• 정보처리학회논문지A
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• 제11A권3호
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• pp.163-172
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• 2004

멀티미디어 응용프로그램의 데이터는 주소 간격이 일정한 스트리밍 패턴으로 참조되는 특성이 있다. 이러한 특성을 선인출방법에 적용하여 멀티미디어 응용프로그램의 수행속도를 향상시킬 수 있다. 참조예측표에 의한 선인출방법은 메모리 참조명령어의 과거 기록을 이용하여 규칙적으로 참조되는 메모리주소를 예측한다. 이 논문은 참조예측표를 사용하는 하드웨어 기반의 규칙 선인출방법에서 효율적인 참조예측표 운영방법을 제안한다. 참조예측표에 입력되는 메모리 참조명령어는 스칼라데이터 참조명령어와 스트리밍데이터 참조명령어로 구성된다. 스칼라데이터 참조명령어는 선인출에 사용되지 않으므로 스칼라데이터 참조명령어를 우선적으로 교체함으로서, 참조예측표를 효과적으로 사용할 수 있다. 이방법은 기존 FIFO 방법과 비교할 때, 선인출에 사용되는 스트리밍데이터 참조명령어를 참조예측표에 더 오래 유지함으로써, 선인출 성능이 향상된다.

• 한국통신학회논문지
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• 제34권4C호
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• pp.349-354
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• 2009

H.264/AVC 디코더의 하드웨어 구현 시 실시간 동작을 위한 가장 큰 장애 요소 중 하나인 외부 메모리 엑세스량을 크게 줄인 움직임 보상 기법을 제안한다. H.264/AVC 디코더의 움직임 보상용 참조 영상은 큰 용량 때문에 대게 외부 메모리에 보관되며, 참조 영역은 수시로 디코더 코어 내부로 읽혀지게 되는데, 단순히 참조 영역 단위별 순차적 메모리 접근을 할 경우 그 데이터 엑세스 량은 디코더의 실시간 동작이 불가능할 정도로 막대할 수가 있다. 본 논문에서는 참조 영역을 매크로블럭 단위로 분석하여 가급적 적은 메모리 엑세스로 필요한 참조 영역을 읽어 들이는 방식을 제안하고 있으며, 실험 결과 제안된 움직임 보상 기법은 단순한 순차적 참조 블록별 데이터 접근 방식 대비 외부 메모리 사용 대역폭을 약 30% 감소시킴을 확인할 수 있었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제16권12호
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• pp.2725-2730
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• 2012

본 논문에서는 H.264/AVC 인코더의 성능 향상을 위해 다중 참조 프레임 기법과 묵시적 가중 예측 기법을 이용하고 낮은 외부 메모리 접근율을 위해 이전 참조 프레임 데이터를 재사용하는 인터 예측기 하드웨어 구조를 제안한다. 참조 소프트웨어JM16.0과 비교하여 참조 프레임 접근율이 약 24%만큼 감소하고 참조 영역 메모리가 약 46%만큼 감소하였다. 통합 구조는 Verilog HDL로 설계되고 Magnachip 0.18um공정으로 합성한 결과 게이트 수는 약 2,061k 이고 91Mhz로 동작한다.

• 전자공학회논문지
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• 제51권2호
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• pp.38-45
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• 2014

본 논문에서는 메모리 컴파일러를 정확하고 빠르게 특성화할 수 있도록 기준 메모리를 기반으로 특성화하는 방법을 제안하였다. 제안한 특성화 방법은 메모리 컴파일러의 정확도를 유지하면서 특성화 시간을 최소화하기 위해 메모리 컴파일러의 타이밍 경향을 분석하고 분석 결과를 토대로 기준 메모리를 선정하고, 메모리간의 경향성을 대변할 수 있도록 모델링하였다. 본 논문에서 제안한 방법론을 검증하기 위하여 130nm에서 개발된 메모리 컴파일러를 제안한 방법을 이용하여 110nm 메모리 컴파일러를 특성화하였다. 이를 통해 생성한 메모리들의 특성과 SPICE를 사용하여 특성화한 결과를 비교하여 메모리 타이밍의 평균 오차율은 ${\pm}0.1%$ 이내였으며 실제 110nm 공정을 사용하여 제작된 메모리 BIST(Built-In Self Test) 테스트 칩으로 기능 검사한 결과, 수율(Yield)이 98.8% 임을 확인하였다. 또한, 180nm 공정을 사용하여 비교한 결과, 수율이 98.3%로 그 유용성을 확인할 수 있었다.

• 한국정보과학회논문지:시스템및이론
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• 제36권6호
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• pp.543-556
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• 2009

최근 NAND 플래시메모리를 모바일시스템의 파일저장용 뿐 아니라 가상메모리의 스왑장치용으로 사용하려는 시도가 늘고 있다. 가상메모리의 페이지 참조는 시간지역성이 지배적이어서 LRU 및 이를 근사시킨 CLOCK 알고리즘이 널리 사용된다. 한편, NAND 플래시메모리는 읽기 연산에 비해 쓰기 연산의 비용이 높아 이를 고려한 페이지 교체 알고리즘이 필요하다. 본 논문에서는 가살메모리의 읽기/쓰기 참조 패턴을 독립적으로 분석하여 시간지역성이 강한 읽기 참조와 달리 쓰기 참조의 경우 시간지역성의 순위 역전 현상이 발생함을 발견하였다. 이에 근거하여 본 논문은 쓰기의 재참조 성향 예측을 위해 시간지역성뿐 아니라 쓰기 연산의 빈도를 함께 고려하는 페이지 교체 알고리즘을 제안한다. 새로운 알고리즘은 연산별 I/O 비용을 고려해서 메모리 공간을 읽기 연산과 쓰기 연산에 독립적으로 할당하고 참조 패턴의 변화에 적응해 할당 공간을 동적으로 변화시킨다. 알고리즘의 시간 오버헤드가 매우 적어 가상메모리 시스템에서 사용될 최적의 조건을 갖추고 있으며 파라미터 설정이 필요 없음에도 CLOCK, CAR, CFLRU 알고리즘에 비해 20-66% 정도의 I/O 성능을 향상시킴을 보였다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제17권3호
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• pp.363-369
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• 2017

Phase-change random access memory (PRAM) has been emerged as a potential memory due to its excellent scalability, non-volatility, and random accessibility. But, as the cell current is reducing due to cell size scaling, the read-sensing window margin is also decreasing due to increased variation of cell performance distribution, resulting in a substantial loss of yield. To cope with this problem, a novel adaptive read-sensing reference current generation scheme is proposed, whose trimming range and resolution are adaptively controlled depending on process conditions. Performance evaluation in a 58-nm CMOS process indicated that the proposed read-sensing reference current scheme allowed the integral nonlinearity (INL) to be improved from 10.3 LSB to 2.14 LSB (79% reduction), and the differential nonlinearity (DNL) from 2.29 LSB to 0.94 LSB (59% reduction).

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2006년도 하계종합학술대회
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• pp.777-778
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• 2006

In this thesis, we design and implement a Flash Cache Core Module (FCCM) which operates on the YAFFS NAND flash memory. The FCCM applies memory replacement policy and prefetching policy based on the page reference pattern of applications. Also, implement the Clean-First memory replacement technique considering the characteristics of flash memory. In this method the decision is made according to page hit to apply prefetched waiting area. The FCCM decrease I/O hit frequency up to 37%, Compared with the linux cache and prefetching policy. Also, it operated using less memory for prefetching(maximum 24% and average 16%) compared with the linux kernel.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제21권6호
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• pp.65-70
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• 2021

최근 모바일 앱의 수가 급증하면서 스마트폰의 메모리 크기 또한 크게 증가하고 있다. 메모리 매체인 DRAM은 모든 셀이 지속적인 전원재공급 연산을 수행해야 내용이 유지되는 휘발성 매체로 메모리 크기 증가 시 전력 소모도 그에 비례해 늘어난다. 최근 스마트폰의 메모리로 DRAM이 아닌 저전력의 비휘발성 메모리를 사용하여 배터리 소모를 줄이고자 하는 시도가 늘고 있다. 그러나, 비휘발성 메모리는 쓰기 연산에 취약성을 가지고 있어 이를 해결하기 위한 분석이 필요하다. 본 논문은 모바일 앱의 메모리 쓰기 참조 트레이스를 추출하고 그 특성을 다양한 각도에서 분석하였다. 본 논문의 연구 결과는 비휘발성 메모리가 메인 메모리로 채택되는 미래의 스마트폰 시스템에서 쓰기 효율성을 가진 메모리 관리 기법 설계에 널리 활용될 수 있을 것으로 기대된다.

• 전자공학회논문지B
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• 제33B권6호
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• pp.23-33
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• 1996

NUMA(Non-Uniform Memory Access)구조의 공유 메모리 다중처리기 시스템에서 참조 국지성의 활용은 병렬 처리의 성능에 큰 영항을 미친다. 본 논문에서는 운영체제가 참조 국지성을 관리하는데 도움을 주기위한 개선된 하드웨어 메모리 참조 카운터를 제시한다. 제신된 참조 카운터 방식에서는 기존의 참조 카운터들과는 달리 운영체제의 페이지 복사 정책을 다양한 메모리 참조 패턴에 적응시키기 위해 카운터의 값이 동적으로 그리고 주기적으로 조정된다. 우리는 실제 병렬 응용 프로그램들을 사용한 실행 구동형 시뮬레이션을 통해 제시된 "조정가능한 지연 카운터"가 이들의 성능에 미치는 영향을 평가하였다. 이 성능평가를 통해 '조정가능한 자연 카운터"를 이용한 메모리 복사 정책이 기존의 카운터를 이용한 정책보다 나은 성능을 보인다는 것과 시뮬레이션에 사용된 대부분의 병렬 응용 프로그램에 대해 고른 성능을 나타낸다는 것을 확인하였다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제16권1호
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• pp.31-38
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• 2016

A novel self-reference sense amplifier with parallel reading during writing operation is proposed. Read access time is improved compared to conventional self-reference scheme with fast operation speed by reducing operation steps to 1 for read operation cycle using parallel reading scheme, while large sense margin competitive to conventional destructive scheme is obtained by using self-reference scheme. The simulation was performed using standard $0.18{\mu}m$ CMOS process. The proposed self-reference sense amplifier improved not only the operation speed of less than 20 ns which is comparable to non-destructive sense amplifier, but also sense margin over 150 mV which is larger than conventional sensing schemes. The proposed scheme is expected to be very helpful for engineers for developing MRAM technology.