Molybdeum Oxide Film Preparation by a Magnetic Null Discharge Sputtering and its Application

In this experiment molybdeum oxide($MoO_3$) films were prepared by a magnetic null discharge(MND) sputtering system and fundamental properties by XRD, XPS and SEM analysis were investigated. The initial and mean insulation resistance of the same with $MoO_3$ film were about 1.4[$M{\Omega}$] and 800[$k{\Omega}$] under the condition of applied voltage of 400[V]. The preferred orientation in the films changed from(100) to (210) with substrate temperature. Two XPS peaks of the $MoO_3$ photoelectron were detected at the binding energies of 228.9[eV] and 232.4[eV], while the binding energy of the O1s peak was 532.6[eV]. The substrate temperature and reactivity gives large effects to the structure and growth of the film and system is also very useful for performing the uniform reactive deposition. It can be found from the result of a $MoO_3$ film deposition that the system is very useful for performing the uniform reactive sputtering.

자기 중성방전 스퍼터링에 의한 산화몰리브덴 박막의 제작 및 그 응용

본 실험에서 자계중성방전 스파트링 시스템으로 균일한 산화 몰리브덴 박막을 얻을 수 있었다. 한편, 열처리 조건에 따라 박막의 제반특성은 XRD, XPS 및 SEM 등으로 고찰되었다. 기판의 열처리 온도에 따라 결정성장배향이 (100)에서 (210)으로 변함으로써, 박막의 결정성이 향상되었으며, 박막의 구조는 치밀해졌다. 광전자 Mo3d의 XPS 피크치는 결합에너지 228.9[eV]과 232.4[eV]에서 검출되었지만, O1s 피크치는 532.6[eV]였다. 서지 전압으로 방전시험은 연속적으로 10회 수행되었다. 전류-전압 특성곡선으로부터, 400[V]의 전압이 인가된 상태에서 시료의 초기 및 평균 저항치는 1.4[$M{\Omega}$]과 800[$M{\Omega}$]이었다.