상의 표면을 갖는 전극에서 기존의 평평한 표면을 갖는 전극에 비하여 축전용량은 1.2~1.5배까지 증대하였으나, 주설전류는 표면적의 증가에 따라 함께 증가함을 보였다. TDDB 특성에서도 HSG와 rugged 형상의 표면을 갖는 전극들이 평평한 표면형상에 비하여 더 열화되었음을 보여주었다. 이상과 같은 결과는 $Ta_2O_5$ 유전박막을 이용한 차세대 DRAB 커패시터 연구에 기초자료로 이용될 수 있을 것으로 본다.
근 현대문화재는 다양한 재질의 재료가 공존하는 특성을 갖고 있다. 문화재를 보존하고 관리함에 있어 근 현대문화재에 대한 재질분석이 미비한 실정이었다. 본 연구에서는 대한민국역사박물관 소장 인력거를 대상으로 각 재질별로 분석을 실시하였다. 금속, 목재, 도료, 섬유 및 가죽에 대해서 P-XRF, 수종분석, 도막층분석, FT-IR, 현미경 관찰을 통해 분석을 실시하였다. 분석결과 금속은 대부분 구리(Cu), 아연(Zn) 합금이 확인되었고 부분적으로 철(Fe)과 니켈(Ni)이 측정되었다. 특히 니켈(Ni) 합금은 근대시기에 와서 사용된 금속으로 인력거에 사용된 금속이 근 현대에 제작된 것으로 유추할 수 있었다. 목재는 참나무속, 대나무류, 편백나무류가 식별되었다. 편백나무류는 일본 자생종으로 목부재의 일부분이 일본에서 제작되었을 것이라고 판단된다. 도막층은 인력거 외부에 5회 이상 도료가 칠해진 것으로 확인되었고 내부에서는 3회 정도 도료가 칠해진 것으로 나타났다. 이는 내부에서 더 간단한 도색작업이 이루어졌을 것으로 판단된다. 섬유 및 가죽 분석결과 면(Cotton)과 양모(Wool)가 사용되었고 가죽은 우피(牛皮)를 이용한 것으로 사료된다. 본 연구 결과를 토대로 근 현대문화재 재질에 대한 기초 자료 및 진정성 있는 보존 연구에 활용될 것이라 기대한다.
수확시기가 아주 짧은 복숭아의 가공기간(加功其間)을 연장(延長)하기 위하여 수확시기에 일차가공품으로 대량 처리 저장하는 방법을 정립코자 복숭아를 반절(半切)솔리드팩으로 가공하였다. 침지 전처리방법, 살균방법, 포장방법 및 저장조건이 저장에 미치는 영향을 검토하고 완제품 복숭아 통조림으로 가공하여 관능적으로 품질을 평가하였으며 그 결과는 다음과 같다. 1. 구연산 및 비타민 C침지에 의한 플라스틱 필름 파우치 포장저장 6개월에서의 품질은 3 겹파우치는 비타민C 처리구가 좋았고 2 겹파우치는 구연산처리구가 양호하였다. 2. 포장후 살균 및 고온충진 등 살균방법이 솔리드팩 저장중 색택 및 조직에 미치는 영향은 컸으나 최종 완제품의 품질에 미치는 영향은 크지 않았다. 3. 포장방법 이 솔리드 팩 저장 및 완제품 가공적성에 미치는 영향으로는 관(罐) 및 3 겹파우치 포장이 2 겹파우치 포장보다 양호하였다. 4. 저장중 품질보존 및 완제퓸 가공적성으로는 상온$(20^{\circ}C)$ 보다 저온$(5^{\circ}C)$ 저장이 효과적이었다.
스핀전달토크(Spin-Transfer Torque: STT) MRAM의 상용화를 위해서는 낮은 반전전류와 높은 열적 안정성을 동시에 만족해야 하고, 이를 위해서는 큰 스핀 분극, 강한 수직자기이방성 에너지을 가지는 물질이 요구된다. 본 연구에서는 STT-MRAM에 적합한 물질로 알려진 B2 CoFe 면심에 X(O, F, S, Cl) 원자가 위치한 $CoFeX_3$ 합금의 전자구조와 자기결정이방성(Magnetocrystalline anisotropy: MCA) 에너지를 계산하였다. X 원자가 F나 Cl일 때는 페르미 준위에서의 스핀 분극율이 각각 97 %, 96 %로, 반쪽 금속에 근접한 전자구조를 가짐을 확인할 수 있었다. 뿐만 아니라 표면이 Co 원자로 끝나는 5층 박막은 모든 X에 대해 수직 자기이방성를 가졌으며, 특히 $CoFeCl_3$의 자기이방성 에너지는 약 1.0 meV/cell로 상당히 컸다. 따라서 6, 7 족 원소를 잘 활용하면 높은 스핀 분극율과 강한 수직 자기이방성를 동시에 가지는 물질을 제조할 수 있게 되어 STT-MRAM의 상용화에 기여를 할 수 있을 것으로 기대한다.
MFS-FET(Metal-Ferroelectric-Semiconductor Field Effect Transistor) 구조의 비휘발성 기억소자용 $ReMnO_3$(Re:Y, Ho, Er) 박막을 금속 유기 화학 기상 증착법(MOCVD)으로 증착하였다. $ReMnO_3$ 박막을 Si(100) 기판 위에 700${\circ}C$-2시간 증착 시켜 결정화를 위해 대기 중에서 900${\circ}C$-1시간 열처리 시 육방정계(hexagonal) 단일상의 $ReMnO_3$ 박막을 형성하였다. 육방정계 단일상 구조에서 $ReMnO_3$ 박막의 강유전 특성은 c-축 배향성에 의존하였으며, c-축 배향성이 우수한 $YMnO_3$ 박막의 잔류 분극(Pr) 값은 105 nC/$cm^2$로 가장 우수하였다. 또한 누설 전류 밀도(leakage current density) 값은 미세구조의 결정립 크기에 의존하였으며, 결정립 크기가 100∼150 nm인 $YMnO_3$ 박막의 누설 전류 밀도 값은 인가전압 0.5 V에서 $10^{-8}$ A/$cm^2$을 나타내었다.
행정박물이란 공공기관의 업무수행과 관련된 유형적 증거물로, 독특하고 유일하며 특정 사건, 시간, 또는 인물을 표현하는 정보적인 가치를 지니고 있다. 근대문화유산으로써의 가치를 지니고 있는 행정박물은 그 중요성에 비해 체계적으로 분류 관리 보존하는 지침은 마련되지 않았다. 이 중 금속제 행정박물의 경우 보존처리 및 연구사례가 적고 복합적인 행정적 가치를 지니고 있어 일반화된 발굴유물의 보존처리 과정을 적용하기 어렵다. 그러므로 본 연구에서는 강화처리에 초점을 두어 동합금 행정박물의 표면강화처리에 알맞은 재료와 적용방법을 실험을 통해 찾아보고자 하였다. 현재 사용하고 있는 Wax 3종과 발굴유물에 사용하는 아크릴계 수지를 선정하여 종류와 코팅방법에 따른 특성을 비교 분석하였다. 표면관찰, 박막 두께, 접착력, 접촉각 및 표면에너지, 황변실험 등 일련의 분석을 통해 코팅 특성을 비교한 결과, 아크릴계 수지를 행정박물에 사용해도 무방하나 기존에 사용하던 Wax B를 Dip-coating 한 후 가열처리하여 강화처리하는 것이 가장 우수한 강화효과를 얻을 수 있음을 확인하였다.
직경 $75{\mu}m$ 높이 $90{\mu}m$및 $150{\mu}m$ 피치의 Cu via를 통한 삼차원 배선구조를 갖는 스택 시편을 deep RIE를 이용한 via hole 형성공정 , 펄스-역펄스 전기도금법에 의한 Cu via filling 공정, CMP를 이용한 Si thinning 공정, photholithography, 금속박막 스퍼터링, 전기도금법에 의한 Cu/Sn 범프 형성공정 및 플립칩 공정을 이용하여 제작하였다. Cu via를 갖는 daisy chain 시편에서 측정한 접속범프 개수에 따른 daisy chain의 저항 그래프의 기울기로부터 Cu/Sn 범프 접속저항과 Cu via 저항을 구하는 것이 가능하였다. $270^{\circ}C$에서 2분간 유지하여 플립칩 본딩시 $100{\times}100{\mu}m$크기의 Cu/Sn 범프 접속저항은 6.7 m$\Omega$이었으며, 직경 $75 {\mu}m$, 높이 $90{\mu}m$인 Cu via의 저항은 2.3m$\Omega$이었다.
본 실험에서는 Non-Conductive Adhesive (NCA) 와 고분자 범프를 이용한 COG (Chip-on-glass) 접합에 대하여 연구하였다. 산화막이 증착된 Si 기판 위에 고분자 범프를 사진식각 방법으로 형성하고, 고분자 범프 위에 직류 마그네트론 스퍼터링 방법으로 금속 박막층을 증착하였다. 기판으로는 Al을 증착한 유리기판을 사용하였다. 두 종류의 NCA를 사용하여 $80^{\circ}C$에서 하중을 변화시켜가며 접합을 실시하였다. 접합부의 특성을 평가하기 위하여 4단자 저항 측정법을 이용하여 접합부의 접속 저항을 측정하였으며, 주사전자현미경을 이용하여 접합부를 관찰하였다. 신뢰성은 $0^{\circ}C$ 와 $55^{\circ}C$ 사이에서 열충격 실험을 2000회까지 실시하여 평가하였다. 신뢰성 측정 전 접합부의 저항 값은 $70-90m{\Omega}$을 나타내었다. 200MPa 이상의 접합 압력에서는 고분자 범프가 NCA 의 필러 파티클에 의해 손상된 것을 관찰하였다. 신뢰성 측정 후 일부 범프가 fail 되었는데 범프의 fail 원인은 범프의 윗부분보다 상대적으로 금속층이 얇게 증착된 범프의 모서리 부분의 금속층의 끊어졌기 때문이었다.
An, Seo-Young;An, Chang-Hyeon;Choi, Karp-Sik;Huh, Kyung-Hoe;Yi, Won-Jin;Heo, Min-Suk;Lee, Sam-Sun;Choi, Soon-Chul
Imaging Science in Dentistry
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제48권2호
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pp.97-101
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2018
Purpose: This study evaluated the radiopacity of contemporary luting cements using conventional and digital radiography. Materials and Methods: Disc specimens (N=24, n=6 per group, ø$7mm{\times}1mm$) were prepared using 4 resin-based luting cements (Duolink, Multilink N, Panavia F 2.0, and U-cem). The specimens were radiographed using films, a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) sensor, and a photostimulable phosphor plate (PSP) with a 10-step aluminum step wedge (1 mm incremental steps) and a 1-mm-thick tooth cut. The settings were 70 kVp, 4 mA, and 30 cm, with an exposure time of 0.2 s for the films and 0.1 s for the CMOS sensor and PSP. The films were scanned using a scanner. The radiopacity of the luting cements and tooth was measured using a densitometer for the film and NIH ImageJ software for the images obtained from the CMOS sensor, PSP, and scanned films. The data were analyzed using the Kruskal-Wallis and Mann-Whitney U tests. Results: Multilink (3.44-4.33) showed the highest radiopacity, followed by U-cem (1.81-2.88), Panavia F 2.0 (1.51-2.69), and Duolink (1.48-2.59). The $R^2$ values of the optical density of the aluminum step wedge were 0.9923 for the films, 0.9989 for the PSP, 0.9986 for the scanned films, and 0.9266 for the CMOS sensor in the linear regression models. Conclusion: The radiopacities of the luting materials were greater than those of aluminum or dentin at the same thickness. PSP is recommended as a detector for radiopacity measurements because of its accuracy and convenience.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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