• 제목/요약/키워드: Ion-Assisted Reaction

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고밀도 플라즈마에 의한 $Y_{2}O_{3}$박막의 식각 메커니즘 연구 (Etch Mechanism of $Y_{2}O_{3}$ Thin Films in High Density Plasma)

  • 김영찬;김창일;장의구
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2000년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.25-28
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    • 2000
  • In this study, $Y_2$O$_3$ thin films were etched with inductively coupled plasma (ICP). The etch rate of $Y_2$O$_3$, and the selectivity of $Y_2$O$_3$ to YMnO$_3$ were investigated by varying Cl$_2$/(Cl$_2$+Ar) gas mixing ratio. The maximum etch rate of $Y_2$O$_3$, and the selectivity Of $Y_2$O$_3$ to YMnO$_3$ were 302/min, and 2.4 at Cl$_2$/(Cl$_2$+Ar) gas mixing ratio of 0.2 repectively. In x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis, $Y_2$O$_3$ thin film was dominantly etched by Ar ion bombardment, and was assisted by chemical reaction of Cl radical. These results were confirmed by secondary ion mass spectroscopy(SIMS) analysis. YCI, and YCl$_3$ existed at 126.03 a.m.u, and 192.3 a.m.u, respectively

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Synthesis and Optical Characteristics of Green Emitting $(Y,Gd)Al_3(BO_3)_4$:Tb Phosphor for PDP application

  • Han, B.Y.;Shin, H.H.;Yoo, J.S.;Kim, C.K.
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
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    • pp.1352-1355
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    • 2007
  • An new green phosphor, $(Y,Gd)Al_3(BO_3)_4$:Tb was synthesized by flux assisted solid reaction and its VUV excitation and emission characteristics were examined. The luminance of $(Y,Gd)Al_3(BO_3)_4$:Tb at 147 nm excitation was higher than that of $YBO_3:Tb$, while keeping the spectra and decay time of Tb ion same as those of $YBO_3:Tb$.

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레이저를 이용한 미세에칭에 관한 연구 (A Study on the Argon Laser Assisted Thermochemical Micro Etching)

  • 박준민;정해도
    • 한국정밀공학회:학술대회논문집
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    • 한국정밀공학회 2001년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.844-847
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    • 2001
  • The application of laser direct etching has been discussed, and believed that the process is a very powerful method for micro machining. This study is focused on the micro patterning technology using laser direct etching process with no chemical damage of the material surface. A new introduced concept of energy synergy effect for surface micro machining is the combination of chemically ion reaction and laser thermal process. The etchant can't etch the material in room temperature, and used Ar laser has not power enough to machine. But, the machining is occurred in local area of the material by the combined energy. Using this process, the material is especially prevented from chemical damage for electric property. We have tested this new concept, and achieved a line with $1{mu}m$ width. The Ar laser with 488nm wavelength was used. The material was Si(100) wafer, and etchant is KOH solution. The application and flexibility of this process is in great hopes for MEMS structures and fabrication of the micro electric device parts.

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대기압 반응로 내 코로나 이온을 이용한 나노입자 형상의 제어 (Corona ion Assisted Nano-Particle Morphology Control in an Atmospheric Pressure Furnace Reactor)

  • 안강호;윤진욱;김영원
    • 대한기계학회논문집B
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    • 제26권5호
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    • pp.710-715
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    • 2002
  • The spherical nonagglomerated and uniform nanometer-size SiO$_2$particles are synthesized by the injection of TEOS vapor, irons and reaction gas in a furnace. Ions are generated by corona discharge and these ions charge SiO$_2$particles. As a result, spherical, nonagglomerated and ultrafine particles are generated in various conditions. Their morphology, charging portion and size distribution are examined by using TEM, ESP and SMPS. As the applied voltage of electrode changes from 0 to 5.0 kV, it is observed that the melon diameter of SiO$_2$particle decreases from 94 nm to 42 nm.

레이저묘화 기술을 이용한 3차원 미세구조물 제조 (Fabrication of three dimensional microstructures using laser direct writing technique)

  • 정성호;한성일
    • 한국정밀공학회:학술대회논문집
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    • 한국정밀공학회 2003년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.670-673
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    • 2003
  • Fabrication of three dimensional microstructures by laser-assisted chemical vapor deposition of material is investigated. To fabricate microstructures, a thin layer of deposit in desired patterns is first written using laser direct writing technique and on top of this layer a second layer is deposited to provide the third dimension normal to the surface. By depositing many layers. a three dimensional microstructure is fabricated. Optimum deposition conditions for direct writing of initial and subsequent layers with good surface quality and profile uniformity are determined. Using an arson ion laser and ethylene as the light source and reaction gas, respectively, fabrication of three-dimensional carbon microstructures is demonstrated.

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On The Etching Mechanism of $ZrO_2$ Thin Films in Inductively Coupled $BCl_3$/Ar Plasma

  • Kim, Man-Su;Jung, Hee-Sung;Min, Nam-Ki;Lee, Hyun-Woo;Kwon, Kwang-Ho
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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    • pp.83-84
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    • 2007
  • $BCl_3$/Ar ICP 플라즈마를 이용한 $ZrO_2$ 박막의 식각 메카니즘이 실험 결과와 모델링을 통해 연구되었다. Ar 가스의 증가에 따라, $ZrO_2$의 식각 속도는 선형 변화의 경향을 보이지 않았고, Ar의 약 30% - 35%에서 41.4nm/min의 최대의 속도를 나타내었다. Langmuir probe 측정과 plasma 모델링 결과로부터, $BCl_3$/Ar 가스 혼합비가 플라즈마 파라미터와 active species의 형성에 큰 영향을 미침을 확인하였다. 한편 surface kinetics 모델링 결과로부터, $ZrO_2$의 식각 속도는 ion-assisted chemical reaction mechanism 에 의해 결정됨을 확인하였다.

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고밀도 플라즈마를 이용한 SnO2 박막의 건식 식각 특성 (A Study on Etching Characteristics of SnO2 Thin Films Using High Density Plasma)

  • 김환준;주영희;김승한;우종창;김창일
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제26권11호
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    • pp.826-830
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    • 2013
  • In this paper, we carried out the investigations of both etch characteristics and mechanisms for the $SnO_2$ thin films in $O_2/BCl_3/Ar$ plasma. The dry etching characteristics of the $SnO_2$ thin films was studied by varying the $O_2/BCl_3/Ar$ gas mixing ratio. We determined the optimized process conditions that were as follows: a RF power of 700 W, a DC-bias voltage of - 150 V, and a process pressure of 2 Pa. The maximum etch rate was 509.9 nm/min in $O_2/BCl_3/Ar$=(3:4:16 sccm) plasma. From XPS analysis, the etch mechanism of the $SnO_2$ thin films in the $O_2/BCl_3/Ar$ plasma can be identified as the ion-assisted chemical reaction while the role of ion bombardment includes the destruction of the metal-oxide bonds as well as the cleaning of the etched surface form the reaction products.

Modified Photo-Fenton Reaction을 이용한 Methyl Tert-butyl Ether (MTBE)의 분해 Kinetic 및 메커니즘 규명에 관한 연구 (Degradation Kinetic and Mechanism of Methyl Tert-butyl Ether (MTBE) by the Modified Photo-Fenton Reaction)

  • 김민경;공성호
    • 한국지하수토양환경학회지:지하수토양환경
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    • 제11권6호
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    • pp.69-75
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    • 2006
  • 지하 저장 탱크로부터의 유류 유출로 인하여 전세계적으로 넓은 지역의 토양 및 지하수가 오염되고 있다. Methyl tert-butyl ether(MTBE)는 대기 오염 감소를 위하여 널리 사용되고 있는 유류 첨가제이지만 토양 및 지하수로 유입되어 섭취 되었을 때 발암 가능성이 있는 유독 물질이다. 본 연구는 고도 산화 처리 기법 중 유기 오염물의 분해에 높은 효율을 나타내는 고전적 Fenton reaction의 최대 단점인 강한 산성(pH 2.5-3) 의존성을 극복한 새로운 산화 처리 기법을 개발하여 고농도의 MTBE를 효과적으로 분해 하는 것을 그 목적으로 하여 자연 친화적인 chelating agents를 사용하여 중성 영역에서 Fenton reaction을 가능하게 하는 기법인 Modified Fenton reaction과 Ultra Violet light(UV)를 이용하여 분해효율을 극대화 하는 Photo-assisted Fenton reaction을 응용한 Modified Photo-Fenton reaction system을 개발하여 최적 반응 조건 및 반응 차수, 반응 메커니즘을 밝혀내었다. 낮은 독성과 높은 생분해성을 나타낸 Citrate ion을 chelating agents로 선정하였으며 최적 반응 조건은 [$Fe^{3+}$] : [Citrate] = 1 mM : 4 mM, 3% $H_2O_2$, 17.4 kWh/L UV dose, 초기 pH 6.0이며 이 조건에서 1000 ppm MTBE를 분해한 결과 6시간 후 86.75%, 16시간 후 99.99%의 높은 분해율을 나타냈으며 최종 pH는 6.02로 안정적이었다. 또한 Modified Photo-Fenton reaction을 이용한 MTBE 분해 반응은 유사 1차 반응을 나타내었으며 methoxy group이 ${\cdot}OH$ radical과 주로 반응하여 tert-butyl formate(TBF)가 주요 분해 산물이 되는 분해 경로를 따른 다는 것이 밝혀졌다. 본 연구로 개발된 Modified Photo-Fenton reaction에서 발생되는 산화제인 ${\cdot}OH$ radical의 비선택적 반응성을 고려할 때 본 system은 다른 종류의 유기 오염물 분해에도 효과적일 것으로 판단된다.

HPLC-MS/MS에 의한 감초의 liquiritin과 glycyrrhizin의 분석 (Qunatitative analysis of liquiritin and glycyrrhizin in glycyrrhizae radix by HPLC-MS/MS)

  • 유영법;김미정;황대선;하혜경;마진열;신현규
    • 분석과학
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    • 제20권4호
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    • pp.331-338
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    • 2007
  • 한약과 기능성식품으로 널리 활용되는 감초의 지표물질인 glycyrrhizin과 liquiritin을 HPLC-MS/MS 로 정성, 정량분석을 실시하였다. 두 가지 지표성분 모두 positive ion mode에서 검출이 가능하였고, precursor ion과 product ion을 조합한 multiple-reaction monitoring (MRM) mode에서 liquiritin은 m/z $436.2{\rightarrow}257.0$로 관찰되었고, glycyrrhizin은 m/z $823.4{\rightarrow}453.4$ 로 각각 검지되었다. 감초 물 추출물을 분무건조기로 건조한 분말에서 glycyrrhizin의 경우 5.8%, liquiritin의 경우 2.3% 각각 함유되어 있었다. 회수율은 103-113%였고, 일간, 일내 정밀도 실험에서 상대표준편차는 0.95-1.8% 였다. 본 실험 조건에서 liquiritin과 glycyrrhizin의 검출한계는 각각 0.4 ng/mL과 0.01 ng/mL 이었다.