• 제목/요약/키워드: Loaded Line Phase Shifter

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PIN 다이오우드를 이용한 Loaded-Line 이상기 (Loaded-Line Phase Shifter with PIN Diode)

  • 이상미;홍재표;손현
    • 한국통신학회:학술대회논문집
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    • 한국통신학회 1984년도 추계학술발표회논문집
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    • pp.19-21
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    • 1984
  • A design of digital loaded-line phase shifter circuits with PIN Diode is presented. A computer program showes that any phase difference which is satisfied with the condition of minimun VSWR can be obtained with variable stub length and spacing between stubs. A 30 phase bit is designed and measured at 3Gh. Experimental and theoretical performance are compared and found to be in good agreement.

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p-I-n 다이오드를 이용한 마이크로파 위상변위기 설계 (Design of the microwave phase shifter using p-i-n diodes)

  • 최재연;이상설
    • 한국전자파학회지:전자파기술
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    • 제6권2호
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    • pp.3-10
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    • 1995
  • p-i-n 다이오드를 이용한 위상변위기를 설계하고, 그 특성을 해석하였다. 큰 위상변화는 가변선로형 위상변위기와 하이브리드 브랜치라인위상변위기로 실현하고, 작은 위상변화는 부하선로형 위상변위기로 실현하였다. 컴퓨터 시뮬레이션을 통하여 중심주파수 3.2GHz에서 좋은 위상변화특성이 유지됨을 확인하였고, 실제 제작된 위상변위기 특성도 이론치에 매우 근사하게 나타났다.

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RADANT 렌즈의 이론적 설계에 관한 연구 (A Theoretical Design of RADANT Lens)

  • 이기오;박동철
    • 한국군사과학기술학회지
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    • 제12권3호
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    • pp.360-367
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    • 2009
  • 본 논문에서는 위상배열시스템에 적용 가능한 RADANT 위상 스캐닝 개념과 전송선 타입의 부하선로(Loaded Line) 위상변위기 개념에 대하여 고찰하고, 이 두가지 개념을 결합시켜 전자적으로 빔 조향이 가능한 새로운 형태의 RADANT 렌즈를 설계하기 위한 이론적 방법을 제시한다. 제시된 이론적 방법은 간단한 회로 시뮬레이션 결과를 통하여 RADANT 렌즈의 구현 가능성이 확인되었다.

수평형 p-i-n 광다이오드의 제작, 특성 측정 및 광제어 스터브 장착 위상기의 설계 (Fabrication and Characterization of Lateral p-i-n photodiodes and design of stub mounted optically controlled phase shifter)

  • 한승엽;정상구
    • 전자공학회논문지A
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    • 제32A권1호
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    • pp.89-96
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    • 1995
  • Lateral p-i-n photodiodes have been fabricated, electrically tested, and incorporated into microwave control circuits such as an optically excited microwave atttenuator and reflection type phase shifter. Circuit design procedures for the loaded-line phase shifter with the optically controlled p-i-n photodiode are presented. The equal loss loading mode presented for the first time for the phase shifter circuits with lossy load allows an equal insertion loss of the phase shifter in both of its phase states. It is found that the insertion loss of the equal loss loading mode phase shifter constructed with the fabricated p-i-n photodiode load are about 3dB for 11.25$^{\circ}$ bit and 1dB for 5.625$^{\circ}$ bit for the frequency range of 2GHz to 11GHz.

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초고주파 PIN 다이오드 4-bit 변위기의 구현 (Design of a Microwave PIN Diode 4-bit Phase Shifter)

  • 노태문;김찬홍;전중창;박위상;김범만
    • 전자공학회논문지A
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    • 제31A권6호
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    • pp.45-52
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    • 1994
  • A microwave PIN diode 4-bit phase shifter is designed in X-band. A loaded-line type is used for the 22.5$^{\circ}$ and 45$^{\circ}$ bits, and a switched-line type for the 90$^{\circ}$and 180$^{\circ}$bits. The measured results show that the phase error and average insertion loss are less than $\pm$5.4$^{\circ}$and 7.2dB, respectively, over a 9.75~10.25GHz frequency band.

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Compact Metamaterial-Based Tunable Phase Shifter at 2.4 GHz

  • Jung, Youn-Kwon;Lee, Bomson
    • Journal of electromagnetic engineering and science
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    • 제13권2호
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    • pp.137-139
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    • 2013
  • A compact metamaterial (MTM)-based tunable phase shifter consisting of four unit cells with a simple DC bias circuit has been designed at 2.4 GHz. The variable series capacitors and shunt inductors that are required to be loaded periodically onto a host transmission line are realized employing only chip variable capacitors (varactors). In addition, the proposed phase shifter requires only one DC bias source to control the varactors, with the matching condition of the MTM line automatically satisfied. The measured phase shifting range is $285.2^{\circ}$ (from $-74.2^{\circ}$ to $211^{\circ}$). The measured insertion loss is approximately 1.5 dB. The circuit/electromagnetic-simulated and measured results are in good agreement.

마이크로파 2비트 이상기의 집적회로 설계 (The Design of Microwave Integrated Circuit for 2-bit Phase Shifter)

  • 손태호;이상설
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제24권3호
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    • pp.408-412
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    • 1987
  • The designing method of the reflection and the loaded-line phase shifter is presented. Its phase shift is variable with changing of the stub parameters. In this paper, we design the 2-bit phase shifter which have 10\ulcornerand 90\ulcornerbit phase shift and analysi its characteristics. The experiments show 2d B max.insertion loss, 2.0max. input VSWR and 6\ulcornerphase error on 2.9-3.1GHz frequency range. They agree well with the theoretical results.

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PIN 다이오드를 이용한 C-Band 위상 변위기의 설계에 관한 연구 (A Study On the Design of C-Band Phase Shifter Using PIN Diode)

  • 김한석;김훈영;이창식;이종악
    • 전기전자학회논문지
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    • 제3권2호
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    • pp.259-267
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    • 1999
  • 본 논문에서 C-밴드 6-비트 변위기의 설계와 제작을 하였고 각 비트에 대한 설계 기술을 기술하였다. $5.625^{\circ},\;11.25^{\circ},\;22.5^{\circ}$ 그리고 $45^{\circ}$ 위상 비트는 부하선로 방식, $90^{\circ}$ 위상 비트는 하이브리드 결합 방식 그리고 $180^{\circ}$ 위상 비트는 가변선로 방식을 각각 마이크로스트립 구리 기판 위에 적용하였다.

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마이크로스트립 원형 편파 8$\times$2 위상 배열 안테나 (Microstrip 8$\times$2 circularly polarized phased array antenna)

  • 윤재승;이영주;박위상
    • 한국전자파학회:학술대회논문집
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    • 한국전자파학회 2000년도 종합학술발표회 논문집 Vol.10 No.1
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    • pp.345-349
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    • 2000
  • A microstrip polarized 8${\times}$2 linear phased array antenna with four 4-bit phase shifters is designed at 10 GHz. The 180$^{\circ}$and 90$^{\circ}$ sections of the phase shifter are of the switched line type, and the rests are of the loaded line type. A 2${\times}$2 sequential sub-array is adopted for a broad axial ratio bandwidth. The construction of the array antenna is of the tile type placing the phase shifters on the same layer containing the feed network. The element spacing is chosen to be 0.45λ$\sub$0/ to exclude the grating lobe. Measurement results show a gain 9.69 dB at broadside and 8.3 dB at the beam-tilt angle of 16$^{\circ}$ by imposing a progressive phase of 90$^{\circ}$.

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PIN 다이오드를 이용한 초고주파 4-비트 위상기에 관한 연구 (A Study on the 4-bit Microwave Phase Shiftter with PIN Diode)

  • 조영송;권혁중;이영철;신철재
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제27권2호
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    • pp.47-54
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    • 1990
  • PIN 다이오드를 사용하여 부하선로 방식 위상기와 가변회로 방식 위상기의 설계방법을 제안하였다. 부하선로 방식은 어느 정도 간격을 두고 두개의 서셉턴스를 병렬로 접속하여 구성하고 스위칭 소자의 바이어스에 따른 서셉턴스값의 변화에서 위상차를 얻으므로서 작은 위상변화를 간단한 구성으로 얻었다. 가변회로 방식은 캐패시터와 인덕터로 병렬 T회로를 구성하고 스위칭 소자의 바이어스에 따른 회로의 기본 구성이 바뀌어지는 방식으로, 저역통과 상태와 고역통과 상태를 유출하여 큰 위상차를 얻었다. 중심 주파수 6GHz에서 대부분의 설계사항은 컴퓨터 시뮬레이션에 의하여 최적화 시켰다. 또한 마이크로스트립 선로의 비유전율 2.94인 기판에 Owen 식을 이용하여 계산하였다. 측정치는 평균 위상 오차 $10^{\circ}$ 미만으로 이론치와 거의 같음을 알 수 있었다.

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