Objective: This study was conducted to determine reduction of various odorous materials from a swine farm equipped with a continuous pit recirculation system (CPRS) with aerobically treated liquid manure. Methods: The CPRS is used in swine farms in South Korea, primarily to improve air quality in pig houses. In this study, CPRS consists of a manure aerobic treatment system and a fit recirculation system; the solid fraction is separated and composted, whereas the aerobically treated liquid fraction (290.0%±21.0% per day of total stored swine slurry) is continuously returned to the pit. Four confinement pig barns in three piggery farms were used; two were equipped with CPRS and the other two operated a slurry pit under the slatted floor. Results: All chemical contents of slurry pit manure in the control were greater than those of slurry pit manure in the CRPS treatment (p<0.05). Electrical conductivity and pH contents did not differ among treatments. The biological oxygen demand of the slurry pit treatment was greater than that of the other treatments (p<0.05). Total nitrogen, total phosphorus, and ammonia nitrogen contents of the slurry pit treatment were greater than those of other treatments (p<0.05). Odor intensity of the CPRS treatment was lower than that of the control at indoor, exhaust, and outside sampling points (p<0.05). The temperature and carbon dioxide of the CPRS treatment in the pig barn was significantly lower than those of control (p<0.05). All measured odorous material contents of the CPRS group were significantly lower than those of the control group (p<0.05). Conclusion: The CPRS application in pig farms is considered a good option as it continuously reduces the organic load of animal manure and lowers the average odorant concentration below the threshold of detecting odorous materials.
In this study, we fabricated the flexible pentacene TFTs with the polymer gate dielectric and contact printing method by using the silver nano particle ink as a source/drain material on plastic substrate. In this experiment, to lower the cross-linking temperature of the PVP gate dielectric, UV-Ozone treatment has been used and the process temperature is lowered to $90^{\circ}C$ and the surface is optimized by various treatment to improve device characteristics. We tried various surface treatments; $O_2$ Plasma, hexamethyl-disilazane (HMDS) and octadecyltrichlorosilane (OTS) treatment methods of gate dielectric/semiconductor interface, which reduces trap states such as -OH group and grain boundary in order to improve the OTFTs properties. The optimized OTFT shows the device performance with field effect mobility, on/off current ratio, and the sub-threshold slope were extracted as $0.63cm^2 V^{-1}s^{-1}$, $1.7{\times}10^{-6}$, and of 0.75 V/decade, respectively.
온도가 담배나방 발육에 미치는 영향을 알아보기 위하여 18~$33^{\circ}C$ 사이의 7개 온도조건에서 인공사료를 이용하여 광주기 14:10 조건에서 사육하였다. 알, 유충, 용의 발육기간은 전체 발육기간에 대해서 각각 10, 48, 42% 정도를 점유하였다. 발육영점온도는 알, 유충, 용, 전체발육기간(알에서 성충까지)에 따라 각각 8.62, 12.65, 11.64, $11.89^{\circ}C$였다. 평균발육속도를 Sharpe와 Demichele(1977)이 제시한 비선형모델에 적용한 결과 온도에 따른 발육특성을 잘 설명할 수 있는 것으로 나타났으며 ($r^2$=0.993~0.996), 발육기간분포의 특성을 알기 위하여 정규화한 누적발유기간분포를 Weibull분포에 적용한 결과 높은 적합성을 나타내었다($r^2$=0.987~0.999).
온난화에 따른 벼의 생산량 변화는 우리나라뿐만 아니라 동아시아의 식량 수급에 매우 중요한 이슈 중 하나이다. 본 연구에서는 야외 온도보다 $0{\sim}3^{\circ}C$ 높은 환경을 형성해 주는 야외 온도구배챔버(TGFC)를 이용하여 고온이 벼의 생육과 생산량에 미치는 영향을 실험하였다. 챔버는 A, B, C 총 3개를 본 연구에 이용하였으며, C챔버는 출수기 이후 온도구배 처리를 하지 않았다. 벼 품종은 중만생종인 일미를 중묘로 이앙하였으며, 비료는 표준 시비량을 고려하여 N(질소) 9 kg, P(인) 4.5kg, K(칼륨) 5.7kg을 기준으로 처리하였다. A, B, C 모든 챔버에서 영양생장기 동안 고온 조건의 벼가 상대적으로 생육 속도가 빨랐다. 하지만, 출수 후 40일 동안의 평균 온도로 정의한 등숙기 온도가 계속 고온으로 유지될 경우 등숙률과 평균 종실 중이 온도에 비례하여 점진적으로 감소하였다. 특히 2016년 기상 조건을 기점으로 등숙기 온도가 증가함에 따라 불임이 증가하여 등숙률은 급격히 감소하였고, 그 영향으로 단위 면적당 수량도 크게 낮아졌다. 결국 동화산물의 분배 불균형을 초래해 출수 이후에도 잎의 엽록소 함량이 낮아지지 않았으며 비정상적인 늦이삭이 출현하였다. 하지만 늦이삭의 생산량이 고온으로 인해 감소한 정상 이삭의 생산량을 만회하기에는 매우 부족한 정도였다. 향후 지구 온난화로 인한 벼 생육기간의 고온은 벼의 생육을 촉진시키고, 출수 및 개화시기를 단축시키며 등숙기에도 고온이 지속 될 시 등숙률과 평균종실의 무게를 감소시켜 최종적으로 벼의 생산량 및 품질을 감소시킬 것으로 예측된다.
광주기 16:8(명기:암기) 온도 $23^{\circ}C$ 이상 $30^{\circ}C$ 이하의 실험실 조건에서 코드링나방(Laspeyresia pomonella) 수컷의 활동리듬을 활동력 측정장치로 조사한 바, 소등시에 한번(제1활동기)과 점등시에 한번(제2활동기)의 두 번의 활동최성기를 나타내었다. 제1활동기는 소등 $5{\sim}6$시간 전에 시작되었으며 소등신호에 의해 활동시작시간이 결정되는 것으로 나타났다. 또한 계속조명조건에서는 활동주기가 24시간보다 약간 길어지는 경향이었으며 이는 곤충의 일주활동성의 특성에 부합되는 것으로 나타났다. 광주기 16:8 하에서 $11.3^{\circ}C$ 부터 $30^{\circ}C$까지 8단계의 온도조건을 두어 숫나방의 활동리듬을 조사한 결과 $11.3^{\circ}C$에서는 전혀 활동하지 못하였다. 또한 $20^{\circ}C$ 이하의 온도에서는 제2활동기가 나타나지 않았으며 $18^{\circ}C$ 이하에서는 제1활동기 중 암기에서의 활동이 완전히 억제되었다. 온도범위 $20^{\circ}C{\sim}30^{\circ}C$ 하에서는 온도가 상승함에 따라 제2활동기와 제1활동기 중 암기에서의 활동성이 증대되었다. 이러한 온도상승에 따른 제1활동기의 암기에서의 활동력 증대로 인하여 활동 평균시간이 암기쪽으로 이동하였다. 코드링나방의 온도에 따른 평균 활동시간의 변동은 상기한 저온에서의 암기에 활동력 감퇴에 의해 나타나는 것으로 추정된다.
현미를 사료로하여 네가지 정온도조정에서(25, 28, 34, $36^{\circ}C$$\pm$$0.5^{\circ}C$, RH 70%)에서 거짓쌀도둑(Tribilium castaneum Herbst)의 각 충태별 평균발육기간($\pm$SE)을 산출하였으며, 이를 기초로하여 발육임계온도를 추정하였다. 난의 평균발육기간은 각 온도에서 7.6$\pm$0.25, 4.8$\pm$0.10, 3.0$\pm$0.03, 2.5$\pm$0.09일, 유충에서 각각 53.3$\pm$1.49, 33.4$\pm$0.57, 30.6$\pm$0.70, 31.0$\pm$1.18일, 용에서 각각 12.1$\pm$0.17, 7.8$\pm$0.09, 5.0$\pm$0.07일로 산출되었으며, 난에서 성충우화시기까지의 전발육기간은 각각72.3$\pm$1.67, 46.0$\pm$0.05, 39.4$\pm$0.64, 38.7$\pm$1.15일로 산출되었다. 난과 용의 발육기간은 밀과 옥수수같은 다른 식이조건에서와 유사하였으나, 섭식을 하는 유충기의 발육은 밀보다 현미에서 상대적으로 지체되는 현상을 보였다. 한편 현미를 섭취했을 경우, 밀을 섭취했을 때 보다 발육중 치사율이 높아 밀에 비해 현미가 저급의 식물임을 보여주었다. 거짓쌀도둑 난, 유충 용 및 전발육기간의 저온발육임게온도는 각 충태 공히 $20.0^{\circ}C$로 산출되었으며, 유충과 전발육기간의 고온발육임계온도는 각각 $40.2^{\circ}C$와 $41.9^{\circ}C$로 추정되었다. 영기수는 온도에 상관없이 최빈치 7회를 나타냈지만, 온도의 상승에 따라 7회 이상 탈피하는 비율이 높아지는 경향을 보였다. 성비는 온도와 무관한 것으로 나타났다.
The purpose of this study is to analyze skin wettedness($w$) used as the rate index of thermal comfort, and to evaluate the wear comfort of outdoorwear. Skin wettedness is widely used to express the degree of thermal comfort. If skin wettedness exceeds a certain threshold, the body feels damp and discomfort. An experiment which consisted of rest(30 min), exercise(30 min) and recovery(20 min) periods was administered in a climate chamber with 10 healthy male participants. Two kinds of outdoorwears made of 100% cotton fabrics (Control) and specially engineered fabrics having feature of quick sweat absorbency and high speed drying fabric (Functional) were evaluated in the experiment. The condition of climate chamber was controlled according to the thermal insulation of 4 kinds of experimental ensembles(E1~E4). Total sweat loss, sweat loss absorbed into clothing and skin temperature were measured. Skin wettedness was calculated from the ratio of evaporative rate to the maximal evaporative capacity. Skin wettedness of 'Functional' was lower than 'Control' in the 3 kinds of ensembles(E1, E2, E4) because the materials of 'Functional' were composed of quick sweat absorbency and high speed drying fabrics, water vapour permeability and waterproof fabrics.
본 연구에서는 가속된 이온이 전기장이 걸려있는 freestanding 단결정 실리콘 나노 박막에 충돌했을 때 발생하는 열-전계 전자 방출 특성을 여러 전계 및 열적 조건 아래 체계적으로 분석하였다. 이온 충돌에 의한 열-전계 전자 방출은 쇼트키 효과 (schottky effect)의 선형영역의 특성에 의해 예측된 바와 같이 전계의 세기가 증가할수록 선형적으로 증가했으며, 이온 충돌에 의해 발생하는 열에너지의 제곱에 비례하는 특성을 보여주었다. 이러한 특성들은 실리콘 나노 박막의 질량 분석기용 이온 검출기로의 사용 가능성을 보여준다.
Organic thin film transitors(OTFT) are of interest for use in broad area electronic applications. And recently organic electroluminescent devices(OELD) have been intensively investigated for using in full-color flat-panel display. We have fabricated inverted-staggered structure OTFTs at lower temperature using the fused-ring polycyclic aromatic hydrocarbon pentacene as the active eletronic material and photoacryl as the organic gate insulator. The field effect mobility is 0.039∼0.17 ㎠/Vs, on-off current ratio is 10$\^$6/, and threshold voltage is -7V. And here we report the study of driving emitting, Ir(ppy)$_3$, phosphorescent OELD with all organic thin film transistor and investigated its electrical characteristics. The OELD with a structure of ITO/TPD/8% Ir(ooy)$_3$ doped in BCP/BCP/Alq$_3$/Li:Al/Al and OTFT with a structure of inverted-stagged Al(gate electrode)/photoacry(gate insulator)/pentacene(p-type organic semiconductor)/ Au(source-drain electrode) were fabricated on the ITP patterned glass substrate. The electrical characteristics are turn-on voltage of -10V, and maximum luminance of about 90 cd/㎡. Device characteristics were quite different with that of only OELD.
Silicon Carbide (SiC) is the material with the wide band-gap (3.26 eV), high critical electric field (~2.3 MV/cm), and high bulk electron mobility (~900 $cm^2/Vs$). These electronic properties allow attractive features, such as high breakdown voltage, high-speed switching capability, and high temperature operation compared to Si devices. In general, device design has a significant effect on the switching and electrical characteristics. It is known that in this paper, we demonstrated that the switching performance and breakdown voltage of IGBT is dependent with doping concentration of p-base region and drift layer by using 2-D simulations. As a result, electrical characteristics of SiC-IGBT deivce is higher breakdown voltage ($V_B$= 1,600 V), lower on-resistance ($R_{on}$= 0.43 $m{\Omega}{\cdot}cm^2$) than Si-IGBT. Also, we determined that processing time and cost is reduced by the depth of n-drift region of IGBT was reduced.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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