Park, Young-Seo;Kang, Dong-Min;Park, Jong-Won;Kwon, Soon-Ki;Kang, Jae-Wook;Kim, Yun-Hi;Kim, Jang-Joo
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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2008.10a
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pp.1120-1123
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2008
Efficient, color stable multi-EML WOLED have been fabricated using newly synthesized yellowish green dopant Ir(chpy)3 or Ir(mchpy)3. The devices have high external quantum efficiency of 11.7%, color rendering index of 87, variation of CIE coordinate of (0.02, 0.01) between 10 to 5000 cd/m2, and low roll-off in efficiency with increasing brightness.
A novel white-LED (light emitting diode) backlight system for 46"LCD TVs which involves the current controlled X-Y channel driving method is proposed in this paper. There are two problems related to the LED current in the conventional X-Y channel driving driven by a constant voltage source. To solve these problems, a real time current sensing system is applied to the conventional one and the time-division current sensing method is employed.
Pak, Sang-Hoon;Jeong, Tae-Hoon;Kim, Si-Joon;Kim, Kyung-Ho;Kim, Hyun-Jae
Journal of Information Display
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v.9
no.2
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pp.5-8
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2008
Bottom gate thin film transistors (TFTs) with microcrystalline and amorphous Si (a-Si) double active layers (DAL) were fabricated. Since the process of DAL TFTs can use that of conventional a-Si TFTs, these DAL TFT process has advantages, such as low cost, large substrate, and mass production capacity. In order to analyze the degradation characteristics in saturation region for driving TFTs of active matrix organic light emitting diode, three different dynamic stresses were applied to DAL TFTs and a-Si TFTs. The threshold voltage shift of DAL TFTs and a-Si TFTs during 10,000 second stress is 0.3V and 2V, respectively. DAL TFTs were more reliable than a-Si TFTs.
This paper presents an area efficient 8-bit current digital to analog convector (DAC) which is applied to 240 channels Active Matrix - Organic Light Emitting Diode (AMOLED) data driver. The proposed circuit constitutes 4-bit binary weighted current DAC and 4-bit switched capacitor cyclic DAC. The proposed DAC has about 70% smaller area than that of the typical binary weighted current DAC. We overcome sampling time by reducing the number of repetition phases so that it can display 8-bit gray scale image.
Highly stable thin-film transistor (TFT) pixel employing both low temperature polycrystalline silicon (LTPS) and amorphous silicon (a-Si) for active matrix organic light emitting diode (AMOLED) is discussed. ELA (excimer laser annealing) LTPS-TFT pixel should compensate $I_{OLED}$ variation caused by the non-uniformity of LTPS-TFT due to the fluctuation of excimer laser energy and amorphous silicon TFT pixel is desired to suppress the decrease of $I_{OLED}$ induced by the degradation of a-Si TFT. We discuss various compensation schemes of both LTPS and a-Si TFT employing the voltage and the current programming.
A novel current-type data driver for active matrix organic light emitting diode (AMOLED) is proposed for current uniformity enhancement among its output channels. New architecture is composed of shadow DACs that precharge output stages, a single-real DAC that correct the output level to a real target current level and output stages that operate in 3 states of sampling, correcting and driving. Simulation results show that the proposed driving method and circuits improve the current uniformity among output channels of a current-type driver IC.
We propose a novel pixel structure using bootstrapped voltage programming for amorphoussilicon TFT backplane of AM-OLED (Active Matrix-Organic Light Emitting Diode) displays. The proposed structure is composed of two TFTs and one capacitor. It operates at low drive voltage ($0{\sim}5V$) which can reduce power consumption comparing with the conventional pixel circuit structure using same OLED material. Also, it can easily control dark level and use commercial mobile LCD ICs. In this paper, we describe the operating principle and the characteristics of the proposed pixel structure and verify the performance by SPICE simulation comparing with the conventional pixel structure.
We propose a new pixel design for active matrix organic light emitting diode (AM-OLED) displays using hydrogenated amorphous silicon thin-film transistors (a-Si:H TFTs). The pixel circuit is composed of five TFTs and one capacitor, and employs only one additional control signal line. It is verified by SPICE simulation results that the proposed pixel compensates the threshold voltage shift of the a-Si:H TFTs and OLED.
Depth sensitivity is considered one of the factors influencing 3D displays the most. In this paper, the perceptual 3D depth was quantitatively measured to compare the depth difference among the display devices. No difference was found in the typical display performance among the devices, but the subjective evaluation of the depth sensitivity where the disparity was varied showed that the organic light emitting diode (OLED) had the highest performance, mainly due to its almost 0% crosstalk, one of the features of OLED. Crosstalk is a form of image superposition that greatly affects the depth sensitivity. The experiment results showed that the quantitative depth sensitivity varies due to geometric factors such as disparity, viewing distance, and subjective sensitivity, depending on the display image characteristics, such as crosstalk and contrast.
가시광 무선통신은 차세대 조명으로 주목받고 있는 LED(light emitting diode)조명 기술과 무선통신 기술을 융합한 그린 IT 기술이다. 즉, 실내 가정 또는 사무실 환경에서 조명 고유의 기능을 그대로 유지하면서 무선통신을 가능하게 하여야 한다. 가시광 무선통신은 LED 조명이 있는 곳에서는 항상 통신이 가능하여, 병원이나 항공기내와 같이 기존 무선통신에 제약을 받는 환경에서도 통신이 가능한 기술이다. 또한, 실내 LED 조명을 이용함으로써 국소 지역에 특정 서비스를 제공하여 보안성을 높일 수 있다. 가시광 무선통신은 조명산업과의 연계를 통해 통신뿐만 아니라 기존의 조명과, 디스플레이 분야에서 새로운 가치를 창출할 수 있다. 본 고에서는 친환경, 에너지 절감형 반도체 광원을 이용한 LED조명에 대한 실내의 조도 분포와 가시광 무선통신의 채널 연구에 필요한 항목을 제시한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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