• 한국항해항만학회:학술대회논문집
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• 한국항해항만학회 2000년도 추계학술대회논문집
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• pp.89-92
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• 2000

Liquid Phase Epitaxy 법을 이용하여 La이 첨가된 YIG(Yitrium Ion Garnet)막을 성장시켰다. X선 회절 분석을 이용하여 La의 첨가량을 변화시키며 제조된 막의 격자상수를 조사한 결과, La의 첨가량이 증가함에 따라 성장된 막의 격자상수도 증가하였으며 Y/La이 20인 경우, 막의 격자상수가 기판으로 사용한 GGG의 격자상수와 일치하였다. VSM(Vibration Sample Magnetometer)를 이용하여 구한 막의 포화자화 값은 La의 첨가량과 관계없이 순수한 YIG의 경우와 같은 값인 1750정도로 거의 일정하였다. FMR(FerroMagnetic Resonance) 측정장치를 이용한 막의 강자성 공명선폭을 측정결과 막의 공명선폭은 La의 첨가량과 관계없이 모든 경우에 순수한 YIG보다 감소하였다. 실험범위내의 La의 첨가에 대해서 기판과의 격자불일치가 순수한 YIG의 경우보다 감소하기 때문이다. La의 첨가량이 많은 조건에서 성장시킨 막은 공명선폭이 크고 두께의 증가에 따라서 선폭이 증가하였으며, YLa가 20과 30일 때 성장시킨 막에서는 공명선폭의 절대값도 작고 두께에 따른 공명선폭의 변화도 관찰되지 않았다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제14권3호
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• pp.257-262
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• 2001

Single crystalline films of La doped YIG(yttrium iron garnet) were grown by the liquid phase epitaxy. The lattice constants of films obtained by DCD(double crystalline diffractometer) measurement increased with increasing La contents in films. In particular, lattice constants of films grown wiht Y/La=20 solution were nearly same as those of GGG (gadolinium gallium garnet) substrate. The saturation magnetization measured with VSM (vibrating sample magnetometer) was about 1750Gauss which is the same as that of pure YIG irrespective of La contents in films. FMR(ferromagnetic resonance) linewidth of La doped YIG was smaller than that of pure YIG. Since appropriate La doping decreases the lattice mismatch between film and substrate, the FMR linewidth was Y/La=20 in this experiment.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 추계학술대회 논문집
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• pp.89-92
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• 2000

Liquid Phase Epitaxy 법을 이용하여 La이 첨가된 YIG(Yitrium Ion Garnet)막을 성장시켰다. X선 회절 분석을 이용하여 La의 첨가량을 변화시키며 제조된 막의 격자상수를 조사한 결과, La의 첨가량이 증가함에 따라 성장된 막의 격자상수도 증가하였으며 Y/La이 20인 경우, 막의 격자상수가 기판으로 사용한 GGG의 격자상수와 일치하였다. VSM(Vibration Sample Magnetometer)를 이용하여 구한 막의 포화자화 값은 La의 첨가량과 관계없이 순수한 YIG의 경우와 같은 값인 1750정도로 거의 일정하였다. FMR(Ferro Magnetic Resonance) 측정장치를 이용한 막의 강자성 공명선폭을 측정결과 막의 공명선폭은 La의 첨가량과 관계없이 모든 경우에 순수한 YIG보다 감소하였다. 실험범위내의 La의 첨가에 대해서 기판과의 격자불일치가 순수한 YIG의 경우보다 감소하기 때문이다. La의 첨가량이 많은 조건에서 성장시킨 막은 공명선폭이 크고 두께의 증가에 따라서 선폭이 증가하였으며, Y/La가 20과 30일 때 성장시킨 막에서는 공명선폭의 절대값도 작고 두께에 따른 공명선폭의 변화도 관찰되지 않았다.

• 한국결정성장학회지
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• 제12권1호
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• pp.27-30
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• 2002

Liquid phase epitaxy(LPE)법을 이용하여 ZnO co-doped Er:$LiNbO_3$, 단결정 박막을 $LiNbO_3$ (001) 기판 위에 성장시켰다. ZnO co-doped Er:$LiNbO_3$박막 성장의 초기 융액은 첨가제 $Er_2O_3$ 농도를 1 mol%로 고정시키고 ZnO 농도를 3,5 mol%로 조절하였다. ZnO co-doped Er :$LiNbO_3$박막의 결정성은 $LiNbO_3$ 기판보다 더 우수하였다. ZnO 5mol% 첨가한 경우 박막의 표면에는 수직한 방향과 평행한 방향으로 모두 압축응력이 작용하고 있었다. 또한 ZnO 3mol% 첨가된 Er :$LiNbO_3$박막의 표면은 원래의 $LiNbO_3$기판보다 더 평탄하였다

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제7권4호
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• pp.300-305
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• 1994

We determined the alloy composition of the liquid-phase epitaxy(LPE) grown $Al_{x}$G $a_{1-x}$ As by the photoreflectance(PR), and observed the variation of PR signal by changing the condition of annealing and thickness of epilayer. As the measuring temperature was decreased, the broadening parameter was decreased, and the amplitude of PR signal was increased. When the temperature of annealing was increased, the surface carrier concentration was decreased and then the shape and amplitude of PR signal were affected by the surface electric field. The structure change was observed when the specimen was annealed for long time at a high temperature. We found that the surface electric field increased when the thickness of epilayer was decreased by etching, because the band bending was increased by the decreased of the width of depletion layer....

• 한국자기학회지
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• 제12권5호
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• pp.163-167
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• 2002

LPE(liquid phase epitaxy)방법으로 제작한 YIG 단결정 박막의 정자파(MSW; magnetostatic wave) 모드의 온도의존성을 조사하기 위하여 온도를 -14$0^{\circ}C$에서 20$0^{\circ}C$까지 2$0^{\circ}C$간격으로 변화하면서 강자성공명 실험을 하였다. 시편면과 외부자기장을 평행하게 가할 때 모든 온도에서 주기적인 신호로 나타나는 정자표면파와 정자역체적파 모드를 관측하였다 온도가 감소함에 따라 정자파 모드들은 저자장쪽으로 이동하고 세기가 감소하였고, 각 모드들 사이의 간격은 증가하였다. 온도변화에 따른 정자파 모드를 Walker와 Damon-Eshbach 이론으로 분석한 결과 잘 일치하였다. 온도별로 계산한 포화자화값은 온도가 감소함에 따라 증가하였다. 관측된 정자파 모드의 선폭은 온돈가 감소함에 따라 다양하게 변화하였다.

• 한국자기학회지
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• 제9권2호
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• pp.85-90
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• 1999

LPE(liquid phase epitaxy)방법으로 제작한 YIG박막의 정자파 모드를 연구하기 위해서 강자성공명 실험을 하였다. 시편면과 오부자기장이 평행할 때 주기적인 신호로 나타나는 정자표면파와 정자역체적파 모드를 관측하였으나 서로 수직할 때는 복잡한 신호를 관측하였다. 평행할 때 관측한 정자파 모드를 Walker와 Damon-Eshbach이론으로 분석한 결과 잘 설명되었다. 관측된 정자파 모드의 선폭은 0.4Oe이었고, 이론으로 분석할 때 구한 포화자화는 137emu/㎤이었다. 또한 시편의 포화자화 값의 변화와 두께의 변화에 따른 모드들의 변화를 알아보기 위하여 정자역체적파의 (1, 1)과 (3, 1)모드를 계산하고 서로 비교하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제40권9호
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• pp.855-858
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• 2003

Liquid Phase Epitaxy (LPE)법으로 Yttrium Iron Garnet (YIG:Y$_3$Fe$_{5}$O$_{12}$) 단결정 후막을 성장시킬 때 PbO계 응제에서는 Pb 이온이 성장되는 결정내로 혼입되어 성장된 막의 격자상수를 증가시키고, 일축 자기이방성 상수값(Ku)을 변화시키거나 전기 전도도를 변화시킨다. 또한 광 흡수율을 증가시키는 등의 성장된 막의 물성에 악영향을 미친다. 열처리 후 Pb 이온의 휘발로 인한 결정내의 농도감소로 성장된 단결정 후막의 격자상수가 평균 0.0115$\AA$ 감소하였다.

• 전자공학회논문지D
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• 제34D권9호
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• pp.64-71
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• 1997

A new etching technique of meltback was investigated for GaAs lensed optical devices with selective windows opending in the LPE (liquid phase epitaxy) system. In the meltback process, the etch depth and the etch shape were controlled by the degree of under-saturation, etch time and other parameters. A GaAs/AlGaAs DH layer was grown on the selectively etched hemispherical well for optical device application such as lensed surface emitting LED. The regrowth process were related with the coolin grate and the well to well spacing. A novel surface emitting LED with hemispherical AlGaAs lens was fabricated using the meltbakc and regrowth as the key process for AlaAs lens array. The light emitting efficiency of the LED was upto three times higher than the similar structure LED without lens. The meltback and regrowth technique was applicable to manufacture the optical device in LPE.

• 한국결정성장학회지
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• 제15권3호
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• pp.120-123
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• 2005

[ $Li_2CO_3-V_2O_5$ ], flux를 사용한 liquid phase epitaxy(LPE) 법을 사용하여 $LiNbO_3$ (001) 기판위에 5 mol% ZnO가 첨가된 $LiNbO_3$, 박막과 2 mol% MgO가 첨가된 $LiNbO_3$, 박막을 성장시켰다. $Zn:LiNbO_3$, 막과 $Mg:LiNbO_3$, 막과의 결정성과 격자 부정합은 x-ray rocking curve(XRC)로 분석되었다. 그리고 다층 박막의 단면에서의 ZnO와 MgO의 분포가 electron probe micro analyzer(EPMA)를 사용하여 관측되었다.