• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권11호
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• pp.21-27
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• 2004

본 논문에서는 60 GHz 무선 LAN(wireless local area network) 응용을 위해 0.1 ㎛ Γ-gate pseudomorphic high electron mobility transistor(PHEMT)를 이용하여 V-band용 millimeter-wave monolithic integrated circuit(MIMIC) 저잡음 증폭기를 설계 및 제작하였다. 본 연구에서 개발한 PHEMT의 DC 특성으로 드레인 포화 전류 밀도(Idss)는 450 mA/mm, 최대 전달컨덕턴스(gm, max)는 363.6 mS/mm를 얻었으며, RF 특성으로 전류이득 차단주파수(fT)는 113 GHz, 최대 공진 주파수(fmax)는 180 GHz의 성능을 나타내었다. V-band MIMIC 저잡음 증폭기의 개발을 위해 PHEMT의 비선형 모델과 CPW 라이브러리를 구축하였으며, 이를 이용하여 V-band MIMIC 저잡음 증폭기를 설계하였다. 설계된 V-band MIMIC 저잡음 증폭기는 본 연구에서 개발된 PHEMT 기반의 MIMIC 공정을 이용해 제작되었으며, V-band MIMIC 저잡음 증폭기의 측정결과, 60 GHz에서 S21이득은 21.3 dB, 입력반사계수는 -10.6 dB 그리고 62.5 GHz에서 출력반사계수는 -29.7 dB의 특성을 나타내었다. V-band MIMIC 저잡음 증폭기의 잡음지수 측정결과, 60 GHz에서 4.23 dB의 특성을 나타내었다.

• 한국항해항만학회지
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• 제28권3호
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• pp.213-219
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• 2004

본 논문에서는 1,452∼l,492 MHz L-Band 대역의 위성 DAB 수신기를 위한 저잡음증폭기를 입ㆍ출력 반사계수와 전압정재파비를 개선하기 위하여 평형증폭기 형태로 설계 및 제작하였다. 저 잡음증폭기는 GaAs FET소자인 ATF-10136을 사용한 저 잡음증폭단과 MMIC 소자인 VNA-25을 사용한 이득증폭단을 하이브리드 방식으로 구성하였으며, 최적의 바이어스를 인가하기 위하여 능동 바이어스 회로를 사용하였다. 적용된 능동 바이어스 회로는 소자의 펀치오프전압($V_P$)과 포화드래인 전류($I_{DSS}$)의 변화에 따라 주어진 바이어스 조건을 만족시키기 위해 소스 저항과 드래인 저항의 조절이 필요없다. 즉, 능동 바이어스 회로는 요구된 드래인 전류와 전압을 공급하기 위해 게이트-소스 전압($V_{gs}$)을 자동적으로 조절한다. 저잡음증폭기는 바이어스 회로와 RF 회로를 FR-4기판 위에 제작하였고, 알류미늄 기구물에 장착하였다. 제작된 저잡음증폭기는 이득 32 dB, 이득평탄도 0.2 dB, 0,95 dB 이하의 잡음지수, 입ㆍ출력 전압정재파비는 각각 1.28, 1.43이고, $P_{1dB}$ 는 13 dBm으로 측정되었다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 I
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• pp.354-357
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• 2003

The low noise and balanced amlifier has been designed by using PBG. Usually balanced LNAis used to matching the input and output mismatching that caused by matching the low noise matching point. And the PBG supresses the harmoincs. This paper proposed balanced LNA by using PBG. And this configuration improve the performance - noise figure, VSWR.

• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• 한국초전도학회 2000년도 High Temperature Superconductivity Vol.X
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• pp.35-39
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• 2000

Large-area high-temperature superconducting (HTS) films, filter design and damage-free processing technique have been developed to fabricate low insertion loss and sharp skirt filters. Further, long life cryocooler, low temperature low noise amplifier (LNA) and cryocable have been developed to assemble HTS filter subsystem for IS-95 and IMT-2000 mobile telecommunication. The surface resistance of the films was about 0.2 milli-ohm at 70 K, 12 GHz. An 11-pole HTS filter for IS-95 telecommunication system and a 16-pole HTS filter for IMT-2000 telecommunication system were designed and fabricated using 60 {\times}$ 50 mm$^2$ and one half of 3-inch diameter YBCO films on a 0.5-mm-thick MgO substrate, respectively. We have assembled the filter and low temperature LNA in a dewar with the cryocooler. Ultra low-noise (noise figure: 0.5 dB at 70 K) and ultra sharp-skirt (40 dB/1.5 MHz) performance was presented by the IS-95 filter subsystem and the IMT-2000 filter subsystem, respectively.

• 한국통신학회논문지
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• 제40권1호
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• pp.1-8
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• 2015

본 논문에서 제안된 OTM(On-The-Move) 위성통신 시스템은 차량에 탑재하여 주행중에도 위성통신을 제공하기 위해 다중모드 모노펄스 추적 방식을 사용한다. 이 방식에서는 저잡음 증폭기(Low Noise Amplifer)가 2개의 입력과 2개의 출력을 가지는 것이 기본 설계 구조이나, 본 논문에서는 OTM 위성통신 시스템의 소형 경량화를 위해 저잡음 증폭기 내에 하향변환부를 추가한 출력채널 단일화 구조를 제안한다. 그러나 출력 채널 단일화 구조에서는 기본모드와 고차모드 경로에서 시간에 따른 위상 차이의 변화가 발생하므로 저잡음 증폭기내에 파일럿 신호를 추가하여 파일럿 신호 위상차와 비교함으로써 시간에 따른 위상 변화를 제거하는 방안을 제시하고 주행시험을 통해 검증한다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제48권11호
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• pp.89-94
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• 2011

본 논문에서는 밀리미터파 Tuner system을 이용하여 밀리미터파 탐색기에 적용 가능한 W-band MMIC 저잡음 증폭기를 구현하였다. 저잡음 증폭기를 위해 구현된 MHEMT의 측정결과 692mA/mm의 드레인 전류 밀도, 726mS/mm의 최대전달컨덕턴스를 얻었으며, RF 특성으로 전류이득차단주파수는 195GHz, 최대공진주파수는 305GHz의 양호한 성능을 나타내었다. 제작된 W-band 저잡음 증폭기의 측정결과 94GHz에서 7.42dB의 우수한 S21 이득 특성을 얻었으며, 잡음 지수의 측정결과 94.2GHz에서 2.8dB의 잡음 특성을 얻었다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 하계종합학술대회 논문집(1)
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• pp.435-438
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• 2002

A design of Ku-band(11.7~12.20Hz) monolithic microwave integrated circuit(MMIC) low noise block(LNB) downconverter using self oscillating mixer (SOM) for direct broadcast satellite(DBS) application is presented The proposed LNB downconverter is composed of low noise amplifier(LNA), image reject filter(IRF), SOM , low pass filter(LPF). The conversion gain is 30dB , VSn is less than 1.7: 1 and overall noise figure is less than 1.2dB.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
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• pp.539-540
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• 2008

This paper presents an ultra-wideband (UWB) CMOS low noise amplifier (LNA) topology that operates in 3.1-10.6GHz band. The common gate structure provides wideband input matching and flattens the passband gain. The proposed UWB amplifier is implemented in 0.18 um CMOS technology for lower band operation mode. Simulation shows a minimum NF of 2.35 dB, a power gain of $18.3{\sim}20\;dB$, better than -10 dB of input and output matching, while consuming 16.4 mW.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 I
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• pp.621-624
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• 2003

In this paper, two Cascode Low Noise Variable Gain Amplifiers are proposed for wide dynamic range and constant Noise Figure for frequency range of 2.4GHz. Designed Variable Gain Low Noise Amplifier are for Wireless Local Area Network (WLAN) applications. A gain is higher than 17dB and the noise figure is approximately 1.3dB and the input VSWR is better than 2:1.

• ETRI Journal
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• 제27권5호
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• pp.628-634
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• 2005

From AC analysis results utilizing a 2-dimensional device simulator, we extracted an AC-equivalent circuit of a grounded-gate NMOS (ggNMOS) electrostatic discharge (ESD) protection device. The extracted equivalent circuit is utilized to analyze the effects of the parasitics in a ggNMOS protection device on the characteristics of a low noise amplifier (LNA). We have shown that the effects of the parasitics can appear exaggerated for an impedance matching aspect and that the noise contribution of the parasitic resistances cannot be counted if the ggNMOS protection device is modeled by a single capacitor, as in prior publications. We have confirmed that the major changes in the characteristics of an LNA when connecting an NMOS protection device at the input are reduction of the power gain and degradation of the noise performance. We have also shown that the performance degradation worsens as the substrate resistance is reduced, which could not be detected if a single capacitor model is used.