Hepatitis B virus (HBV) is a major cause of liver cirrhosis and hepatocellular carcinoma. With recent identification of HBV receptor, inhibition of virus entry has become a promising concept in the development of new antiviral drugs. To date, 10 HBV genotypes (A-J) have been defined. We previously generated two murine anti-preS1 monoclonal antibodies (mAbs), KR359 and KR127, that recognize amino acids (aa) 19-26 and 37-45, respectively, in the receptor binding site (aa 13-58, genotype C). Each mAb exhibited virus neutralizing activity in vitro, and a humanized version of KR127 effectively neutralized HBV infection in chimpanzees. In the present study, we constructed a humanized version (HzKR359-1) of KR359 whose antigen binding activity is 4.4-fold higher than that of KR359, as assessed by competitive ELISA, and produced recombinant preS1 antigens (aa 1-60) of different genotypes to investigate the binding capacities of HzKR359-1 and a humanized version (HzKR127-3.2) of KR127 to the 10 HBV genotypes. The results indicate that HzKR359-1 can bind to five genotypes (A, B, C, H, and J), and HzKR127-3.2 can also bind to five genotypes (A, C, D, G, and I). The combination of these two antibodies can bind to eight genotypes (A-D, G-J), and to genotype C additively. Considering that genotypes A-D are common, whereas genotypes E and F are occasionally represented in small patient population, the combination of these two antibodies might block the entry of most virus genotypes and thus broadly neutralize HBV infection.
In the course of a developing screening method for resistant radish to Fusarium oxysporum f. sp. raphani, we found that the fungus produces phytotoxic compound against Raphanus sativus. The culture filtrate of F. oxysporum f. sp. raphani KR1 represented the strongest phytotoxicity when the fungus was incubated in the malt extract broth with 150 rpm at $25^{\circ}C$ for 14 days. Under bioassay-guided purification, we isolated a substance from liquid culture of F. oxysporum f. sp. raphani KR1, with phytotoxic effect against R. sativus. The compound was identified as fusaric acid by mass and nuclear magnetic resonance spectral analyses. Phytotoxicity of the compound against cruciferous vegetable crops, including radish, cabbage, and broccoli, was investigated. Fusaric acid represented phytotoxicity on radish seedlings by concentration dependant manner. And the phytotoxin demonstrated strong phytotoxicity on the resistant cultivars as well as susceptible cultivars of radish to F. oxysporum f. sp. raphani. In addition, fusaric acid isolated from the fungus also showed a potent phytotoxic efficacy against non-host Brassicaceae crops of the fungus such as cabbage and broccoli. The results demonstrate that fusaric acid produced by F. oxysporum f. sp. raphani is non-host-specific toxin and for screening of resistant radish to the fungal pathogen, spore suspension of the fungus without the phytotoxin has to be used.
Kim, Sang-Mo;Jang, Kyung-Wook;Lee, Won-Jae;Kim, Kyung-Hwan
Journal of the Semiconductor & Display Technology
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v.6
no.4
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pp.11-15
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2007
As preparing electrode for the OLED with the sputtering process, in order to be lower damage of the bottom organic layer and increase the life-time of the OLED, we prepared Al electrode for that by using Facing Targets Sputtering (FTS) system. Al electrode directly deposited on the cell (LiF/EML/HTL/Bottom electrode). Deposition condition was the working gas (Ar, Kr and Ar+Kr) and working gas pressure (1 and 6 mTorr). The film thickness and I-V curve of Al/cell were evaluated by a $\acute{a}$-step profiler and a semiconductor parameter (HP4156A) measurement. The thin film surface image was observed by a Atomic Force Microscope (AFM). In result, in comparison with about 11 [V] of the turn-on voltage of Al/cell with using the pure Ar gas, when Al thin film was deposited using the Ar-Kr mixture gas, the surface morphology was improved in some region and the turn-on voltage of Al/cell could be decreased to about 7 [V].
In this paper, we have studied on the effects of annular and quadrupole illuminations by changing their conditions for enhancing the pattern resolution and depth of focus (OaF) in the optical lithography system using KrF Eximer laser 0.248$\mu$m and 0.65 NA. As a result, it is revealed that each illumination condition to optimize the resolution and the OaF for the mask containing the assistance pattern is different under the annular illumination. And in case of quadrupole illumination, we could ascertain that the resolution and the OaF would be enhanced through changing the arrangement of each pole from the conventional X type (45 degrees) to some proper type according to the main pattern direction. ction.
The antagonistic fluorescent pseudomonas, which was isolated from continuous cropping rhizosphere of pepper and cucumber, was identified as Pseudomonas fluorescens (P.f.). For further study, transformant was derived from the isolated P.f. after spontaneous mutation to give antibiotic resistance to nalidixic acid and rifampicin as marked strain. Both P.f. and transformant strains were used for this study and the results obtained were summarized as follows. 1. One of the most effective antagonistic strain, KR164, was selected against F. solani, F. oxysporum, R. solani and this strain was identified and classified as Pseudomonas fluorescens biotype IV. 2. Transformant, KR1641, was derived from strain KR164 and both strains had the same biological and biochemical characteristics. 3, Mycelial lysis and abnormal mycelia of plant pathogenic fungi were microscopically observed after simultaneous culture of fungus and given bacterial strain. 4. The length of chinese cabbage to the autolyzed became longer with given bacterial strain in dark culture. 5. Percentage of germination, number of leaves, length of height, and length of root in chinese cabbage in pot experiment were improved by inoculation of given bacterial strain. 6. The number of given bacterial strain kept generally stable until 34 days after inoculation of itself in pot experiment. Inoculation of given bacterial strain did affect the number of plant disease fungi to be decreased but did not affect the number of other bacteria, Bacillus, in pot experiment.
Excitations of eight pumping transitions for nitric oxide fluorescence imaging are analyzed under equivalent experimental conditions to determine the detection. Frequency mixed dye laser pumping, 1st anti-Stokes $H_2$ Raman of KrF excimer laser pumping and ArF excimer laser pumping show good sensitivities.
2002년 초에 Dataquest에 의해 발표된 시장전망에 의하면, 2003년 이후 3$~$4년간 엑시머 레이저를 이용한 DUV 노광장비 시장은 큰 폭으로 확대될 것으로 전망하고 있으며, DRAM 수요의 증가와 12인치(300mm) 공정의 가속화가 그 예상을 뒷받침 하고 있다. 특히, KrF엑시머 레이저 공정 이후에 도입될 ArF엑시머 레이저 시장의 확대가 주목된다.
This experiment was conducted to determine the optimum dosage of gamma rays for inducing artificial mutation of several mutant characters in the flue-cured tobacco. 1) In Hicks and BY 104, the gammarays irradiation has no significantly different effect on seed germination from the control. However, the average dosage for 50% growth inhibition was 25-30kr for all the varieties tested, which inhibition 46-52% and 43-57% of the seedling growths for Hicks and BY 104, respectively. 2) A mutant line 83H-5 was selected from Hicks by irradiation gamma ray at the level of 30kr. It has white flower, more resistance to bacterial wilt, Pssudomonas solanacearum, lower plant and stalk height, narrower leaf width, larger leaf shape index(lento width) and later days to flower when compared with the original variety Hicks. 3) White flower was recessive to pink flower in F, and Br (F1 X Hicks) progenies. F2 population of the cross gave segregation ratio of 3 pink flower:1 white flower, and B, (F1 X 83H-5) Population gave 1:1 ratio. Results showed that the white flower character is governed by a single recessive gene.
NdFeB films have been grown onto Si(100) substrate by a KrF pulsed laser ablation of the targets of $Nd_xFe_{90.98-x}B_{9.02}$ (x=17.51~27.51) at the substrate temperature of 620~700 $^{\circ}C$ and the laser beam energy density of 2.75~5.99 J/$\textrm{cm}^2$. The films exhibit no preferred orientation, however, good hard magnetic properties were produced from as-deposited condition : $4{\pi}M_s$=7 kG, $4{\pi}M_r$=4 kG, and $H_c$=300~1000 Oe. The depositon rate was not greatly influenced by changing the substrate temperature, but it increases linearly by increasing the beam energy density. The beam energy density of 3 J/$\textrm{cm}^2$ gave the optimal condition to have the highest $4{\pi}M_r$ and $H_c$ as well. The higher content of Nd induces a higher coercivity and $4{\pi}M_r$ at the same time without prominent change in $4{\pi}M_s$.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.1
no.1
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pp.20-30
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2001
A 1.8V $650{\;}\textrm{mm}^2$ 4Gb DRAM having $0.10{\;}\mu\textrm{m}^2$ cell size has been successfully developed using 0.11 $\mu\textrm{m}$DRAM technology. Considering manufactur-ability, we have focused on developing patterning technology using KrF lithography that makes $0.11{\;}\mu\textrm{m}$ DRAM technology possible. Furthermore, we developed novel DRAM technologies, which will have strong influence on the future DRAM integration. These are novel oxide gap-filling, W-bit line with stud contact for borderless metal contact, line-type storage node self-aligned contact (SAC), mechanically stable metal-insulator-silicon (MIS) capacitor and CVD Al process for metal inter-connections. In addition, 80 nm array transistor and sub-80 nm memory cell contact are also developed for high functional yield as well as chip performance. Many issues which large sized chip often faces are solved by novel design approaches such as skew minimizing technique, gain control pre-sensing scheme and bit line calibration scheme.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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