Seungmin Lee;Seong Cheol Jang;Ji-Min Park;Soon-Gil Yoon;Hyun-Suk Kim
Korean Journal of Materials Research
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v.33
no.11
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pp.491-496
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2023
As the demand for p-type semiconductors increases, much effort is being put into developing new p-type materials. This demand has led to the development of novel new p-type semiconductors that go beyond existing p-type semiconductors. Copper iodide (CuI) has recently received much attention due to its wide band gap, excellent optical and electrical properties, and low temperature synthesis. However, there are limits to its use as a semiconductor material for thin film transistor devices due to the uncontrolled generation of copper vacancies and excessive hole doping. In this work, p-type CuI semiconductors were fabricated using the chemical vapor deposition (CVD) process for thin-film transistor (TFT) applications. The vacuum process has advantages over conventional solution processes, including conformal coating, large area uniformity, easy thickness control and so on. CuI thin films were fabricated at various deposition temperatures from 150 to 250 ℃ The surface roughness root mean square (RMS) value, which is related to carrier transport, decreases with increasing deposition temperature. Hall effect measurements showed that all fabricated CuI films had p-type behavior and that the Hall mobility decreased with increasing deposition temperature. The CuI TFTs showed no clear on/off because of the high concentration of carriers. By adopting a Zn capping layer, carrier concentrations decreased, leading to clear on and off behavior. Finally, stability tests of the PBS and NBS showed a threshold voltage shift within ±1 V.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.24
no.3
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pp.173-176
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2011
The characteristic changes in ZnO thin film according to H- and O- plasma treatments have been studied by Photoluminescence (PL) spectroscopy at room temperature. The red shift of UV peak by 20-30 meV in PL spectra after plasma treatments is identified, which indicates that there are changes in the binding energy of bound exciton and/or the movement of energy levels of lattice defects and impurities. The width of UV peak is decreased after plasma treatments, which is believed to be closely related to the crystal quality of ZnO film. The increase of UV peak intensity after H-plasma treatment is also observed, and this could mean that the radiative recombination is strengthened because the hydrogen atoms in the plasma diffuse into the film where they passivate and neutralize the defects and the impurities.
In the present investigation, holographic interferometry was utilized for the first time to monitor in situ the thickness of the oxide film of aluminium samples during anodization processes in boric acid solutions. The anodization process (oxidation) of the aluminium samples was carried out by the technique of the electrochemical impedance spectroscopy(EIS), in different concentrations of boric acid (0.5-5.0% $H_3BO_3$) at room temperature. In the mean time, the real-time holographic interferometry was used to measure the thickness of anodized (oxide) film of the aluminium samples in solutions. Consequently, holographic interferometry is found very useful for surface finish industries especially for monitoring the early stage of anodization processes of metals, in which the thickness of the anodized film of the aluminium samples can be determined without any physical contact. In addition, measurements of electrochemical values such as the alternating current (A.C) impedance(Z), the double layer capacitance($C_{dl}$), and the polarization resistance(Rp) of anodized films of aluminium samples in boric acid solutions were made by the electrochemical impedance spectroscopy(EIS). Attempts to measure electrochemical values of Z, Cdl, and Rp were not possible by holographic interferometry in boric acid especially in low concentrations of the acid. This is because of the high rate of evolutions of interferometric fringes during the anodization process of the aluminium samples in boric acid, which made measurements of Z, Cdl, and Rp are difficult.
Ultrafine Indium tin oxide (ITO) nanoparticle was successfully fabricated by low temperature synthetic method (LTSM). Mean size of ITO nanoparticle is 5 nm, and uniformly dispersed with (222) orientated cubic structure. Using the nanoparticle, ITO thin film with good optical and electrical properties was fabricated by inkjet printing.
Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.23
no.1
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pp.169-175
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2009
In this experiment molybdeum oxide($MoO_3$) films were prepared by a magnetic null discharge(MND) sputtering system and fundamental properties by XRD, XPS and SEM analysis were investigated. The initial and mean insulation resistance of the same with $MoO_3$ film were about 1.4[$M{\Omega}$] and 800[$k{\Omega}$] under the condition of applied voltage of 400[V]. The preferred orientation in the films changed from(100) to (210) with substrate temperature. Two XPS peaks of the $MoO_3$ photoelectron were detected at the binding energies of 228.9[eV] and 232.4[eV], while the binding energy of the O1s peak was 532.6[eV]. The substrate temperature and reactivity gives large effects to the structure and growth of the film and system is also very useful for performing the uniform reactive deposition. It can be found from the result of a $MoO_3$ film deposition that the system is very useful for performing the uniform reactive sputtering.
Alumina composite membranes were prepared by chemical vapor deposition (CVD) using aluminum-tri-isopropoxide as a precursor. Porous alumina supports were used in deposition, which were in disk shape with mean pore diameter of 0.1 ${\mu}{\textrm}{m}$ and prepared by slip-coasting process. film deposition morphology on porous support was simulated through depositing alumina film on polycrystalline silicon pattern, and its step coverage observed by SEM showed one deviated from uniform step coverage. N2 permeability through composite membranes and the pressure dependence decreased as the deposition time increased. Initially, the N2 permeability of the top layer was tend to decrease rapidly, and then the degree of decrease in N2 permeability was tend to diminish with deposition time. The N2 permeability increased with heat treatment temperature and the crack was generated in top layer at 100$0^{\circ}C$.
We have investigated the properties of thin film transistors(TFT) fabricated using zinc tin oxide(ZTO) thin films deposited via on-axis sputtering and FTS methods. ZTO thin films deposited by FTS showed lower root-mean-square(RMS) roughness and more uniformity than those deposited via on-axis sputtering. We observed enhanced electrical properties of ZTO TFT deposited via FTS. The ZTO films were deposited at room temperature via on-axis sputtering and FTS. The as-deposited ZTO films were annealed at $400^{\circ}C$. The TFT using the ZTO films deposited via FTS process exhibited a high mobility of $12.91cm^2/V.s$, a low swing of 0.80 V/decade, $V_{th}$ of 5.78 V, and a high $I_{on/off}$ ratio of $2.52{\times}10^6$.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.29
no.2
s.233
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pp.287-293
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2005
In the present study, to determine the flow rate of droplets supplied to heat transfer surface after (j-1)th rebound, $D_X[j{\ge}2]^{\ast}$, it was assumed that the rebound droplets are distributed according to the Gaussian distribution from 0 to L, in which the flight distance L is determined by maximum flight distance $L_{max}$. We also assumed that $L_{max}$ is dependent on the air flow velocity and mean size of droplets. The local heat flux of a dilute spray in high temperature region was predicted using the newly evaluated $D_X[j{\ge}2]^{\ast}$. In addition, the predicted results by the present model were compared with the existing experimental data.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.27
no.7
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pp.1049-1058
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1990
Mathematical modeling equations of a parallel plate type reactor were obtained in the PECVD process in preparing hydrogenated amorphous silicon. Velocity profiles, temperature profiles and concentration profiles in the reactor were calculated from the model. The theoretical approach was attempted to obtain the deposition rate and film uniformity at different operating conditions by calculating RF discharge parameters and establishing the reaction mechanisms of a-Si:H thin film. The modelling equations are solved by a finite difference method with control volume balance. The mean electrom energy in discharge was applied to model simulation parameter. The magnitudes of the predicted deposition rate are in good aggrement with those of experiment. The results of computer simulation shows that uniform deposition profiles can.
Understanding the thermal conductivity and heat transfer processes in superlattice structures is critical for the development of thermoelectric materials and optoelectronic devices based on quantum structures. $Chen^{(1)}$ developed ballistic diffusive equation(BDE) for alternatives of the Boltzmann equation that can be applied to the complex geometrical situation. In this study, a simulation code based on BDE is developed and applied to the 1-dimensional transient heat conduction across a thin film and transient 2-dimensional heat conduction across the film with heater. The obtained results are compared to the results of the $Chen^{(1)}$ and Yang and $Chen^{(1)}$. Finally, steady 2-dimensional heat conduction in the quantum dot superlattice are solved to obtain the equivalent thermal conductivity of the lattice and also compared with the experimental data from $Borca-Tasciuc^{(2)}$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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