Despite otherwise advantageous properties, the performance and reliability of devices manufactured in β-Ga2O3 on semi-insulating Ga2O3 substrates may degrade because of poorly mitigated self-heating, which results from the low thermal conductivity of Ga2O3 substrates. In this work, we investigate and compare self-heating and device performance of β-Ga2O3 MESFETs on substrates of semi-insulating Ga2O3 and 4H-SiC. Electron mobility in β-Ga2O3 is negatively affected by increasing lattice temperature, which consequently also negatively influences device conductance. The superior thermal conductivity of 4H-SiC substrates resulted in reduced β-Ga2O3 lattice temperatures and, thus, mitigates MESFET drain current degradation. This, in turn, allows practically reduced device dimensions without deteriorating the performance and improved device reliability.
TiZrN 코팅의 도핑 공정에서 탄소 페이스트 증착 방식에 따른 탄소의 용해성 변화를 격자왜곡(lattice distortion)과 원자농도(atomic concentration)를 통해 비교 및 고찰하였다. 딥코팅, 스핀코팅과 스크린프린팅 방식을 이용하여 탄소 페이스트를 도포한 후, 레이저를 조사하여 탄소 구배층(carbon gradient layer)을 형성시켰다. 모든 구배층은 탄소가 도핑되는 구조였으며, 두께 및 탄소 도핑량은 페이스트 도포 방식에 의존하였다. 결정 구조 분석 결과, 딥코팅에 의해 코팅층을 도핑할 때 보다 스핀코팅과 스크린프린팅에 의해 코팅층을 도핑하였을 때, 더 큰 격자 팽창이 일어남을 확인할 수 있었다. 또한 XPS depth profile을 통해 딥코팅에 의한 탄소 구배층 두께는 약 30 nm, 스핀코팅과 스크린프린팅의 경우 대략 100 nm로 더 깊은 구배층이 형성됨을 확인하였다. 침탄 전 코팅의 경도는 약 30 GPa였으며, 침탄 후에는 딥코팅 시편의 평균 경도가 약 31 GPa였고 스핀코팅과 스크린프린팅의 평균 경도는 대략 37 GPa로 증가한 것으로 보아 탄소 도핑을 통한 격자팽창 및 구배층의 영향을 확인하였다.
The LiN $i_{l-y}$$Co_{y}$$O_2$ samples were synthesized at 80$0^{\circ}C$ and 85$0^{\circ}C$, by the solid-state reaction method, from the various starting materials LiOH, L $i_2$C $O_3$, NiO, NiC $O_3$, $Co_3$$O_4$, CoC $O_3$, and their electrochemical properties are investigated. The LiN $i_{l-y}$$Co_{y}$$O_2$ pre-pared from L $i_2$C $O_3$, NiO, and $Co_3$$O_4$ exhibited the $\alpha$-NaFe $O_2$ structure of the rhombohedral system (space group; R3m). As the Co content increased, the lattice parameters a and c decreased. The reason is that the radius of Co ion is smaller than that of Ni ion. The increase in da shows that two-dimensional structure develops better as the Co content increases. The LiN $i_{0.7}$$Co_{03}$. $O_2$[HOO(800,0.3)] synthesized at 80$0^{\circ}C$from LiOH, NiO, and $Co_3$$O_4$ exhibited the largest first discharge capacity 162 mAh/g. The size of particles increases roughly as the valve of y increases. The samples with the larger particles have the larger first discharge capacities. The cycling performances of the samples with the first discharge capacity larger than 150 mAh/g were investigated. The LiN $i_{0.9}$$Co_{0.1}$$O_2$[COO(850,0.1)] synthesized at 85$0^{\circ}C$ from L $i_2$C $O_3$, NiO, and $Co_3$$O_4$ showed an excellent cycling performance. The sample with the larger first discharge capacity will be under the more severe lattice destruction, due to the expansion and contraction of the lattice during intercalation and deintercalation, than the sample with the smaller first discharge capacity. As the first discharge capacity increases, the capacity fading rate thus increases.increases.s.s.s.
A new method was introduced to distinguish the ferrite, bainite and martensite in transformation induced plasticity (TRIP) steel by using electron backscatter diffraction (EBSD) and transmission electron microscopy (TEM). EBSD is a very powerful microstructure analysis technique at the length scales ranging from tens of nanometers to millimeters. However, iron BCC phases such as ferrite, bainite and martensite cannot be easily distinguished by EBSD due to their similar surface morphology and crystallographic structure. Among the various EBSD-based methodology, image quality (IQ) values, which present the perfection of a crystal lattice, was used to distinguish the iron BCC phases. IQ values are very useful tools to discern the iron BCC phases because of their different density of crystal defect and lattice distortion. However, there are still remaining problems that make the separation of bainite and martensite difficult. For instance, these phases have very similar IQ values in many cases, especially in deformed region; therefore, even though the IQ value was used, it has been difficult to distinguish the bainite and martensite. For more precise separation of bainite and martensite, IQ threshold values were determined by a correlative TEM analysis. By determining the threshold values, iron BCC phases were successfully separated.
Gate insulators using various fluoride films were investigated for thin film transistor applications. Conventional oxide containing materials exhibited high interface states, high $D_{it}$ gives an increased threshold voltage and poor stability of TFT. To improve TFT performances, we must reduce interface trap charge density between Si and gate insulator. In this paper, we investigated gate insulators such as such as $CaF_2$, $SrF_2$, $MgF_2$ and $BaF_2$. These materials exhibited an improvement in lattice mismatch, difference in thermal expansion coefficient, and electrical stability MIM and MIS devices were employed for an electrical characterization and structural property examination. Among the various fluoride materials, $CaF_2$ film showed an excellent lattice mismatch of 0.737%, breakdown electric field higher than 1.7MV/cm and leakage current density of $10^{-6}A/cm^2$. This paper probes a possibility of new gate insulator material for TFT application.
The sintering and electrical properties of the hydrothermal PSZT powders obtained by substituting 4, 6 and 8mol% Sr for Pb in PZT lattice structure were investigated. The lattice constant and particle size decreased in proportion to a quantity of Sr. The sintering properties of PSZT powders showed $7.754g/cm^3$ of sintered density and $4{\mu}m$ of grain size at sintering temperature of $1250^{\circ}C$. Curie temperature lowered gradually from $363.6^{\circ}C\;to\;319.2^{\circ}C$ and relative dielectric constants increased rapidly by a quantity of Sr. In comparison to PZT, moreover, the quality factor of PSZT was increased more than three times with increase of Sr mole ratio, and piezoelectric constant $(d_{31}\;and\;g_{31})$ was decreased. It was found that dielectric loss of PSZT was decreased by 0.574% which was half of PZT.
In the present study, preliminary experimental results of the change in the properties of perovskite-type oxides caused by the $^{18}O$- exchange have been reported. Two systems were selected for the exchange, (1) $ATiO_3$(A=Ca,Sr,Ba) and (2) manganese perovskite. The dielectric properties of isotope-exchanged $SrTi^{18}O_3$showed a drastic change from a quantum paraelectricity below 3K to ferroelectric-like behavior with a peak at 23K and an enhanced dielectric constant, 35000 at the peak. On the contrary, the $T_c$ for $BaTiO_3$was found to increase by 0.9K. The observed isotope shift of $T_c$ as well as $T_co$ for the manganese perovskites is correlated with the key parameters controlling the lattice such as $Mn^{3+}$ content, average ionic radius of the A-site cation <$r_A$> ad A-site ionic disorder $\sigma^2$.
Nickel electrodeposition from sulfamate bath has several benefits such as low internal stress, high current density and good ductility. In nickel deposited layers, sulfur induces high temperature embrittlement, as Ni-S compound has a low melting temperature. To overcome high temperature embrittlement problem, adding manganese is one of the good methods. Manganese makes Mn-S compound having a high melting temperature above $1500^{\circ}C$. In this work, the mechanical properties of Ni-Mn deposited layers were investigated by using various process variables such as concentration of Mn$(NH_2SO_3)_2$, current density, and bath temperature. As the Mn content of electrodeposited layers was increased, internal stress and hardness were increased. By increasing current density, internal stress increased, but hardness decreased. With increasing the bath temperature from 55 to $70^{\circ}C$, internal stress of Ni deposit layers decreased, but hardness didn't change by bath temperature. It was likely that eutectoid manganese led to lattice deformation, and the lattice deformation increased hardness and internal stress in Ni-Mn layers. Increasing current density and decreasing bath temperature would increase a mount of $H_2$ absorption, which was a cause for the rise of internal stress.
본 논문에서는 콘형 복합재 격자구조체의 구조안전성 평가 기법에 대해 연구를 수행하였다. 콘형 복합재격자구조체의 구조안전성 평가는 유한요소해석을 통해 수행되었다. 구조안전성 평가를 위한 유한요소모델은 솔리드 요소를 사용하여 생성하였다. 섬유 교차부와 비교차부의 물성 차이를 고려하기 위해 섬유 체적률을 고려한 기계적 물성을 적용하였다. 구조해석 기법의 검증을 위해 콘형 복합재 격자구조체의 압축 시험을 수행하였다. 시험과 해석의 비교 결과, 약 2%의 변위 오차가 발생하여 잘 일치하는 것을 확인하였다.
원통형 복합재 격자 구조체는 필라멘트 와인딩 기법으로 제작되며 제작 공정에서 발생할 수 있는 섬유체적비 불균일과 수지응집층은 구조체의 강성도 및 강도에 영향을 줄 수 있다. 구조체의 주요 요소인 후프 및 헬리컬 리브의 단면 분석을 통해 섬유체적비 불균일 및 수지응집층의 존재 여부를 확인하였으며, 단면 분석 결과를 바탕으로 후프 및 헬리컬 리브에 대한 실험 및 이론적 접근을 통해 섬유체적비 불균일 및 수지응집층이 리브 요소의 강성도에 미치는 영향을 분석하였다. 섬유체적비 불균일이 후프 리브의 굽힘 거동에 영향을 미치는 것을 확인하였으며 헬리컬 리브의 경우 섬유체적비 불균일 및 수지응집층에 의해 강성도에 변화가 있음을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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