Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1999.11a
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pp.520-524
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1999
Light-emitting diode(LEDs), diode arrays, and phosphor display panels are finding increased use in a variety of commercial applications. Present and anticipated application of these devices include solid state indicator and display systems. In this work, Phosphor based on ZnS:Cu are used. Relation by luminance with the thickness of insulating layer and phosphor layer are discussed. Increased thickness of insulating layer are stable on voltage to 300V. By considering thickness and voltage, optimal structure and thickness are investigated. In order to maximize even surface emission, various sieving processes are introduced. 150cd/m2 luminance by various wave intensity are investigated in stable voltage and frequency.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2005.07a
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pp.535-536
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2005
Organic photovoltaic effects were studied in a device structure of ITO/CuPc/Al and ITO/CuPc/C60/BCP/Al. A thickness of CuPc layer was varied from 10 nm to 50 nm, we have obtained that the optimum CuPc layer thickness is around 40 nm from the analysis of the current density-voltage characteristics in CuPc single layer photovoltaic cell. From the thickness-dependent photovoltaic effects in CuPc/C60 heterojunction devices, higher power conversion efficiency was obtained in ITO/20nm CuPc/40nm C60/Al, which has a thickness ratio (CuPc:C60) of 1:2 rather than 1:1 or 1:3. Light intensity on the device was measured by calibrated Si-photodiode and radiometer/photometer of International Light Inc(IL14004).
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.25
no.7
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pp.521-524
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2012
We report on variations of electrical properties with different active layer thickness and post-annealing temperature in amorphous In-Ga-Zn-O (IGZO) thin-film transistors (TFTs). In particular, subthreshold swing (SS) of the IGZO-TFTs was improved as increasing the active layer thickness at an given post-annealing temperature, accompanying the negative shift in turn-off voltage. However, as increasing post-annealing temperature, only turn-off voltage was shifted negatively with almost constant SS value. The effect of the active layer thickness and post-annealing temperature on electrical properties, such as SS, field effect mobility and turn-off voltage in IGZO-TFTs has been explained in terms of the variation of trap density in IGZO channel layer and at gate dielectric/IGZO interface.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.24
no.1
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pp.32-35
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2011
Top-emission device has a merit of high aperture ratio and narrow emission spectrum compared to that of bottom-emission one. Emission spectra of top-emission organic light-emitting diodes depending on a layer thickness and view angle were analyzed using a theory of microcavity. Device structure was manufactured to be Al (100 nm)/TPD/Alq3/LiF (0.5 nm)/Al (2 nm)/Ag (30 nm). N,N'-diphenyl-N,N'- di (m-tolyl)-benzidine (TPD) and tris (8-hydroxyquinoline) aluminium (Alq3) were used as a hole-transport layer and emission layer, respectively. And a thickness of TPD and Alq3 layer was varied in a range of 40 nm~70 nm and 60 nm~110 nm, respectively. Angle-dependent emission spectrum out of the device was measured with a device fixed on a rotating plate. Since the top-emission device has a property of microcavity, it was observed that the emission spectrum shift to a longer wavelength region as the organic layer thickness increases, and to a shorter wavelength region as the view angle increases. Layer thickness and view-angle dependent emission spectra of the device were analyzed in terms of microcavity theory. A reflectivity of semitransparent cathode and optical path length were deduced.
Hwang, Kun;Chang, Chung-Soon;Kim, Dae Joong;Kim, Sung;Joo, Han Seung;Lee, Seung Jin
Archives of Plastic Surgery
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v.32
no.3
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pp.357-362
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2005
The aim of this study is to elucidate the effect of keratinase on epidermis of rat skin. Twenty-five male Sprague-Dolly rats were used. The hair on the back were removed and 2×2cm area was marked. The rats were divided five groups; 1) Control group(Co), 2) Cleansing gel group(Cl), 3) Cleansing gel+keratinase group, 4) Exfoliant gel group(Ex), and 5) Exfoliant gel+ keratinase group(Ex+K). The solutions were applied to the back area twice a day for five days. On fifth day, the skins were harvested, fixed and prepared for histologic sections. The thickness of keratin layer, living epidermis, dermis, and cell layer number of living epidermis were measured. In the group containing keratinase(Cl+K, Ex+K), the thickness of keratin layer and living layer were thinner than other groups. However, there were no significant differences of the cell layer number of living epidermis and thickness of the dermis among the five groups. We think the keratinase may have the effect thinning the keratin layer as well as the thickness of living epidermis, without effecting the living cell and dermal component. The keratinase containing soap may be of benefit to remove the excess keratin layers in human.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.55
no.10
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pp.492-498
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2006
A novel surface plasmon resonance(SPR) multisensing method, which does not require imaging apparatus such as CCD, has been proposed and implemented experimentally. The proposed method is based on the multichannel SPR and the separation of signals by use of additional layers whose thickness is controlled. SPR signals are influenced by the thickness of sensing layer as well as the optical condition of sensing surface. As the SPR signals from different ligands are usually positioned closely, the reflected light from sensing surface does not provide us with the clear differences of resonance signal depending on the kinds of ligands. It was found from our experiments that SPR signals from each ligand that is located on the additional layer with different thickness can be separated clearly enough to identify various signals from different ligands. Proposed method with theoretical design and simulation has been verified experimentally by using SiO2 thin film layer as additional layer.
Change of magnetic properties in CoCrPt/Ti perpendicular media with varying CoCrPt film thickness has been studied. As the CoCrPt film thickness increases from 25 nm, the Ms (saturation magnetization) increases rapidly at first and then more gradually. This Ms behavior is associated primarily with the formation of an "amorphous-like"reacted layer created by intermixing of CoCrPt and Ti at the CoCrPt/Ti interface and secondarily with a change of the Cr segregation mode with varying CoCrPt film thickness. Magnetic domain structure distinctively changes with increasing CsCrPt magnetic layer (ML) thickness. Also the strength of exchange coupling measured from the slope in the demagnetizing region of the M-H loop changes with ML thickness. The expansion of lattice parameters a and c at smaller film thickness suggests that the Cr segregation mode may be connected with the residual stress of the films. Finally, the negative nucleation field (Hn) shows a unique behavior with the change of strength of the exchange interaction.teraction.
The properties of the IZTO thin films on the glass were studied with a variation of the SiO2 buffer layer thickness. SiO2 buffer layers were deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) on the glass, and the In-Zn-Tin-Oxide (IZTO) thin films were deposited on the buffer layer by RF magnetron sputtering. All the IZTO thin films with the SiO2 buffer layer are shown to be amorphous. Optimum SiO2 buffer layer thickness was obtained through analyzing the structural, morphological, electrical, and optical properties of the IZTO thin films. As a result, the IZTO surface roughness is 0.273 nm with a sheet resistance of 25.32Ω/sq and the average transmittance is 82.51% in the visible region, at a SiO2 buffer layer thickness of 40 nm. The result indicates that the uniformity of surface and the properties of the IZTO thin film on the glass were improved by employing the SiO2 buffer layer and the IZTO thin film can be applied well to the transparent conductive oxide for display devices.
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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v.12
no.11
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pp.52-62
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1995
In the laser surface hardening process the geometrical parameters, especially the depth, of the hardened layer are utilized to assess the integrity of the hardening layer quality. Monitoring of this geometrical parameter ofr on-line process control as well as for on-line quality evaluation, however, is an extremely difficult problem because the hardening layer is formed beneath a material surface. Moreover, the uncertainties in monitoring the depth can be raised by the inevitable use of a surface coating to enhance the processing efficiency and the insufficient knowledge on the effects of coating materials and its thicknesses. The paper describes the extimation results using neural network to estimate the hardening layer depth from measured surface temperanture and process variables (laser beam power and feeding velocity) under various situations. To evaluate the effec- tiveness of the measured temperature in estimating the harding layer depth, estimation was performed with or without temperature informations. Also to investigate the effects of coating thickness variations in the real industry situations, in which the coating thickness cannot be controlled uniform with good precision, estimation was done over only uniformly coated specimen or various thickness-coated specimens. A series of hardening experiments were performed to find the relationships between the hardening layer depth, temperature and process variables. The estimation results show the temperature informations greatly improve the estimation accuracy over various thickness-coated specimens.
Kim, Ho-Sup;Shi, Dongqui;Ko, Rock-Kil;Chung, Jun-Ki;Ha, Hong-Soo;Song, Kyu-Jeong;Park, Chan
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.17
no.12
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pp.1356-1361
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2004
High temperature superconducting coated conductor has a structure of ///. The buffer layer consists of multi-layer, this study reports the deposition method and optimal deposition conditions of YSZ(Yttria-stabilized zirconia) layer which plays a important part in preventing the elements of substrate from diffusing into the superconducting layer. YSZ layer was deposited by DC reactive sputtering technique using water vapor for oxidizing deposited elements on substrate. To investigate optimal thickness of YSZ film, four YSZ/CeO2/Ni samples with different YSZ thickness(130 nm, 260 nm, 390 nm, and 650 nm) were prepared. The SEM image showed that the surface of YSZ layer was getting to be rougher as YSZ layer was getting thicker and the growth mode of YSZ layer was columnar grain growth. After CeO2 layer was deposited with the same thickness of 18.3 nm on each four samples, YBCO layer was deposited by PLD method with the thickness of 300 nm. The critical currents of four samples were 0, 6 A, 7.5 A, and 5 A respectively. This shows that as YSZ layer is getting thicker, YSZ layer plays a good role as a diffusion barrier but the surface of YSZ layer is getting rougher.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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