Design of the microwave phase shifter using p-i-n diodes

p-I-n 다이오드를 이용한 마이크로파 위상변위기 설계

  • 최재연 (한양대학교 전자통신공학과) ;
  • 이상설 (한양대학교 전자통신공학과)
  • Published : 1995.06.01

Abstract

In this paper, the phase shifter using the p-i-n diode is designed and analyze. The large phase shift can be achieved by the swithched-line and the hybrid branch line phase shifter, however the small phase shift can be achieved by the loaded-line phase shifter, according to the bias state of the p-i-n niode. The results of the experiment agree with those of computer simulation at the center frequency.

p-i-n 다이오드를 이용한 위상변위기를 설계하고, 그 특성을 해석하였다. 큰 위상변화는 가변선로형 위상변위기와 하이브리드 브랜치라인위상변위기로 실현하고, 작은 위상변화는 부하선로형 위상변위기로 실현하였다. 컴퓨터 시뮬레이션을 통하여 중심주파수 3.2GHz에서 좋은 위상변화특성이 유지됨을 확인하였고, 실제 제작된 위상변위기 특성도 이론치에 매우 근사하게 나타났다.

Keywords