• 대한전자공학회논문지SD
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• 제45권1호
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• pp.14-19
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• 2008

현대 반도체의 소형화 및 고성능화로 인해 반도체 테스팅 분야는 다양한 문제점에 봉착하고 있다. 이중 연결선에 대한 signal integrity 문제는 SoC와 같은 고집적 회로에서 반드시 해결해야할 문제이다. 본 논문에서는 연결선의 signal integrity 테스트를 위한 효과적인 테스트 패턴 적용 방안을 제안한다. 제안하는 테스트 패턴은 경계 주사 구조를 통해 적용 가능하며, 상당히 짧은 테스트 시간으로 매우 효과적인 테스트를 수행할 수 있다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제37권6호
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• pp.50-56
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• 2000

초고주파에서 집적회로용 연결선(interconnect)에 PGS(Patterned Grouned Shield)를 적용하는 실험을 하였다. PGS는 신호선으로부터 비절연 실리콘 기판을 차폐시킴으로써 광대역에 걸쳐 전송선의 실리콘기판을 통한 전력손실을 크게 줄일 수 있음을 측정결과를 통해 보였다. 또한 PGS를 이용한 전송선의 특성을 분석하고 PGS가 전송선의 파장을 줄여주는 효과가 있음을 확인하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제37권2호
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• pp.65-77
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• 2000

본 논문에서는 IC(Integrated Circuits) 칩들간의 배선 위상(topology)이 정해진 재구성 가능한(reconfigurable) FPGA(Field Programmable Gate Array) 기반 보드로의 회로 분할 문제로써 새로운 quadratic boolean programming 수식(formulation)을 제안한다. 본 수식의 목적은 회로 분할 시 사용하는 핀수와 네트들의 배선 길이의 합을 최소화하는 것이며 기존의 분할 방법에서 고려하는 제약조건 외에 서로 인접하지 않은 IC 칩들을 연결하기 위하여 다른 IC 칩을 통과(pass through)하는 네트들에 의해 사용되는 핀수도 고려한다. 또한 본 논문에서는 제안한 분할 문제를 효율적으로 해결하기 위하여 모듈 할당 방법으로 구성되어 있는 휴리스틱(heuristic) 분할 방법을 제안한다. 입력된 회로에 대하여 다른 분할 방법과 비교하여 실험한 결과 분할 문제의 주어진 제한들을 모두 만족하였다. 대부분의 배선된 회로에 대하여 핀 사용률이 적게 나타났으며 네트들의 사용한 배선 길이의 합은 최대 34.7% 적게 나타났다.

• 전자공학회논문지A
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• 제33A권10호
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• pp.186-194
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• 1996

The SliM (sliding memory plane) array processor has been proposed to alleviate disadvantages of existing mesh-connected SIMD(single instruction stream- multiple data streams) array processors, such as the inter-PE(processing element) communication overhead, the data I/O overhead and complicated interconnections. This paper presents the deisgn and implementation of SliM image processor ASIC (application specific integrated circuit) chip consisting of mesh connected 5 X 5 PE. The PE architecture implemented here is quite different from the originally proposed PE. We have performed the front-end design, such as VHDL (VHSIC hardware description language)modeling, logic synthesis and simulation, and have doen the back-end design procedure. The SliM ASIC chip used the VTI 0.8$\mu$m standard cell library (v8r4.4) has 55,255 gates and twenty-five 128 X 9 bit SRAM modules. The chip has the 326.71 X 313.24mil$^{2}$ die size and is packed using the 144 pin MQFP. The chip operates perfectly at 25 MHz and gives 625 MIPS. For performance evaluation, we developed parallel algorithms and the performance results showed improvement compared with existing image processors.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제47권5호
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• pp.48-55
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• 2010

반도체 설계기술의 발달로 구현 회로가 복잡해지고, 동작속도가 크게 증가함에 따라, 반도체 이후 (post-silicon) 설계 단계에서 repair를 위한 기간 및 비용이 크게 증가하고 있다. 본 논문에서는 예비 셀을 이용한 repair 방법을 통해 설계 오류로 인한 repair시 혹은 설계 변경 시에 전체 재설계를 최소화하는 방법을 제안하였다. 또한 예비 셀을 이용한 설계 변경 과정에서 repair layer에 설계 변경을 국한하여 mask 비용과 time-to-market을 줄이는 방법을 개발하였다. 또한 회로 분할을 통해 repair 과정에서 사용하는 예비회로의 비용을 줄일 수 있도록 한다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제41권8호
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• pp.19-26
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• 2004

패키지는 전기적인 특성에 있어서 우수한 고주파 전송 특성을 지녀야한다. 그러나 집적회로면이 위로 향하는 세라믹 패키지(Face-up Package)는 본드와이어 연결 시 고주파의 기생 특성이 크게 증가하여 시스템 전체의 성능에 큰 제한을 가져온다. 본 논문에서는 향상된 정합특성을 갖는 새로운 밀리미터파 세라믹 패키지 급전구조를 제안하였고, 유한요소법(FEM: Finite Element Method)을 이용하여 20 ∼ 50 GHz에서 해석 및 설계를 하고 제작하였다. 측정 결과, 삽입된 금속판 (Embedded Metal Sheet)을 가지는 세라믹 패키지 급전구조는 47GHz까지 기존의 세라믹 패키지보다 0.85dB 그리고 본드와이어 부분에 일반적인 에폭시( ε/sub γ/ = 4)를 사용하여 몰딩한 세라믹 패키지보다 0.4dB가 개선된 삽입손실의 특성을 얻을 수 있었다. 따라서 본 해석결과는 소형의 세라믹 패키지 및 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) 모듈 개발에 효과적으로 활용될 수 있으리라 기대된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.93-93
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• 2016

Large scale integrated circuits (LSIs) has been improved by the shrinkage of the circuit dimensions. The smaller chip sizes and increase in circuit density require the miniaturization of the line-width and space between metal interconnections. Therefore, an extreme precise control of the critical dimension and pattern profile is necessary to fabricate next generation nano-electronics devices. The pattern profile control of plasma etching with an accuracy of sub-nanometer must be achieved. To realize the etching process which achieves the problem, understanding of the etching mechanism and precise control of the process based on the real-time monitoring of internal plasma parameters such as etching species density, surface temperature of substrate, etc. are very important. For instance, it is known that the etched profiles of organic low dielectric (low-k) films are sensitive to the substrate temperature and density ratio of H and N atoms in the H2/N2 plasma [1]. In this study, we introduced a feedback control of actual substrate temperature and radical density ratio monitored in real time. And then the dependence of etch rates and profiles of organic films have been evaluated based on the substrate temperatures. In this study, organic low-k films were etched by a dual frequency capacitively coupled plasma employing the mixture of H2/N2 gases. A 100-MHz power was supplied to an upper electrode for plasma generation. The Si substrate was electrostatically chucked to a lower electrode biased by supplying a 2-MHz power. To investigate the effects of H and N radical on the etching profile of organic low-k films, absolute H and N atom densities were measured by vacuum ultraviolet absorption spectroscopy [2]. Moreover, using the optical fiber-type low-coherence interferometer [3], substrate temperature has been measured in real time during etching process. From the measurement results, the temperature raised rapidly just after plasma ignition and was gradually saturated. The temporal change of substrate temperature is a crucial issue to control of surface reactions of reactive species. Therefore, by the intervals of on-off of the plasma discharge, the substrate temperature was maintained within ${\pm}1.5^{\circ}C$ from the set value. As a result, the temperatures were kept within $3^{\circ}C$ during the etching process. Then, we etched organic films with line-and-space pattern using this system. The cross-sections of the organic films etched for 50 s with the substrate temperatures at $20^{\circ}C$ and $100^{\circ}C$ were observed by SEM. From the results, they were different in the sidewall profile. It suggests that the reactions on the sidewalls changed according to the substrate temperature. The precise substrate temperature control method with real-time temperature monitoring and intermittent plasma generation was suggested to contribute on realization of fine pattern etching.