본 실험에서는 Ag두께 변화에 따른 투과율과 Energy bandgap의 변화를 알아보기 위해 RF Sputter장비와 Evaporator장비를 사용하여 IGZO, ZnO, AZO OMO 구조로 Low-e 코팅된 Glass를 제작하였다. $3cm{\times}3cm$의 Corning1737 유리기판에 RF Sputtering 방식으로 Oxide layer를 증착 하였고 Evaporator장비로는 Metal layer인 Ag막을 증착하였다. Oxide layer 증착 시 RF Sputter장비의 조건은 $3.0{\times}10^{-6}Torr$이하로 하였으며, 증착압력은 $6.0{\times}10^{-3}Torr$, 증착온도는 실온으로 고정하였다. Metal layer 증착 시 Evaporator장비의 조건은 $5.0{\times}10^{-6}Torr$이하, 전압은 0.3 V, Rotate 2 rpm으로 고정하였다. 실험 변수로는 Ag 두께를 5,7,9,11,13 nm로 변화를 주어 실험을 진행하였다. 투과도 측정 장비를 사용하여 각 샘플을 측정한 결과 IGZO의 경우 가시광영역의 평균 투과율이 80% 이상이며 Ag두께가 5nm일 때부터 자외선 영역의 빛을 차단하여 low-e 특성을 나타내었다. 이는 산화물인 IGZO가 결정질인 AZO, ZnO 보다 낮은 표면거칠기를 가지기 때문이다. Ag 두께에 따른 각 물질의 Optical energy bandgap 분석결과 Ag 두께가 증가할수록 IGZO는 4.65~4.5 eV, AZO는 4.6~4.4 eV, ZnO는 4.55~4.45 eV로 Energy bandgap은 감소하였다. AFM장비를 이용하여 각 샘플의 표면 Roughness 측정 결과 Ag 두께가 증가할수록 표면거칠기도 증가하는 경향을 나타내었다.
We measured the optical properties in Ag/chalcogenide films with the exposure of 325nm-Held laser In addition we have investigated the Ag doping mechanism as considering the changes of Ag-concentration distribution and optical energy gap ( $E_{op}$ ) with Photon-dose. The "windows" characteristics of Ag thin film occur around the wavelength of 325 nm and the Ag is evaluated to be transparent, without an absorption, in the region. While the $E_{op}$ of S $b_2$$S_3$ thin film was changed largely by an exposure of HeNe laser(632.8 nm) an exposure of HeCd laser resulted in relatively small variation of $E_{op}$ . Therefore it is thought that photon absorption at the metal layer plays an important role in Ag photodoping.on at the metal layer plays an important role in Ag photodoping.
The brazing adhesion properties of Ag coated W-Ag electric contact on the Cu substrate have been investigated in therms of microstructure, phase equilibrium and adhesion strength. Precoating of Ag layer ($3{\mu}m$ in thickness) on the $W-40\%Ag$ contact material was done by electro-plating method. Subsequently the brazing treatment was conducted by inserting BCuP-5 filler metal (Ag-Cu-P alloy) layer between Ag coated W-Ag and Cu substrate and annealing at $710^{\circ}C$ in $H_2$ atmosphere. The optimum brazing temperature of $710^{\circ}C$ was semi-empirically calculated on the basis of the Cu atomic diffusion profile in Ag layer of commercial electric contact produced by the same brazing process. As a mechanical test of the electric contact after brazing treatment the adhesion strength between the electric contact and Cu substrate was measured using Instron. The microstructure and phase equilibrium study revealed that the sound interlayer structure was formed by relatively low brazing treatment at $710^{\circ}C$. Thin Ag electro-plated layer precoated on the electric contact ($3{\mu}m$ in thickness) is thought to be enough for high adhesion strength arid sound microstructure in interface layer.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제17권4호
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pp.235-237
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2016
Oxide/metal/oxide (OMO) thin films were fabricated using amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-IGZO) and an Ag metal layer on a glass substrate at room temperature. The optical and electrical properties of the a-IGZO/Ag/a-IGZO samples changed systemically depending on the thickness of the Ag layer. The transmittance in the visible range tends to decrease as the Ag thickness increases while the resistivity, carrier concentration, and Hall mobility tend to improve. The a-IGZO/Ag (13 nm)/a-IGZO thin film with the optimum Ag thickness showed an average transmittance (Tav) of 71.7%, resistivity of 6.63 × 10−5 Ω·cm and Hall mobility of 15.22 cm2V−1s−1.
In this study, we prepare polymer solar cells incorporating organic ligand-modified Ag nanoparticles (O-AgNPs) highly dispersed in the P3HT:PCBM layer. Ag nanoparticles decorated with water-dispersible ligands (WAgNPs) were also utilized as a control sample. The existence of the ligands on the Ag surface was confirmed by FT-IR spectra. Metal nanoparticles with different surface chemistries exhibited different dispersion tendencies. O-AgNPs were highly dispersed even at high concentrations, whereas W-AgNPs exhibited significant aggregation in the polymer layer. Both dispersion and blending concentration of the Ag nanoparticles in P3HT:PCBM matrix had critical effects on the device performance as well as light absorption. The significant changes in short-circuit current density ($J_{SC}$) of the solar cells seemed to be related to the change in the polymer morphology according to the concentration of AgNPs introduced. These findings suggested the importance of uniform dispersion of plasmonic metal nanoparticles and their blending concentration conditions in order to boost the solar cell performance.
The interactions between Cu/Sn-Ag-(Cu) and Sn-Ag-(Cu)/Ni interfacial reactions were studied during isothermal aging at $150^{\circ}C$ for up to 1000h using Cu(ENIG)/Sn-3.5Ag-(0.7Cu)/Cu(ENIG) sandwich solder joints. A typical scallop-type Cu-Sn intermetallic compound (IMC) layer formed at the upper Sn-Ag/Cu interface after reflowing, whereas a $(Cu,Ni)_6Sn_5$ IMC layer was observed at the Sn-Ag/ENIG interface. The Cu in the $(Cu,Ni)_6Sn_5$ IMC layer formed on the Ni side was sourced from the dissolution of the opposite Cu metal pad or Cu-Sn IMC layer. When the dissolved Cu arrived at the interface of the Ni pad, the $(Cu,Ni)_6Sn_5$ IMC layer formed on the Ni interface, preventing the Ni pad from reacting with the solder. Although a long isothermal aging treatment was performed at $150^{\circ}C$, no Ni was detected in the Cu-Sn IMC layer formed on the Cu side. Compared to the single Sn-Ag/ENIG solder joint, the formation of the $(Cu,Ni)_6Sn_5$ IMC layer of the Cu/sn-Ag/ENIG sandwich joint effectively retarded the Ni consumption from the electroless Ni-P layer.
By inserting a very thin metal layer of Ag between two outer oxide layers of amorphous silicon indium zinc oxide (SIZO), we fabricated a highly transparent SIZO/Ag/SIZO multilayer on a glass substrate. In order to find the optimized thickness of Ag layers, we investigated the variation of optical properties depending on Ag thickness. It was found that the transition of Ag layer from island formation to a continuous film occurred at a critical thickness. Continuity of the Ag film is very important for optical properties in SIZO/Ag/SIZO multilayer. With about 15 nm thick Ag layer, the multilayer showed a high optical transmittance of 80% at 550 nm and low emissivity in IR.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제17권1호
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pp.33-36
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2016
In the present work, a Ni-doped indium zinc oxide (NIZO) film and its multilayers with Ag layers were investigated as transparent conducting electrodes for liquid crystal display (LCD) applications, as a substitute for indium tin oxide (ITO) electrodes. By interposing the Ag layer between the NIZO layers, the loss of the optical transmittance occurred; however, the Ag layer brought enhancement of electrical sheet resistance to the NIZO/Ag/NIZO multilayer electrode. The twisted nematic cell based on the NIZO/Ag/NIZO multilayer electrode exhibited superior electro-optical characteristics than those based on single NIZO electrode and was competitive compared to those based on the conventional ITO electrode. An LCD-based NIZO/Ag/NIZO multilayer electrode may allow new approaches to conventional ITO electrodes in display technology.
Functional transparent electrode was achieved by metal oxide-metal-Metal oxide (OMO) structure. Tailoring of metal oxide and metal layers, optically transparent and electrically excellent OMO films were investigated. Silver (Ag) is adopted for the metal layer and Ag oxide (AgO) is reactively formed by flowing O2 gas during the sputtering process. This spontaneous AgO formation from Ag simultaneously provides the good electrical interface with high transparency. Due to the feature of transparent electrode of OMO, it endows the shielding effect (SE) function of electromagnetic interference. Optically transparent and electrically conductive OMO electrode shows the high transmittance (83.7%) and low sheet resistance (6.5 Ω/☐) with SE of 29.54 dB.
In this study, we fabricate a thin- and dense-BCuP-5 coating layer, one of the switching device multilayers, through a plasma spray process. In addition, the microstructure and macroscopic properties of the coating layer, such as hardness and bond strength, are investigated. Both the initial powder feedstock and plasma-sprayed BCuP-5 coating layer show the main Cu phase, Cu-Ag-Cu3P ternary phases, and Ag phase. This means that microstructural degradation does not occur during plasma spraying. The Vickers hardness of the coating layer was measured as 117.0 HV, indicating that the fine distribution of the three phases enables the excellent mechanical properties of the plasma-sprayed BCuP-5 coating layer. The pull-off strength of the plasma-sprayed BCuP-5 coating layer is measured as 16.5 kg/㎠. Based on the above findings, the applicability of plasma spray for the fabrication process of low-cost multi-layered electronic contact materials is discussed and suggested.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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