International Journal of Internet, Broadcasting and Communication
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v.10
no.4
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pp.6-11
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2018
As embedded memory technology evolves, the traditional Static Random Access Memory (SRAM) technology has reached the end of development. For deepening the manufacturing process technology, the next generation memory technology is highly required because of the exponentially increasing leakage current of SRAM. Non-volatile memories such as STT-MRAM (Spin Torque Transfer Magnetic Random Access Memory), PCM (Phase Change Memory) are good candidates for replacing SRAM technology in embedded memory systems. They have many advanced characteristics in the perspective of power consumption, leakage power, size (density) and latency. Nonetheless, nonvolatile memories have two major problems that hinder their use it the next-generation memory. First, the lifetime of the nonvolatile memory cell is limited by the number of write operations. Next, the write operation consumes more latency and power than the same size of the read operation.These disadvantages can be solved using the compiler. The disadvantage of non-volatile memory is in write operations. Therefore, when the compiler decides the layout of the data, it is solved by optimizing the write operation to allocate a lot of data to the SRAM. This study provides insights into how these compiler and architectural designs can be developed.
IEMEK Journal of Embedded Systems and Applications
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v.13
no.5
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pp.245-252
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2018
Non-volatile RAM devices have been increasingly viewed as an alternative of DRAM main memory system. However some technologies including phase-change memory (PCM) are still suffering from relatively poor write performance as well as limited endurance. In this paper, we introduce a proactive last-level cache management to efficiently hide a low write performance of non-volatile main memory systems. The proposed method significantly reduces the cache miss penalty by proactively evicting the part of cachelines when the non-volatile main memory system is in idle state. Our trace-driven simulation demonstrates 24% performance enhancement, compared with a conventional LRU cache management, on the average.
Many studies on flash memory-based buffer replacement algorithms that consider the characteristics of flash memory have recently been developed. Conventional flash memory-based buffer replacement algorithms have the disadvantage that the operation speed slows down, because only the reference is checked when selecting a replacement target page and either the reference count is not considered, or when the reference time is considered, the elapsed time is considered. Therefore, this paper seeks to solve the problem of conventional flash memory-based buffer replacement algorithm by dividing pages into groups and considering the reference frequency and reference time when selecting the replacement target page. In addition, because flash memory has a limited lifespan, candidates for replacement pages are selected based on the number of deletions.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers A
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v.48
no.5
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pp.658-663
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1999
2D sliced CT images hardly express the human disease in a space. This space expression can be reconstructed into 3D image by piling up the CT sliced image in succession. In medical image, in order to get the reconstructed 3D images, expensive system or much calculation time is needed. But by changing the method of reconstruction procedure and limit the range, the reconstruction time could be reduced. In this study, to reduce the processing time and memory, we suggested a method of interpolation and ray casting processing at the same time in a limited range. Such a limited range processing have advantages that we could reduce the unnecessary interpolation and ray casting. Through a experiment, it is founded that the reconstruction time and the memory was much reduced.
IEMEK Journal of Embedded Systems and Applications
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v.14
no.2
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pp.103-111
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2019
The IoT-driven large-scaled systems consist of connected things with on-chip executable embedded software. These light-weighted embedded things have limited hardware space, especially small size of on-chip flash memory. In addition, on-chip embedded software in flash memory is not easy to update in runtime to equip with latest services in IoT-driven applications. It is becoming important to develop light-weighted IoT devices with various software in the limited on-chip flash memory. The remote instruction execution in cloud via IoT connectivity enables to provide high performance software execution with unlimited software instruction in cloud and low-power streaming of instruction execution in IoT edge devices. In this paper, we propose a Cloud-IoT asymmetric structure for providing high performance instruction execution in cloud, still low power code executable thing in light-weighted IoT edge environment using remote instruction execution. We propose a simulated approach to determine efficient partitioning of software runtime in cloud and IoT edge. We evaluated the instruction cloudification using remote instruction by determining the execution time by the proposed structure. The cloud-connected instruction set simulator is newly introduced to emulate the behavior of the processor. Experimental results of the cloud-IoT connected software execution using remote instruction showed the feasibility of cloudification of on-chip code flash memory. The simulation environment for cloud-connected code execution successfully emulates architectural operations of on-chip flash memory in cloud so that the various software services in IoT can be accelerated and performed in low-power by cloudification of remote instruction execution. The execution time of the program is reduced by 50% and the memory space is reduced by 24% when the cloud-connected code execution is used.
This paper describes a new approach for minimizing working memory spaces without loosing too much amount of computing time in the analysis of power system faults. This approach requires the decomposition of alrge power system into several small groups of subsystems, forms individual bus impedance matrics, store them in the auxiliary memory, later assembles them to the original total system by algorithms. And also the approach uses techniques for diagonalizing primitive impedances and expanding the system bus impedance matrices by adding a fault bus. These scheme ensures a remarkable savings of working storage and continous computations of fault currents and voltages with the voried fault locations.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2006.05a
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pp.894-897
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2006
Spatial distribution of injected electrons and holes is evaluated by using single-junction charge pumping technique in SONOS(Poly-silicon/Oxide/Nitride/Oxide/Silicon) memory cells. Injected electron are limited to length of ONO(Oxide/Nitride/oxide) region in locally ONO stacked cell, while are spread widely along with channel in fully ONO stacked cell. Hot-holes are trapped into the oxide as well as the ONO stack in locally ONO stacked cell.
Three-dimensional (3D) memories using through-silicon vias (TSVs) will likely be the first commercial applications of 3D integrated circuit technology. A 3D memory yield can be enhanced by vertical redundancy sharing strategies. The methods used to select memory dies to form 3D memories have a great effect on the 3D memory yield. Since previous die-selection methods share redundancies only between neighboring memory dies, the opportunity to achieve significant yield enhancement is limited. In this paper, a novel die-selection method is proposed for multilayer 3D memories that shares redundancies among all of the memory dies by using additional TSVs. The proposed method uses three selection conditions to form a good multi-layer 3D memory. Furthermore, the proposed method considers memory fault characteristics, newly detected faults after bonding, and multiple memory blocks in each memory die. Simulation results show that the proposed method can significantly improve the multilayer 3D memory yield in a variety of situations. The TSV overhead for the proposed method is almost the same as that for the previous methods.
Journal of the Korea Society of Computer and Information
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v.22
no.9
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pp.1-8
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2017
In this paper, we propose a file system for flash memory which remedies shortcomings of existing flash memory file systems. Besides supporting large block size, the proposed file system reduces time in initializing file system significantly by adopting logical address comprised of erase block number and bitmap for pages in the block to find a page. The file system is suitable for embedded systems with limited main memory since it has small in-memory data structures. It also provides efficient management of obsolete blocks and free blocks, which contribute to the reduction of file update time. Finally the proposed file system can easily configure the maximum file size and file system size limits, which results in portability to emerging larger flash memories. By conducting performance evaluation studies, we show that the proposed file system can contribute to the performance improvement of embedded systems.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.17
no.1
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pp.7-14
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2017
Due to the recent advances in Phage-Change Memory (PCM) technologies, a new memory hierarchy of computer systems with PCM is expected to appear. In this paper, we present a new page replacement policy that adopts PCM as a high speed swap device. As PCM has limited write endurance, our goal is to minimize the amount of data written to PCM. To do so, we defer the eviction of dirty pages in proportion to their dirtiness. However, excessive preservation of dirty pages in memory may deteriorate the page fault rate, especially when the memory capacity is not enough to accommodate full working-set pages. Thus, our policy monitors the current working-set size of the system, and controls the deferring level of dirty pages not to degrade the system performances. Simulation experiments show that the proposed policy reduces the write traffic to PCM by 160% without performance degradations.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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