It is very important that get polishing characteristic that to be stable that accomplish planarization of high efficiency in chemical mechanical polishing, and there is repeatability Groove of pad causes much effects in flow of slurry among various factors that influence in polishing characteristic, is expected to cause change of lubrication state and polishing characteristic in contact between wafer and pad. Therefore, divided factors of pad groove by groove pattern, groove profile, groove dimensions. This research wishes to study effect that dimension of pad groove gets in polishing performance. When changed dimension (width, depth, pitch of groove) of groove, measured change of removal rate and friction force. According as groove dimension changes, could confirm that removal rate and friction force change. While result of this experiment studies effect of pad groove in CMP, it is expected to become small help.
In this paper, a polishing pad has been analyzed in detail, to understand surface phenomena of polishing process. The polishing pad plays a key role in polishing process and is one of the important layer in polishing process, because it is a reaction layer of polishing[1]. Pad surface physical property is also ruled by pad profile. The profile and roughness of pad is controlled by different types of conditioning tool. Conditioning tool add mechanical force to pad, and make some roughness and profile. Formed pad surface will affect on polishing performance such as RR (Removal Rate) and uniformity in CMP Pad surface condition is changed by conditioning tool and dummy run and is stable at final. And this research, we want to reduce break-in and dummy polishing process by analysis of pad surface and artificial machining to make stable pad surface. The surface treatment or machining enables to control the surface of polishing pad. Therefore, this research intends to verify the effect of the buffing process on pad surface through analysis of the removal rate, friction force and temperature. In this research, urethane polishing pad which is named IC pad(Nitta-Haas Inc.) and has micro pore structure, is studied because, this type of pad is most conventional type.
반도체 웨이퍼의 표면을 연마하여 평탄화하는 Chemical Mechanical Planarization(CMP) 공정은 다양한 화학물질과 물리적인 기계장치에 의한 작용을 받기 때문에 공정을 안정적으로 관리하기 힘들다. CMP 공정에서 품질 지표로는 Material Removal Rate(MRR)를 많이 사용하고, CMP 공정의 안정적 관리를 위해서는 MRR을 예측하는 것이 중요하다. 본 연구에서는 머신러닝 기법들을 이용하여 CMP 공정에서 수집된 시계열 센서 데이터를 분석하여 MRR을 예측하는 모형과 공정 품질을 해석하기 위한 분류 모형을 개발한다. 나아가 분류 결과를 분석하여, CMP 공정 품질에 영향을 미치는 유의미한 변수를 파악하고 고품질을 유지하기 위한 공정 조건을 설명한다.
An ultrasonic machining process has been known as efficient and economical means fer precision machining of glass or ceramic materials. However, because of its complexity, the mechanism of the machining process is still not well understood. Therefore, it is hard to optimize the process parameters effectively. The conventional ultrasonic machining which uses the abrasive slurry only, furthermore, is time-consuming and gives the relatively rough surface. In order to increase the material removal rate and improve the integrity of the machined surface, we have introduced the novel ultrasonic machining technique, Chemical-assisted UltraSonic Machining(CUSM). The desktop-style micro ultrasonic machine has been developed and the z-axis feed is controlled by the constant load control algorithm. To obtain the chemical effects, the low concentration HF(hydrofluoric acid) solution, which erodes glass, added to alumina slurry. Through various experiments and comparison with conventional results, the superiority of CUSM is verified. MRR increases over 200%, the surface roughness is improved and the machining load decreases dramatically.
In mold machining, there are many concave machining regions where chatter and tool deflection occur since MRR (material removal rate) increases as curvature increases even though cutting speed and depth of cut are constant. Boolean operation between stock and tool model is widely used to compute MRR in NC milling simulation. In finish cutting, the side step is reduced to about 0.3mm and tool path length is sometimes over 300m. so Boolean operation takes long computation time and includes much error if the resolution of stock and tool model is larger than the side step. In this paper, curvature of CL(cutter location) surface and side step of tool path is used to compute the feedrate for constant MRR machining. The data structure of CL surface is Z-map generated from NC tool path. The algorithm to get local curvature from discrete data was developed and applied to compute local curvature of CL surface. The side step of tool path was computed by point density map which includes cutter location point density at each grid element. The feedrate computed from curvature and side step is inserted to new tool path to regulate MRR. The resultants wire applied to feedrate optimization system which generates new tool path with feedrate from NC codes for finish cutting. The system was applied to speaker mold machining. The finishing time was reduced to 12.6%. tool wear was reduced from 2mm to 1.1mm and chatter marks and over cut on corner were removed.
The rotary feed axes of a 5-axis machine tool can increase the freedom of the tool posture, while reducing feed speed and rigidity. In addition, as a ball-end mill is inevitably used during machining by rotational feed, the step-over length is reduced compared to the flat-end mill, thereby reducing the material removal rate. Therefore, this study attempts to improve the material removal rate, feed speed, and machining stability using the corner radius flat-end mill and a fixed controlled machining method for the rotary feed axes during roughing. In addition, the tapered ball-end mill and simultaneously controlled machining method for the rotary feed axes were used for finishing to improve the propeller's 5-axis machining efficiency by enhancing the surface quality. In order to create the tool path effectively and easily, we propose a specific approach for using the propeller's geometric properties and evaluate the effectiveness of the proposed method by comparing it with the method of the dedicated module.
This study has focused on the effect of ultrasonic vibration table in ELID grinding process of aluminum nitride ceramics. Aluminum nitride ceramics has superior physical and chemical properties and widely used in IC, LSI substrate, package and so on. To achieve the high effective machining of brittle and high strength ceramics as like aluminum nitride, machining method combined ELID grinding and ultrasonic vibration has been adopted in this study. From the experimental results, material removal rate, MRR has been increased maximum 36 percent and spindle resistance has been decreased in using ultrasonic table. Surface roughness of ground surface became a little worse in using ultrasonic table but was somewhat improved in feed direction.
As the integrated circuit device shrinks to the smaller dimension, the chemical mechanical polishing (CMP) process was required for the global planarization of inter-metal dielectric(IMD) layer with free-defect. However, as the IMD layer gets thinner, micro-scratches are becoming as major defects. Chemical-Mechanical Planarization(CMP) of conductors is a key process in Damascene patterning of advanced interconnect structure. The effect of alternative commerical slurries pads, and post-CMP cleaning alternatives are discuess, with removal rate, scratch dentisty, surface roughness, dishing, erosion and particulate density used as performance metrics. Electroplated copper depostion is a mature process from a historical point of view, but a very young process from a CMP persperspective. While copper electrodepostion has been used and stuidied for dacades, its application to Cu damascene wafer processing is only now ganing complete accptance in the semiconductor industry. The polishing mechanism of Cu CMP process has been reported as the repeated process of passive layer formation by oxidizer and abrasion action by slurry abrasives. however it is important to understand the effect of oxidizer on copper pasivation layer in order to obtain higher removal rate and non-uniformity during Cu-CMP process. In this paper, we investigated the effects of oxidizer on Cu-CMP process regarding the additional volume of oxidizer.
Multi-pole anisotropic Sr-ferrite sintered magnets has been studied by powder injection molding under applied magnetic field. The orientation of anisotropic Sr-ferrite powders higher than 80% during injection molding is achieved at the following conditions; apparent viscosity lower then 2500 poise in 1000 $sec^{-1}$ shear rate and applied magnetic field higher then 4 kOe. For the high fluidity and strength of injection molded compact, and the effective binder removal without defects during solvent extraction and thermal debinding, the optimum multi-binder composition is paraffin wax(PW)/carnauba wax(CW)/HDPE = 50/25/25 wt%. The rate of binder removal is proportional to the mean particle size of Sr-ferrite powders whereas it is inversely proportional to the content of Sr-ferrite powders and the sample thickness. The high magnetic properties of Sr-ferrite sintered magnets are; 3.8 kG of remanent flux density, 3.4 kOe of intrinsic coercivity, and 1.2 kG of surface flux density (l-mm-thick) in the direction of applied magnetic field.
Chemical mechanical polishing (CMP) process is one of the most useful methods for improving the surface roughness of films. The effects of CMP on the surface morphology of WO$_3$ films prepared by RF sputtering system were investigated in this paper. A removal rate of films increased, and the uniformity performance of surface decreased with the addition of an oxidizer to the tungsten slurry. Non-uniformity performance of surface was superior as its value was below 5 % when oxidizers of 5.0 vol% and 2.5 vol%, respectively, were added to the tungsten slurry. The optimized oxidizer concentration, reflected both the improved roughness values and hillock-free surface with the good uniformity performance, was 5.0 vol% as an atomic force microscopy(AFM) analysis of thin film topographies. Our CMP results will be a useful reference for advanced technology of thin films for gas sensor applications in the near future.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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