• 한국광학회지
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• 제2권4호
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• pp.186-192
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• 1991

엑시머 레이저빔($\lambda$ 0.248$\mu\textrm{m}$)을 사용하여 micro-lithography를 위해 축소배율 $5\times$를 갖는 4개의 구면으로 구성된 반사경계를 설계하였다. 먼저 초기광학계로서 Seidel 3차 수차 내에서 구면수차, 코마, 상면만곡, 왜곡수차가 제거된 4구면경계를 해석적으로 구하였다. 이 초기광학계의 성능 향상을 위해 컴퓨터를 이용한 최적화 기법을 사용하였고 그 결과 KrF 엑시머 레이저 광에 대해 N.A. 0.15와 image field diameter 3.3 mm 이내에서 회절 한계까지 제거된 수차 성능을 얻었다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1999년도 하계종합학술대회 논문집
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• pp.269-274
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• 1999

As the semiconductor industry enters the next century, we are facing to the technological changes and challenges. Optical lithography has driven by the miniaturisation of semiconductor devices and has been accompanied by an increase in wafer productivity and performance through the reduction of the IC image geometries. In the last decade, DRAM(Dynamic Random Access Memories) have been quadrupoling in level of integration every two years. Korean chip makers have been produced the memory devices, mainly DRAM, which are the driving force of IC＇s(Integrated Circuits) development and are the technology indicator for advanced manufacturing. Therefore, Korean chip makers have an important position to predict and lead the patterning technology. In this paper, we will be discussed the limitations of the optical lithography, such as KrF and ArF. And, post optical lithography technology, such as E-beam lithography, EUV and E-beam Projection Lithography shall be introduced.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제1권1호
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• pp.20-30
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• 2001

A 1.8V $650{\;}\textrm{mm}^2$ 4Gb DRAM having $0.10{\;}\mu\textrm{m}^2$ cell size has been successfully developed using 0.11 $\mu\textrm{m}$DRAM technology. Considering manufactur-ability, we have focused on developing patterning technology using KrF lithography that makes $0.11{\;}\mu\textrm{m}$ DRAM technology possible. Furthermore, we developed novel DRAM technologies, which will have strong influence on the future DRAM integration. These are novel oxide gap-filling, W-bit line with stud contact for borderless metal contact, line-type storage node self-aligned contact (SAC), mechanically stable metal-insulator-silicon (MIS) capacitor and CVD Al process for metal inter-connections. In addition, 80 nm array transistor and sub-80 nm memory cell contact are also developed for high functional yield as well as chip performance. Many issues which large sized chip often faces are solved by novel design approaches such as skew minimizing technique, gain control pre-sensing scheme and bit line calibration scheme.

• 공업화학
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• 제17권2호
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• pp.158-162
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• 2006

새로운 극자외선 리소그래피용 화학증폭형 레지스트의 매트릭스 수지로 poly[4-hydroxystyrene-co-2-(4-methoxybutyl)-2-adamantyl methacrylate]를 합성하고 평가하였다. 이 중합체로 제조된 레지스트로 KrF 엑시머 레이저 노광장비를 사용하여 선폭 120 nm (피치 240 nm)를 구현할 수 있었다. 극자외선 리소그래피 장비를 이용하여 평가한 결과 선폭 50 nm (피치 180 nm)의 포지형 패턴을 얻었다. $CF_{4}$ 플라즈마를 이용한 건식에칭내성 평가 결과 기존 원자외선 레지스트용 매트릭스 수지인 poly(4-hydroxystyrene)보다 약 10% 향상되었다.

• 한국광학회지
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• 제4권3호
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• pp.252-259
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• 1993

극자외선 과장을 사용하는 micro-lithography를 위해 등배율을 갖는 4-반사경 holosymmetric system을 설계하였다. Holosymmetric system에서는 모든 차수의 코마와 왜곡수차가 영이 된다. 이 원리를 4-구명경계에 적용하여 등배율을 갖고 5개의 3차 수차가 모두 제거된 4-구면 반사경 holosymmetric system에 대해 유일한 해를 완전히 해석적인 표현으로 구하였다. 이 4-구면경계에 남아있는 고차 수차들을 보정하기 위해 holosymmetric 성질을 유지하면서 비구면을 채용하였고 그결과 개구수 0.33과 image field diameter 7.6mm 이내에서 극자외선 파장 $0.248{\mu}m$(KrF 엑시머 레이저 빔)에 대해 거의 회절한계의 수차성능을 갖는 비구면 4-반사경 holosymmetric system를 얻었다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1991년도 제6회 파동 및 레이저 학술발표회 Prodeedings of 6th Conference on Waves and Lasers
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• pp.81-87
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• 1991

A design of a four-mirror optical system for submicron lithography using KrF excimer laser beam(λ=248nm) is presented. By using the third order aberration theory, analytic solutions for a telecentric, flat-field, and anastigmatic four-spherical-mirror system (reduction magnification 5$\times$) are found. Aspherization is carried out to the spherical mirror surfaces in order to reduce the residual higher order aberrations and vignetting effect. Finally we obtain a reflection system useful in submicron lithographic application.

• 한국광학회지
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• 제4권4호
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• pp.373-380
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• 1993

축소배율(M=+1/5)을 갖는 극자외선(deep ultra-violet) 리소그라피용 5-반사광학계를 설계하였다. 먼저 모든 3차 수차와 5차 구면수차를 영으로 하는 수치적인 해를 구면에 대해서 구하였다. 다음 비교적 크게 나타나는 잔류 수차(구면수차, 코마)의 제거를 위하여 마지막 두 반사경에 대하여 비구면화를 optimization방법에 의해 이행하였다. 이렇게 하여 얻은 광학계는 광원을 KrF 엑시머 레이저(파장 $0.248{\mu}m$)로 하는 nearly incoherent illumination(${\sigma}$=1)인 경우, NA는 0.45, 분해능은 50% MTF 기준치에서 depth of focus $1.0{\mu}m$에 대해 약 500 cycles/mm의 성능을 갖는 시스템이 되었다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1991년도 제6회 파동 및 레이저 학술발표회 Prodeedings of 6th Conference on Waves and Lasers
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• pp.88-89
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• 1991

For the micro-lithography using a KrF excimer laser beam(λ=0.248${\mu}{\textrm}{m}$) a mirror system consisting of four spherical surfaces with reduction magnification 5$\times$ is designed. Initially the aplanat condition of the mirror system is considered. And for the further improved performance of the system the distortion free condition and flat field condition within Seidel 3rd order aberrations are added to the above condition. During the process of designing the computer-aided optimization technique is extensively employed. The spherical aberration, coma, field curvature and distortion of the optimized four-spherical mirror system are removed to the diffraction limit, and residual astigmatism and off-axial vignetting are not corrected enough.

• 한국광학회지
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• 제10권6호
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• pp.453-461
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• 1999

본 연구에서는 파장 0.248$\mu$m의 KrF Eximer Laser를 광원으로 하고 NA가 0.65인 광학계를 사용하는 리소그래피 시스템에서, 환형(annular)조명과 4구(quadrupole)조명의 조건들을 바꾸어 가며 구현하고자 하는 패턴의 분해능과 초점심도 향상에 어떠한 영향을 주는지 알아보았다. 그 결과, 환형 조명에서는 원형 마스크와 광학적 근접효과를 보정하기 위해 보조 패턴을 삽입한 마스크의 경우, 최적의 분해능과 초점심도를 보이는 조명조건이 다름을 알 수 있었다. 또한, 사구 조명의 경우에는 일반적으로 사용되는 45$^{\circ}$위치의 X자형 배치를 주요 패턴의 방향에 따라 적절히 바꾸어 주면 분해능과 초점심도를 향상시킬 수 있음을 확인하였다.

• 한국정밀공학회지
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• 제21권12호
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• pp.13-20
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• 2004

Manufacturing process for the microfluidic device can include such sequential steps as master fabrication, electroforming, and injection molding. The laser ablation using masks has been applied to the fabrication of channels in microfluidic devices. In this study, manufacturing of polymer master and mold insert for micro injection molding was investigated. Ablation of PET (polyethylene terephthalate) by the excimer laser radiation could be used successfully to make three dimensional master fur nickel mold insert. The mechanism fur ablative decomposition of PET with KrF excimer laser $({\lambda}: 248 nm, pulse duration: 5 ns)$ was explained by photochemical process, while ablation mechanism of PMMA (polymethyl methacrylate) is dominated by photothermal process, the .eaction between PC (polycarbonate) and KrF excimer laser beam generate too much su.face debris. Thus, PET was adopted in polymer master for nickel mold insert. Nickel electroforming using laser ablated PET master was preferable for replication method. Finally, it was shown that excimer laser ablation can substitute for X-ray lithography of LIGA process in microstructuring.