• Transactions of the Korean Society of Automotive Engineers
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• v.22 no.7
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• pp.23-30
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• 2014

"Cut off line" in automotive passing beam has very important safety function because it serves for headlamp aiming. Headlights that are aimed incorrectly will not only perform poorly but also offend oncoming traffic. In addition, an objective definition of cut off line in low beam is necessary, since a requirement for correct aiming of the beams is specified within all the existing regulations. Accordingly, headlight regulations are requirements that automobiles must satisfy in order to be sold in a particular country. In this study, a more advanced recognition method for the cut off lines of the various headlamps commonly used in Europe, North America, and domestic is suggested and a headlamp testing system is developed to adjust the beam to the country-specific regulation. This system uses image processing technology to detect the cut off lines in the beam patterns of halogen headlamps, high-intensity discharge headlamps, and light-emitting diode headlamps as well.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2007.11a
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• pp.132-133
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• 2007

$In_xGa_{1-x}N/In_yGa_{1-y}N$ 다중 양자우물 녹색 발광 다이오드에 2차원 광자 결정을 이용하여 음극선 발광의 향상을 관찰 하였다. 정사각형 배열의 2차원 광자 결정의 주기와 격자 상수는 200/500 nm 이고 전자빔 리소그래피로 광자결정 패턴을 제작한 후, 플라즈마 건식 식각법으로 패턴을 구현하였다. 식각 시간의 차이를 둔 구현된 패턴의 홀 깊이는, 각각 ${\sim}69nm,\;{\sim}99nm,\;{\sim}173nm$ 이었다. 전계 방사 주사 현미경 측정 결과, 형성된 홀은 끝이 잘린 역전된 원뿔 모양으로 식각 되었다. 식각 된 홀의 깊이에 따라 광자 결정이 있는 부분이 없는 부분보다 최대 ${\sim}30$배 많은 광자가 검출 됨을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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• 2009.05a
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• pp.201-203
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• 2009

본 논문에서는 LED(light emitting diode)를 사용한 일반 조명에서부터 자동차 조명에 대한 LED, CNT(carbon nano-tube), OLED조명의 융합기술 현황에 대하여 살펴보았다. 정부의 15/30보급정책의 일환인 LED조명 시범보급사업(부산 및 대전 지하철역사, 김대중 컨벤션센터, 대구 및 대전 우체국 등)과 한국산업규격(KS C 7651-3)의 제정 등으로 LED 응용 조명은 시장에서의 사용으로 기존 조명기기와의 경쟁력이 예상된다.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.29 no.2
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• pp.1-7
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• 2015

The Light Emitting Diode(LED) lighting control system proposed in this thesis is made up of a sensor module, a microcontroller, Bluetooth wireless communication, LED Driver, and LED downlight. The sensor module, comprised of an infrared sensor, an illumination sensor, and a temperature sensor, was designed to one Printed Circuit board(PCB). The system is able to identify the environment information collected by the sensor, and make it possible to control lighting automatically and manually through sensors. In addition, depending on users' conditions, a color temperature can be controlled. CS-1000, a spectroradiometer, was employed to measure the changing values of a color temperature in 8 steps. According to a test, it was found that it was possible to change a color temperature from 3187K of Warm White LED to 5598K of Cool White LED. The Bluetooth based wireless communication technique makes it possible to control more lighting devices than other wireless communication techniques does.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.05a
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• pp.51-52
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• 2015

Organic light emitting diode (OLED) 나 organic photovoltaic device (OPV)와 같은 유기소자에 전극으로 쓰이고 있는 indium tin oxide (ITO)는 유연한 디바이스에 적용하기에는 유연성이 떨어진다는 문제가 있다. 이를 해결하기 위해서 ITO를 대체할 수 있는 CNT, Graphene, AgNWs, 전도성 고분자 등의 투명전극에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나 CNT, Grapene, 전도성 고분자는 여전히 전기적 특성이 좋지 못하기 때문에 차세대 투명전극으로 사용되기는 어려움이 있다. 반면에 AgNWs는 용액공정으로 제조 단가가 비교적 저렴하며, 높은 전기전도도 특성과 우수한 유연성을 가지는 투명 전극이기 때문에 많은 주목을 받고 있다. 그러나 NW-NW간의 접촉저항이 높아 전도성이 저하된다는 문제점과 Environmental stability가 좋지 못하다는 단점이 여전히 존재한다. 본 연구에서는 AgNW 전극 위에 플라즈마처리를 진행하여 AgNW의 전도성과 Stability를 향상시키고자하였다. 플렉서블한 PET기판위에 AgNW 전극을 Spray Coating하여 균일하게 전극을 형성하였고, 플라즈마 처리를 통해서 기판의 변형없이 AgNW의 저항을 45%이상 향상시켰으며, Stability 또한 아무것도 처리하지 않은 AgNW에 대비하여 2배 이상 향상된 것을 확인하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2014.07a
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• pp.295-296
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• 2014

본 논문에서는 저 전압 스트레스 및 다채널 전류평형을 위한 Floating 전압 스택형 단일스위치 LED(Light Emitting Diode) 구동회로를 제안한다. 기존의 다채널 LED 구동회로는 LED 채널 수 만큼 boost converter가 필요하지만, 제안된 LED 구동회로는 단 하나의 buck converter와 n-1개의 balancing capacitor만을 필요로 한다. 기존 boost converter의 경우 모든 구성 요소는 LED 전압만큼의 높은 전압 스트레스를 갖지만 제안 회로의 경우 모든 구성 요소들은 기존 대비 절반 정도의 전압 스트레스를 갖는다. 또한 제안 LED 구동회로는 다채널의 LED 전류의 평형을 위하여 balancing capacitor만을 사용하기 때문에 높은 신뢰성과 비용의 효율성을 제공한다. 최종적으로 제안된 구동회로의 우수성과 이론적 분석의 타당성 검증을 위하여 46" 2채널 LED 구동회로를 위한 시작품을 제작하여 고찰된 실험결과를 제시한다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2014.07a
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• pp.431-432
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• 2014

Recently, the demand of LED(light-emitting diode) lighting is gradually enlarged by governmental saveenergy policy, which the LED lighting has been established compulsorily in new buildings, public institutions, and residential installations etc.. The LED lighting is driven by SMPS (switching mode power supply). The SMPS requires high efficiency because the SMPS changes a commercial ac power source to low voltage dc power source. Harmonic components that occur in the conversion process of SMPS decrease system power factor and deal great damage in electric power system. To improve such problems, this paper proposes a SMPS of high efficiency. The switching devices in the proposed SMPS are operated by soft switching technique using a new quasi-resonant circuit. The input ac current waveform in the proposed SMPS becomes a quasi-sinusoidal waveform proportional to the magnitude of input ac voltage under constant switching frequency. As a result, the proposed SMPS obtains low switching power loss and high efficiency, and its input power factor is nearly in unity.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.11a
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• pp.59-59
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• 2007

최근 GaN계 LED를 대체할 만한 물질로 주목받고 있는 ZnO는 단결정 박막성장의 어려움, 동일접합 LED 소자구현을 위한 p-ZnO 성장의 어려움 3원계 합금제작의 어려움 등으로 소자제작에 있어 고전을 하고 있다. 특히 이러한 문제점을 극복하고자 하는 방안으로 양자 제한 효과, 탁월한 결정성, self-assembly, internal stress 등의 새로운 기능성을 지닌 ZnO 나노구조가 제시되었다. 하지만 나노구조를 이용한 다이오드 제작에서도 금속전극의 접합이라는 문제의 벽에 가로막혀 있다. 본 실험에서는 자체 개발된 MOCVD 장비를 이용한 일차원 ZnO 나노선을 성장한 이후 연속적으로 박막을 성장하여 금속전극의 접합을 시도하였다. 이종접합구조 뿐만 아니라 일차원 및 이차원 구조의 복합구조는 일반 다결정 박막보다 결정성에서 우수한 특성을 보였으며, 다이오드 제작시에 높은 효율을 보였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2003.11a
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• pp.481-485
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• 2003

To diffuse Zn at solid-state, the $SiO_2/ZnO/SiO_2$ wafers was made by PECVD and RF Spotter. Thicknesses of bottom $SiO_2$ and cap $SiO_2$ was about $500{\AA}$ and about $3500{\AA}$. First test was Diffusion temperatures were $760^{\circ}C$, $780^{\circ}C$, and $800^{\circ}C$, and diffusion times were 1, 2, 3, 4, 5, and 6 hr and 2nd test was Diffusion temperatures were $760^{\circ}C$, $720^{\circ}C$, and $680^{\circ}C$, and diffusion times were 1, 2, 3, 4, 5, and 6 hr. LED chips were fabricated by the diffused wafers at Fab. The peak wavelength of all chips showed about $625{\sim}650\;nm$ and red color Main reason for Iv change was by diffusion temperature not diffusion time. The lower temperature was the higher Iv. We thick that these properties is because of the very high diffusion temperature.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2003.11a
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• pp.510-513
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• 2003

Our Zn diffusion into n-type $GaAs_{0.40}P_{0.60}$ used ampoule-tube method to increase IV. N-type epitaxial wafers were preferred by $H_2SO_4$-based pre-treatment. $SiO_2$ thin film was deposited by PECVD for some wafers. Diffusion times and diffusion temperatures respectability are 1, 2, 3 hr and 775, $805^{\circ}C$. LED chips were fabricated by the diffused wafers at Fab. The peak wavelength of all chips showed about $625{\sim}650\;nm$ and red color. The highest IV is about 270 mcd at the diffusion condition of $775^{\circ}C$, 3h for the wafers which didn't deposit $SiO_2$ thin films. Also, the longer diffusion time is the higher IV for the wafers which deposit $SiO_2$ thin films.