Abstract
In this paper, we have studied on the effects of annular and quadrupole illuminations by changing their conditions for enhancing the pattern resolution and depth of focus (OaF) in the optical lithography system using KrF Eximer laser 0.248$\mu$m and 0.65 NA. As a result, it is revealed that each illumination condition to optimize the resolution and the OaF for the mask containing the assistance pattern is different under the annular illumination. And in case of quadrupole illumination, we could ascertain that the resolution and the OaF would be enhanced through changing the arrangement of each pole from the conventional X type (45 degrees) to some proper type according to the main pattern direction. ction.
본 연구에서는 파장 0.248$\mu$m의 KrF Eximer Laser를 광원으로 하고 NA가 0.65인 광학계를 사용하는 리소그래피 시스템에서, 환형(annular)조명과 4구(quadrupole)조명의 조건들을 바꾸어 가며 구현하고자 하는 패턴의 분해능과 초점심도 향상에 어떠한 영향을 주는지 알아보았다. 그 결과, 환형 조명에서는 원형 마스크와 광학적 근접효과를 보정하기 위해 보조 패턴을 삽입한 마스크의 경우, 최적의 분해능과 초점심도를 보이는 조명조건이 다름을 알 수 있었다. 또한, 사구 조명의 경우에는 일반적으로 사용되는 45$^{\circ}$위치의 X자형 배치를 주요 패턴의 방향에 따라 적절히 바꾸어 주면 분해능과 초점심도를 향상시킬 수 있음을 확인하였다.
