1 |
A. Suresh, P. Wellenius, A. Dhawan and J. Muth, Appl. Phys. Lett., 90, 123512 (2007).
DOI
|
2 |
H. J. Choi, H. J. Jung, S. G. Hur and S. G. Yoon (in Korean), J. KIEEME, 24, 126 (2011).
|
3 |
R. L. Hoff, Solid-State Electron., 50, 784 (2006).
DOI
|
4 |
H. J. Choi, S. G. Yoon, J. H. Lee and J. Y. Lee, ECS J. Solid State Sci. Technol., 1, Q106 (2012).
DOI
|
5 |
F. M. Hossain, J. Nishii, S. Takagi, A. Ohtomo and T. Fukumura, J. Appl. Phys., 94, 7768 (2003).
DOI
|
6 |
Y. Y. Choi, S. J. Kang and H. K. Kim, Curr. Appl. Phys., 12, S104 (2012).
|
7 |
Y. J. Kim, B. S. Yang, S. Oh, S. J. Han, H. W. Lee, J. Heo, J. K. Jeong and H. J. Kim, ACS Appl. Mater. Interfaces, 5, 3255 (2013).
DOI
|
8 |
J. M. Lee, B. H. Choi, M. J. Ji, J. H. Park, J. H. Kwon and B. K. Ju, Semicond. Sci. Technol., 24, 055008 (2009).
DOI
|
9 |
Y. Jeong, K. Song, K. Woo, T. Jun, Y. Jung and J. Moon (in Korean), Korean J. Mater. Res., 20, 401 (2010).
DOI
|
10 |
S. Martin, C. S. Chiang, J. Y. Nahm, T. Li, J. Kanicki and Y. Ugai, Jpn. J. Appl. Phys., 40, 530 (2001).
DOI
|
11 |
K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano and H. Hosono, Nature, 432, 488 (2004).
DOI
|
12 |
S. J. Seo, C. G. Choi, Y. H. Hwang and B. S. Bae, J. Phys. D: Appl. Phys., 42, 035106 (2009).
DOI
|
13 |
P. Barquinha, A. M. Vila, G. Goncalves, L. Pereira, R. Martins, J. R. Morante and E. Fortunate, IEEE Trans. Electron Dev., 55, 954 (2008).
DOI
|
14 |
J. S. Lee, Y. J. Kim, Y. U. Lee, Y. H. Kim, J. Y. Kwon and M. K. Han, Jpn. J. Appl. Phys., 51, 061101 (2012).
DOI
|
15 |
H. Q. Chiang, J. F. Wager, R. L. Hoffman, J. Jeong and D. A. Keszler, Appl. Phys. Lett., 86, 013503 (2005).
DOI
|
16 |
B. D. Ahn, D. W. Choi, C. Choi and J. S. Park, Appl. Phys. Lett., 105, 092103 (2014).
DOI
|