Choi, Jaecheol;Son, Bongki;Ryou, Myung-Hyun;Kim, Sang Hern;Ko, Jang Myoun;Lee, Yong Min
Journal of Electrochemical Science and Technology
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제4권1호
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pp.27-33
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2013
The consequences of electrode density and thickness for electrochemical performance of lithium-ion cells are investigated using 2032-type coin half cells. While the cathode composition is maintained by 90:5:5 (wt.%) with $LiCoO_2$ active material, Super-P electric conductor and polyvinylidene fluoride polymeric binder, its density and thickness are independently controlled to 20, 35, 50 um and 1.5, 2.0, 2.5, 3.0, 3.5 g $cm^{-3}$, respectively, which are based on commercial lithium-ion battery cathode system. As the cathode thickness is increased in all densities, the rate capability and cycle life of lithium-ion cells become significantly worse. On the other hand, even though the cathode density shows similar behavior, its effect is not as high as the thickness in our experimental range. This trend is also investigated by cross-sectional morphology, porosity and electric conductivity of cathodes with different densities and thicknesses. This work suggests that the electrode density and thickness should be chosen properly and mentioned in detail in any kinds of research works.
A multicusp ion source has been used widely in negative hydrogen cyclotrons mainly for radioisotope productions. The ion source is designed to have cusp geometries of magnetic field inside plasma chamber, where ions are confining and their mean lifetimes increase. The magnetic confinement produced a number of permanent magnetic poles helps to increase beam currents and reduce the emittance. Therefore optimizing the number of magnets confining more ions and increasing their mean lifetime in plasma has to be investigated in order to improve the performance of the ion source. In this work a numerical simulation of the magnetic flux density from a number of permanent magnets is carried to optimize the cusp geometries producing the highest plasma density, which is clearly indicated along the full-line cusp geometry. The effect of magnetic fields and a number of poles on the plasma structure are investigated by a computing tool. The electron confinement effect becomes stronger and the density increases with increasing the number of poles. On the contrary, the escape of electrons from the loss cone becomes more frequent as the pole number increases [1]. To understand above observation the electron and ion's trajectories along with different cusp geometries are simulated. The simulation has been shown that the optimized numbers of magnets can improve the ion density and uniformity.
We present results of molecular dynamics simulations for hydroxide ion in supercritical water of densities 0.22, 0.31, 0.40, 0.48, 0.61, and 0.74 g/cc using the SPC/E water potential with Ewald summation. The limiting molar conductance of $OH^-$ ion at 673 K monotonically increases with decreasing water density. It is also found that the hydration number of water molecules in the first hydration shells around the $OH^-$ ion decreases and the potential energy per hydrated water molecule also decreases in the whole water density region with decreasing water density. Unlike the case in our previous works on LiCl, NaCl, NaBr, and CsBr [Lee at al., Chem. Phys. Lett. 1998, 293, 289-294 and J. Chem. Phys. 2000, 112, 864-869], the number of hydrated water molecules around ions and the potential energy per hydrated water molecule give the same effect to cause a monotonically increasing of the diffusion coefficient with decreasing water density in the whole water density region. The decreasing residence times are consistent with the decreasing potential energy per hydrated water molecule.
The effects of additive ions on the generation of metallic nanoparticles were evaluated using a corona induced supersonic nozzle. Applying the corona discharge to the nanoparticle generator, a tungsten needle and the supersonic nozzle are used as an anode electrode and a cathode electrode respectively. The corona ions act as nuclei for the silver vapor condensation. The ion density was controlled precisely as varying the applied voltage between electrode and nozzle. The mean diameter of the silver particle decreases as the ion density increases. However, the number concentration of the silver particle tended to increase with the ion density. The size distribution is more uniform as the ion density increases.
Le, X.Y.;Yan, S.;Zhao, W.J.;Han, B.H.;Wang, Y.G.;Xue, J.M.;Zhang, H.T.
Journal of Korean Vacuum Science & Technology
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제6권2호
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pp.92-96
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2002
In this paper, we treated the Ni$_3$Al based alloy samples with intense pulsed ion beams (IPIB) at the beam parameters of 250KV acceleration voltage, 100 - 200 A/cm$^2$ current density and 60 u pulse duration. We simulated the thermal-mechanical process near the surface of Ni$_3$Al based alloy with our STEIPIB codes. The surface morphology and the cross-section microstructures of samples were observed with SEM, the composition of the sample surface layer was determined by X-ray Energy Dispersive Spectrometry (XEDS) and the microstructure on the surface was observed by Transmission Electron Microscope (TEM). The results show that heating rate increases with the current density of IPIB and cooling rate reached highest value less than 150 A/cm$^2$. The irradiation of IPIB induced the segregation of Mo and adequate beam parameter can improve anti-oxidation properly of IC6 alloy. Some craters come from extraneous debris and liquid droplets, and some maybe due to the melting of the intersection region of interphase. Increasing the pulse number enlarges average size of craters and decreases number density of craters.
산업의 발전함에 따라 고기능성 박막의 수요가 증가하고 있으며, magnetron sputtering, e-beam evaporation, ion beam 등을 이용한 박막 증착에 대한 연구가 많이 진행되고 있다. 그러나 기존 방법만으로는 박막 접착계면의 불균일로 인해 고기능성 박막 성장이 어렵다는 단점을 가지고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 박막 공정 중 고밀도 플라즈마 소스(high density plasma source)를 통해 추가적인 에너지를 인가하여 박막의 밀도를 bulk 수준으로 증가시키고 내부 응력을 조절하는 연구에 대한 관심이 커지고 있다. 특히 grid를 이용하여 플라즈마 내 이온의 입사에너지를 증가시킴으로써, 기존 공정보다 고기능성 박막을 구현할 수 있다. 본 연구에서는 RF power를 이용한 inductively coupled plasma를 통해 플라즈마를 생성시킨 후 grid에 DC power를 인가하는 플라즈마 소스를 개발하였으며, 시뮬레이션을 통해 plasma density와 ion current density, ion energy 분석 및 grid 디자인을 하였다. 개발된 플라즈마 소스는 ion energy analyzer를 통해 RF power 및 grid에 인가하는 power의 세기에 따라 이온화 정도 및 이온의 입사에너지를 측정하였다.
A cutoff probe is the novel diagnostic method to get the absolute plasma density with simple system and less assumption. However, high density of ion flux from plasma on probe tip can make the error of plasma density measurement because the dielectric material of probe tip can be damaged by ion flux. We proposed a shielded cutoff probe using the ceramic tube for protection from ion flux. The ceramic tube on probe tip can intercept the ion flux from plasma. The transmitted spectrum using the shielded cutoff probe is good agreement with E/M wave simulation result (CST Microwave Studio) and previous circuit simulation of cutoff probe [1]. From the analysis of the measured transmitted spectrum base on the circuit modeling, the parallel resonance frequency is same as the unshielded cutoff probe case. The obtained results of electron density is presented and discussed in wide range of experimental conditions, together with comparison result with previous cutoff method.
In this study, PSII(plasma source ion implantation) was used to improve the biocompatibility of bone-anchored Ti implant. According to potentiodynamic anodic polarization test in deaerated Hank's solution, open circuit potential of ion implanted specimens were increased compare to that of unimplanted specimen ; besides, passive current density and critical anodic current density of ion implanted specimens were lower than unimplanted specimen.
These days, a growing demand for memory device is filled up with the flash memory and the dynamic random access memory (DRAM). Although DRAM is a reasonable solution for current demand, the universal novel memory with high density, high speed and nonvolatility, needs to be developed. Among various new memories, the magnetic random access memory (MRAM) device is considered as one of good candidate memories because of excellent features including high density, high speed, low operating power and nonvolatility. The etching of MTJ stack which is composed of magnetic materials and insulator such as MgO is one of the vital process for MRAM. Recently, MgO has attracted great interest in the MTJ stack as tunneling barrier layer for its high tunneling magnetoresistance values. For the successful realization of high density MRAM, the etching process of MgO thin films should be investigated. Until now, there were some works devoted to the investigations on etch characteristics of MgO thin films. Initially, ion milling was applied to the etching of MgO thin films. However, ion milling has many disadvantages such as sidewall redeposition and etching damage. High density plasma etching containing the magnetically enhanced reactive ion etching and high density reactive ion etching have been employed for the improvement of etching process. In this work, inductively coupled plasma reactive ion etching (ICPRIE) system was adopted for the improvement of etching process using MgO thin films and etching gas mixes of $CH_4$/Ar and $CH_4$/$O_2$/Ar have been employed. The etch rates are measured by a surface profilometer and etch profiles are observed using field emission scanning emission microscopy (FESEM). The effects of gas concentration and etch parameters such as coil rf power, dc-bias voltage to substrate, and gas pressure on etch characteristics will be systematically explored.
The cold hollow cathode gas ion source is under development for multi aperture focused ion beam (FIB) system. In this paper, we describe the cold hollow cathode ion source design and the general ion source performance using Ar gas. The glow discharge characteristics and the ion beam current density at various operation conditions are investigated. This ion source can generate maximum ion beam current density of approximately 120 mA/$cm^2$ at ion beam potential of 10 kV. In order to effectively transport the energetic ions generated from the ion source to the multi-aperture focused ion beam(FIB) system, the einzel lens system for ion beam focusing is designed and evaluated. The ions ejected from the ion source can be forced to move near parallel to the beam axis by adjusting the potentials of the einzel lenses.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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