• Title/Summary/Keyword: L4 Switch

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SSFNet Extension for L4-Switch (L4-Switch를 위한 SSFNet의 확장)

  • 전형인;한종현;이은영;김도환;박승규
    • Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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    • 2004.10c
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    • pp.523-525
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    • 2004
  • 규모가 방대한 네트워크상에서 네트워크의 침입과 방어의 효과와 유용성을 알아보기 위해, 실존하는 네트워크상에서 직접 침입과 방어를 테스트하는 것은 많은 노력과 비용이 든다. 이와 같은 문제점을 극복하기 위해 인터넷 침입의 표현에 필요한 네트워크 침입 시뮬레이션을 하기 위한 SSFNet 확장 연구가 진행되었다. 본 연구는 SSFNet에 새로이 추가된 L4-Switch 모듈을 이전 연구에서 만들어진 모듈들과 함께 대규모 네트워크 환경에서 네트워크 침입 시뮬레이션을 테스트하였다. 본 시뮬레이션은 L4-Switch와 http클라이언트, http서비스를 제공하는 호스트들을 설정하고, load balancing이 잘 되었는지를 살펴보았다.

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Reduced Current Distortion of Three-Phase Three-Switch Buck-Type Rectifier using Carrier Based PWM in EV Traction Battery Charging Systems (전기 자동차 배터리 충전장치용 3상 3스위치 전류형 정류기의 전류 왜곡 감소를 위한 펄스 폭 변조 스위칭 기법)

  • Chae, Beomseok;Kang, Taewon;Kang, Tahyun;Suh, Yongsug
    • The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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    • v.20 no.4
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    • pp.375-387
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    • 2015
  • This study investigates an economic and highly efficient power-converter topology and its modulation scheme for 60 kW rapid EV charger system. The target system is a three-phase three-switch buck-type rectifier topology. A new carrier-based PWM scheme, which is characterized by simple implementation using logic gates, is introduced in this paper. This PWM scheme replaces the diode rectifier equivalent switching state with an active switching state to produce the same effective current flowing path. As a result, the distortion of input current during the polarity reversal of capacitor line voltage can be mitigated. The proposed modulation technique is confirmed through simulation verification. The proposed modulation technique and its implementation scheme can expand the operation range of the three-phase three-switch buck-type rectifier with high-quality AC input and capacitor ripple current.

Development of Traffic Centralized Control System Based on Protocol Redirection for DB Protection (DB 보호를 위한 Protocol Redirection기반 트래픽 중앙통제시스템 개발)

  • Su, Yang-Jin;Lee, Jae-Pil;Park, Cheon-O;Lee, Deok-Gyu;Chang, Hang-Bae
    • Journal of Korea Multimedia Society
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    • v.13 no.8
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    • pp.1212-1220
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    • 2010
  • The technologies of domestic user programs are not enough to convert address convert information, which was collected via port redirection server, to user traffic. Generally traffic redirection technology is a special purpose technology for I/O traffic via network device. L4 switch needs various additional costs and devices to achieve this special purpose. To solve this problem, there appears need for a central management of control and monitoring by centralizing traffic at one position regardless of network structure and it is necessary to realize redirection function of switch at network layer. Therefore this study offer development of traffic central control system through protocol redirection of client-side.

Analysis of Via Loss Characteristic in Embedded DPDT Switch Using SoP-L Fabrication (SoP-L 공정을 이용한 DPDT 스위치를 임베딩 할 경우 스위치 특성에 영향을 주는 Via의 loss 분석)

  • Mun, Jong-Won;Gwon, Eun-Jin;Ryu, Jong-In;Park, Se-Hoon;Kim, Jun-Chul
    • Proceedings of the IEEK Conference
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    • 2008.06a
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    • pp.557-558
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    • 2008
  • This paper presents the effects of via losses to be connected with an embedded DPDT(Double Pole Double Thru) in a substrate. The substrate consists of two ABF(Ajinomoto Bonding Film) and a Epoxy core. In order to verify and test effects of via, via chains in a substrate using SoP-L process are proposed and measured. Via loss can be calculated as averaging the total via holes. The exact loss of a DPDT switch embedded in substrate are extracted by using the results of via chain and measured data from embedded DPDT. The calculated one via insertion loss is about 0.0005 dB on basis of measured via chains. This result confirms very low loss in via. So the inserti on loss of the embedded switch is confirmed only switch loss as loss is 0.4 dB.

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Effective Compensation Method of Power Factor at Induction Load Using MERS(MAGNETIC ENERGY RECOVERY SWITCH) (단상유도성 부하와 직렬 연결된 MERS 효과검증)

  • Lee, Dong-Geun;Choi, Dong-Uk;Ko, Kwang-Cheo
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2006.07d
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    • pp.2197-2198
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    • 2006
  • 본 논문은 역률개선 효과가 있는 MERS(Magnetic Enery recovery switch)를 사용하여 에너지 효율에서의 결과를 입증하고자 한다. 전원과 유도성부하에 직렬 연결된 MERS는 Full Bridge와 비슷한 구성으로 전력용 MOSFET(or IGBT) SWITCH 4개와 전해 DC콘덴서 1개로 구성되어진다. MERS의 콘덴서는 부하와 콘덴서의 리액턴스, $X_C<X_L$을 만족하는 콘덴서의 용량을 선택하고 콘덴서에 충전된 전압에 의해 부하의 유도계수를 보상하여 역률을 1로 추종하며 개선된다. 이때 스위치는 전원 전압에 대해 zero-voltage switching 과 zero-current switching을 하게 된다. 만약 부하가 변하더라도 $X_C<X_L$을 만족한다면 자동적으로 역률은 1에 맞추어지게 된다

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Effective Compensation Method of Power Factor at Induction Load Using MERS(MAGNETIC ENERGY RECOVERY SWITCH) (단상유도성 부하와 직렬 연결된 MERS 효과검증)

  • Lee, Dong-Geun;Choi, Dong-Uk;Koi, Kwang-Cheol
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2006.07a
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    • pp.565-566
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    • 2006
  • 본 논문은 역률개선 효과가 있는 MERS(Magnetic Energy recovery switch)를 사용하여 에너지 효율에서의 결과를 입증하고자 한다. 전원과 유도성부하에 직렬 연결된 MERS는 Full Bridge와 비슷한 성으로 전력용 MOSFET(or IGBT) SWITCH 4개와 전해 DC콘덴서 1개로 성되어진다. MERS의 콘덴서는 부하와 콘덴서의 리액턴스, $X_{c}{<}X_{L}$ 을 만족하는 콘덴서의 용량을 선택하고 콘덴서에 충전된 전압에 의해 부하의 유도계수를 보상하여 역률을 1로 추종하며 개선된다. 이때 스위치는 전원 전압에 대해 zero-voltage switching 과 zero-current switching을 하게 된다. 만약 부하가 변하더라도 $X_{c}{<}X_{L}$을 만족한다면 자동적으로 역률은 1에 맞추어지게 된다

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Effective Compensation Method of Power Factor at Induction Load Using MERS(MAGNETIC ENERGY RECOVERY SWITCH) (단상유도성 부하와 직렬 연결된 MERS 효과검증)

  • Lee, Dong-Geun;Choi, Dong-Uk;Kol, Kwang-Cheo
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2006.07b
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    • pp.1231-1232
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    • 2006
  • 본 논문은 역률개선 효과가 있는 MERS(Magnetic Enery recovery switch)를 사용하여 에너지 효율에서의 결과를 입증하고자 한다. 전원과 유도성부하에 직렬 연결된 MERS는 Full Bridge와 비슷한 구성으로 전력용 MOSFET(or IGBT) SWITCH 4개와 전해 DC콘덴서 1개로 구성되어진다. MERS의 콘덴서는 부하와 콘덴서의 리액턴스, $X_C<X_L$을 만족하는 콘덴서의 용량을 선택하고 콘덴서에 충전된 전압에 의해 부하의 유도계수를 보상하여 역률을 1로 추종하며 개선된다. 이때 스위치는 전원 전압에 대해 zero-voltage switching 과 zero-current switching을 하게 된다. 만약 부하가 변하더라도 $X_C<X_L$을 만족한다면 자동적으로 역률은 1에 맞추어지게 된다.

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Effective Compensation Method of Power Factor at Induction Load Using MERS(MAGNETIC ENERGY RECOVERY SWITCH) (단상유도성 부하와 직렬 연결된 MERS 효과검증)

  • Lee, Dong-Geun;Choi, Dong-Uk;Ko, Kwang-Cheol
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2006.07c
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    • pp.1691-1692
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    • 2006
  • 본 논문은 역률개선 효과가 있는 MERS(Magnetic Enery recovery switch)를 사용하여 에너지 효율에서의 결과를 입증하고자 한다. 전원과 유도성부하에 직렬 연결된 MERS는 Full Bridge와 비슷한 구성으로 전력용 MOSFET(or IGBT) SWITCH 4개와 전해 DC콘덴서 1개로 구성되어진다. MERS의 콘덴서는 부하와 콘덴서의 리액턴스, $Xc<X_L$을 만족하는 콘덴서의 용량을 선택하고 콘덴서에 충전된 전압에 의해 부하의 유도계수를 보상하여 역률을 1로 추종하며 개선된다. 이때 스위치는 전원 전압에 대해 zero-voltage switching과 zero-current switching을 하게 된다. 만약 부하가 변하더라도 $Xc<X_L$을 만족한다면 자동적으로 역률은 1에 맞추어지게 된다.

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Active CDS-Clamped L-Type Current-Fed Isolated DC-DC Converter

  • Nguyen, Minh-Khai;Duong, Truong-Duy;Lim, Young-Cheol;Choi, Joon-Ho
    • Journal of Power Electronics
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    • v.18 no.4
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    • pp.955-964
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    • 2018
  • In this paper, an active capacitor-diode-switch (CDS) snubber is proposed for L-type current-fed isolated DC-DC converters. The proposed CDS-clamped converter has a number of advantages. It can achieve wide range zero-voltage switching (ZVS) on two switches, a continuous input current with a low ripple, a reduction of one active switch and high efficiency. The operating principles, analysis and parameter design guideline are presented. A 300 W prototype is built to test the proposed converter. Simulation and experimental results are shown at 30 V input voltage and 400 V output voltage.

Design of an Active Inductor-Based T/R Switch in 0.13 μm CMOS Technology for 2.4 GHz RF Transceivers

  • Bhuiyan, Mohammad Arif Sobhan;Reaz, Mamun Bin Ibne;Badal, Md. Torikul Islam;Mukit, Md. Abdul;Kamal, Noorfazila
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • v.17 no.5
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    • pp.261-269
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    • 2016
  • A high-performance transmit/receive (T/R) switch is essential for every radio-frequency (RF) device. This paper proposes a T/R switch that is designed in the CEDEC 0.13 μm complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology for 2.4 GHz ISM-band RF applications. The switch exhibits a 1 dB insertion loss, a 28.6 dB isolation, and a 35.8 dBm power-handling capacity in the transmit mode; meanwhile, for the 1.8 V/0 V control voltages, a 1.1 dB insertion loss and a 19.4 dB isolation were exhibited with an extremely-low power dissipation of 377.14 μW in the receive mode. Besides, the variations of the insertion loss and the isolation of the switch for a temperature change from - 25℃ to 125℃ are 0.019 dB and 0.095 dB, respectively. To obtain a lucrative performance, an active inductor-based resonant circuit, body floating, a transistor W/L optimization, and an isolated CMOS structure were adopted for the switch design. Further, due to the avoidance of bulky inductors and capacitors, a very small chip size of 0.0207 mm2 that is the lowest-ever reported chip area for this frequency band was achieved.