역삼투식 해수담수화 (Sea Water Reverse Osmosis, SWRO) 공정에 의한 생산수는 pH가 낮고, 해수 내 존재하는 경도성분인 Ca, Mg 이온이 대부분 제거되기 때문에 상대적으로 매우 강한 부식성을 지니고 있다. 이를 음용수 및 공업용수로 이용 시 설비 및 배관계통에 심각한 부식문제를 유발할 수 있으며, 이를 방지하기 위한 처리공정과 부식성 제어 기술의 지속적인 개발이 요구되는 실정이다. SWRO 1단으로 처리 시 생산수의 전기전도도는 $150{\mu}S/cm$ 정도의 범위를 보이며, 2단 SWRO 과정을 거칠 시 전기전도도는 $100{\mu}S/cm$ 이하의 범위를 나타내는 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 SWRO 2단 처리수를 가정한 $20{\mu}S/cm{\sim}25{\mu}S/cm$ 범위의 전기전도도를 지닌 물을 실험 원수로 사용하여, 기존 방식제의 성분과 생산수의 특성을 고려한 효율적인 알칼리성 수처리제를 적용하고 그에 대한 부식성 제어 연구를 수행하였다. SWRO 생산수를 대상으로 부식방지기술을 개발하기 위해서는 부식제어와 관련된 수질 인자인 pH, 칼슘경도, 알칼리도의 조절과 LSI(Langelier Saturation Index)를 설정하는 것이 무엇보다도 중요하다. 본 연구에서는 해수담수화 공정의 생산수를 음용수 및 공업용수로 이용하기 위한 목표 수질을 pH 7.5~7.8, LSI 0 이상, 부가적으로 전기전도도는 $250{\mu}S/cm$ 이하로 설정하였으며, 연구목표 수질을 달성할 수 있는 부식억제제 및 알칼리성 수처리제의 적용을 통해 목표 수질에 대한 설정 근거를 마련하고자 하였다.
최근 large scale integrated circuits(LSI) 및 printed circuit board(PCB)의 세밀화가 전자기기의 소형화로 인하여 필수 불가결하게 되었다. 전해 도금은 LSI및 PCB의 전도도 및 부식저항을 향상시키기 위해서 전도성 라인의 말단에 적용되고 있다. 그러나 회로 기판의 소형화 및 고직접화로 인하여 적용되지 못하고 있다. 따라서 최근 무전해 도금은 복잡한 장치와 외부에서 전원을 필요치 않는 작동의 간편함 때문에 매우 각광 받고 있는 방법 중의 하나이다. 본 연구는 무전해 니켈/금도금의 도금 기술 개발을 위해 시험하였다. 무전해 니켈 도금은 $85^{\circ}C$의 도금 욕에서 PCB기판 위에 침적 시켰고 그 다음 금층은 동일한 방법으로 $90^{\circ}C$에서 니켈 층위에 침적 시켰다. Bonderbility는 무전해 니켈/금도금의 안정성을 평가하기 위해 gold wire 또는 solder ball 테스트로 실험하였다.
In this study, the sensitivity of an active pixel sensor (APS) was adjusted by employing a gate/body-tied (GBT) p-channel metal-oxide semiconductor field-effect transistor (PMOSFET)-type photodetector with a transfer gate. A GBT PMOSFET-type photodetector can amplify the photocurrent generated by light. Consequently, APSs that incorporate GBT PMOSFET-type photodetectors are more sensitive than those APSs that are based on p-n junctions. In this study, a transfer gate was added to the conventional GBT PMOSFET-type photodetector. Such a photodetector can adjust the sensitivity of the APS by controlling the amount of charge transmitted from the drain to the floating diffusion node according to the voltage of the transfer gate. The results obtained from conducted simulations and measurements corroborate that, the sensitivity of an APS, which incorporates a GBT PMOSFET-type photodetector with a built-in transfer gate, can be adjusted according to the voltage of the transfer gate. Furthermore, the chip was fabricated by employing the standard 0.35 ㎛ complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) technology, and the variable sensitivity of the APS was thereby experimentally verified.
This paper describes a novel converter to implement high-speed binary-to-residue conversion for moduli 2$^{n}$ - 1, 2$^{n}$ , 2$^{n}$ +2$^{\alpha}$/($\alpha$$\in${0,1,…,n-1}) without using look-up table. In our implementation, the high-speed converter can be achieved, because of the modulo addition time is independent of the word length of operands by using the Signed-Digit (SD) adders inside the modulo adders. For a LSI implementation of residue SD number system with ordinary binary system, the proposed binary-to-residue converter is the efficient circuit.cient circuit.
We report a nickel optical MEMS switch, being able to rotate through a large angle and to accommodate multiple channels. The proposed optical switch consists of a thin nickel mirror and two torsion springs supporting the mirror. The torsion springs are designed using a finite element method (FEM) such that plastic deformation of the thin nickel is avoided during the large torsion actuation. For switching speed improvement, transient vibration of the released mirror is suppressed by optimizing the mirror design and a fast switching response of $200\;{\mu}s\;(pull-down)/300\;{\mu}s\;(pull-up)$ is demonstrated.
This paper describes the design of AATM switch LIS of shared buffer type with linked-list architecture to control memory access. The proposed switch LSI consists of the buffer memory, controller and FIFO memory blocks and two special circuits to avoid the cell blocking. One of the special circuit is a new address control scheme with linked-list architecture which maintains the address of buffer memory serially ordered from write address to read address. All of the address is linked as chain is operated like a FIFO. The other is slip-flag register it will be hold the address chain when readaddress missed the reading of data. The circuits control the buffer memory efficiently and reduce the cell loss rate. As a result the designed chip operates at 33ns and occupied on 2.7*2.8mm$^{2}$ using 0.8.mu.m CMOS technology.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제9권2호
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pp.75-79
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2009
A system-on-a-chip communication architecture has a significant impact on the performance and power consumption of modern multi-processors system-on-chips (MPSoCs). However, customization of such architecture for a specific application requires the exploration of a large design space. Thus, system designers need tools to rapidly explore and evaluate communication architectures. In this paper we present the method for application-specific low-power bus architecture synthesis at system-level. Our paper has two contributions. First, we build a bus power model of AMBA AXI bus communication architecture. Second, we incorporate this power model into a low-power architecture exploration algorithm that enables system designers to rapidly explore the target bus architecture. The proposed exploration algorithm reduces power consumption by 20.1% compared to a maximally connected reduced matrix, and the area is also reduced by 20.2% compared to the maximally connected reduced matrix.
A prototype of a linear real-time ultrasound B-scanner has been developed which has an axial resolution of 1-2mm and lateral resolution of 2-3mm. In the actual hardware and software implementations of the B-scanner, the following features were emphasized; (1) a dynamic focusing to improve resolution; (2) signal processing to obtain low noise image; (3) various functions for the user's convenience' (4) simplification of the system by an extensive use of recently developed LSI's; (5) development of a prototype at the level of a commercial product. This paper reports the experimental results of the overall system and the design approach of the analog part. The work on the digital part of the B-scanner is reported in part (II) seperately.
Journal of information and communication convergence engineering
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제9권2호
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pp.155-160
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2011
In distributed source localization where sensors transmit measurements to a fusion node, we address the sensor selection problem where the goal is to find the best set of sensors that maximizes localization accuracy when quantization of sensor measurements is taken into account. Since sensor selection depends heavily upon rate assigned to each sensor, joint optimization of rate allocation and sensor selection is required to achieve the best solution. We show that this task could be accomplished by solving the problem of allocating rates to each sensor so as to minimize the error in estimating the position of a source. Then we solve this rate allocation problem by using the generalized BFOS algorithm. Our experiments demonstrate that the best set of sensors obtained from the proposed sensor selection algorithm leads to significant improvements in localization performance with respect to the set of sensors determined from a sensor selection process based on unquantized measurements.
본 논문은 페라이트의 온도특성을 측정하기 위한 다중측정시스템의 설계에 관하여 연구한 것이다. 본 시스템은 전기로의 온도를 제어하기 위한 열전대 콘트롤러, 릴레이 동작을 제어하기 위한 릴레이 콘트롤러 및 릴레이를 구동시키기 위한 스윗칭부, 그리고 GPIB를 이용한 LCR메터 제어부와 이들을 마이크로 컴퓨터와 통신하기 버스 라인으로 구성하였다. 열전대 콘트롤러와 릴레이 콘트롤러는 8255A(Intel LSI)를 주로 이용하여 설계하였으며 릴레이로는 고주파용 릴레이를 사용하여 스윗칭 트랜지스터로 구동시키는 방법을 택하였다. 그리고 LCR-메터에는 GPIB(AD50488)보드를 사용하였다. 측정시료로서는 복합첨가제방식에 의하여 제작된 Mn-Zn-Fe계 페라이트의 시편을 사용하였으며 시료의 특성측정은 자체 제작한 자동계측시스템을 이용하여 분석하였다. 측정결과 온도보상점 T$_{o}$ 와 큐리온도 T$_{c}$ 바로 아래에서 투자율의 급격한 변화를 확인할 수 있었다. 그리고 특성의 계측에 있어서 일관성이 있고 정확한 자료를 얻을 수 있었으며 따라서 본 시스템이 인터페이스와 컴퓨터 사이의 연결성이 좋은 자동다중계측시스템으로 활용 할 수 있음을 확인한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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