• 대한기계학회논문집B
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• 제38권10호
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• pp.845-851
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• 2014

유전영동(DEP)이란 비균질의 전기장과 그에 따라 입자 내부에 형성되는 극성힘에 의해 용매에 분산되어 있는 입자에 야기되는 운동을 의미하며, 세포, 바이러스, 나노입자 등의 트래핑, 입자분류, 셀분리 등과 같은 다양한 생물학적 응용에 이용되어 왔다. 지금까지 유전영동트랩에 대한 해석은 주기평균 ponderomotive force 에 기반한 정특성 해석이 주를 이루고 있으며, 동특성에 대해서는 많은 연구가 이루어져 있지 않다. 이는 지금까지 유전영동트랩이 적용된 입자들의 크기가 상대적으로 매우 크기 때문으로, 분석입자의 크기가 매우 작은 나노단위 분석에서는 적절하지 않다. 본 연구에서는, 다양한 시스템 파라미터들에 대한 트래핑의 동역학적 반응 및 그들의 트래핑 안정성에 대한 영향을 심도깊게 관찰하고자 한다. 특히, 입자의 전도율에 따른 입자의 동특성의 변화 또한 관찰하고자 한다.

• 한국항공우주학회지
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• 제33권11호
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• pp.115-120
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• 2005

본 논문에서는 과학기술위성 2호 대용량 메모리 유닛(Mass Memory Unit, MMU)의 시험모델(Engineering Model, EM)을 개발하고 기능 및 성능 시험한 결과를 제시하였다. 성능 구현에 필요한 로직들을 별도의 전용 칩들을 사용하지 않고 하나의 FPGA에 구현함으로써 대용량 메모리 유닛을 소형화, 경량화하고 저전력으로 사용할 수 있도록 하였다. 대용량 메모리는 2Gbits SDRAM 모듈을 사용하였으며 파일 시스템을 운용하여 지상국에서의 데이터 관리가 용이 하도록 하였다. 대용량 메모리에서 발생하는 SEU(Single Event Upset)를 극복하기 위해서 RS(207,187) 코드가 소프트웨어로 구현되어 있어서 187바이트당 10바이트의 에러를 복구할 수 있다. 또한 탑재체 데이터의 수신 성능을 검증하기 위해서 시뮬레이터를 제작 하였다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제37권2호
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• pp.68-74
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• 2000

유전체 슬랩으로 덮힌 평행평판 도파관의 좁은 슬릿을 통한 슬랩 위의 도체 스트립과의 전자기적인 결합문제를 평행평판 도파관에 TEM파가 입사되는 경우에 대하여 고려하였다. 슬릿의 접선성분 전계와 도체 스트립에 유기된 전류에 관한 결합 적분방정식을 유도하고 모멘트방법으로 풀었다. 도체 스트립이 결합에 미치는 영향을 보이기 위하여 도파관내에서의 반사 및 투과 전력, 슬릿을 통해 결합된 전력, 슬릿의 등가 어드미턴스, 그리고 복사패턴 등에 대한 수치해석결과를 제시하였다 그 결과 슬릿을 통해 평행평판 도파관 외부로 결합된 전력의 최대치가 도파관 내부 입사전력의 약 50%가 됨을 관찰하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2015년도 춘계학술대회
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• pp.689-692
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• 2015

전기철도에 공급되는 부하전류에 의하여 주변의 통신선에 발생되는 유도전압의 크기는 부하전류를 전달하는 전차선으로부터의 이격 거리에 따라 변화될 뿐만 아니라 전력 공급 급전소로부터의 거리와도 영향 관계를 가져서 급전소에 근접된 위치에서는 상대적으로 매우 높은 유도전압이 발생된다는 것을 급전소와 급전소 간에 단위 병행 거리마다의 연속된 유도전압을 측정함으로써 실증하였다. 이는 ITU-T의 전력선 전자유도 평가 지침서에서 제시된 기본 전차선 공급 전류에 대한 통신선의 위치 관계에 따른 계산 시뮬레이션 결과와도 부합된 사실이다. 그러므로 전기철도로부터 통신선에 유도되는 전압을 계산하거나 실측 평가할 때 병행 거리, 이격 거리와 더불어 급전소로부터의 위치 관계에 따른 적정 요율 변화에 대한 고려가 요구된다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
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• pp.504-508
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• 2003

New banana-shaped achiral compounds, 4-chloro-1,3-phenylene bis [4-4(3-fluoro-9-alkenyloxy) phenyl-iminomethylbenzoate]s and 4-chloro-1,3-phenylene bis [4-4-(3-fluoro-10-alkanyloxy) phenyliminomethyl benzoate]s were synthesized by varying the substituent (X=H, F, or Cl); their electrooptical properties are described. The smectic phases, including a switchable chiral smectic C ($SmC^{\ast}$) phase, were characterized by differential scanning calorimetry, polarizing optical microscopy, and triangular method. The presence of vinyl end group at the terminals of linear side wings in the banana-shaped molecules induced a decrease in melting temperature. The smectic phase having the undecenyloxy group such $as-(CH_2)_9CH=CH_2$ showed ferroelectric switching, and its value of spontaneous polarization on reversal of an applied electric field was 2250 $nC/cm^2$, while the value of spontaneous polarization of the smectic phase having the decanyloxy group such as $-(CH2)_9CH_3$ was 3700 $nC/cm^2$. We could obtain the ferroelectric phase with low isotropic temperature by varying the end group at the terminals of linear side wings in the banana-shaped achiral molecules.

• 전자공학회논문지A
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• 제31A권12호
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• pp.80-90
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• 1994

To develop VLSI of higher packing density with 0.5.mu.m gate length of less, semiconductor devices require shallow junction with higher doping concentration. the most common method to form the shallow junction is ion implantation, but in order to remove the implantation induced defect and activate the implanted impurities electrically, ion-implanted Si should be annealed at high temperature. In this annealing, impurities are diffused out and redistributed, creating deep PN junction. These make it more difficult to form the shallow junction. Accordingly, to miimize impurity redistribution, the thermal-budget should be kept minimum, that is. RTA needs to be used. This paper reports results of the diffusion characteristics of PSG film by varying Phosphorus weitht %/ Times and temperatures of RTA. From the SIMS.ASR.4-point probe analysis, it was found that low sheet resistance below 100 .OMEGA./ㅁand shallow junction depths below 0.2.mu.m can be obtained and the surface concentrations are measured by SIMS analysis was shown to range from 2.5*10$^{17}$ aroms/cm$^{3}$~3*10$^{20}$ aroms/cm$^{3}$. By depending on the RTA process of PSG film on Si, LDD-structured nMOSFET was fabricated. The junction depths andthe concentration of n-region were about 0.06.mu.m. 2.5*10$^{17}$ atom/cm$^{-3}$ , 4*10$^{17}$ atoms/cm$^{-3}$ and 8*10$^{17}$ atoms/cm$^{3}$, respectively. As for the electrical characteristics of nMOS with phosphorus junction for n- region formed by RTA, it was found that the characteristics of device were improved. It was shown that the results were mainly due to the reduction of electric field which decreases hot carriers.

• 대한조선학회논문집
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• 제53권4호
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• pp.290-299
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• 2016

The most powerful energy resource in nature is solar energy which becomes directly converted to electric power in worldwide. Most of the photovoltaic power plants are commonly installed on sunny side of the ground. Thus the installation of photovoltaic power plant could produce an unexpected adverse effect by sacrificing the productivity from green field or forest. To avoid these adverse effect floating photovoltaic plant has been devised and installed on inland reservoir. The photovoltaic plant could utilize ignored water surface without sacrificing the productivity of the ground. Additionally the photovoltaic efficiency has been reenforced by the cooling effect induced by the circulating air flow from water surface. The floating photovoltaic plant could be furnished solar tracking ability by tilting the system operated with the aid of the ballast system. This report is provided to introduce the design of the floating structure with solar panel which furnished solar tracking ability with the aid of ballast system.

• Earthquakes and Structures
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• 제11권6호
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• pp.1077-1099
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• 2016

One of the main shortcomings in the current passive base isolation system is lack of adaptability. The recent research and development of a novel adaptive seismic isolator based on magnetorheological elastomer (MRE) material has created an opportunity to add adaptability to base isolation systems for civil structures. The new MRE based base isolator is able to significantly alter its shear modulus or lateral stiffness with the applied magnetic field or electric current, which makes it a competitive candidate to develop an adaptive base isolation system. This paper aims at exploring suitable control algorithms for such adaptive base isolation system by developing a close-loop semi-active control system for a building structure equipped with MRE base isolators. The MRE base isolator is simulated by a numerical model derived from experimental characterization based on the Bouc-Wen Model, which is able to describe the force-displacement response of the device accurately. The parameters of Bouc-Wen Model such as the stiffness and the damping coefficients are described as functions of the applied current. The state-space model is built by analyzing the dynamic property of the structure embedded with MRE base isolators. A Lyapunov-based controller is designed to adaptively vary the current applied to MRE base isolator to suppress the quake-induced vibrations. The proposed control method is applied to a widely used benchmark base-isolated structure by numerical simulation. The performance of the adaptive base isolation system was evaluated through comparison with optimal passive base isolation system and a passive base isolation system with optimized base shear. It is concluded that the adaptive base isolation system with proposed Lyapunov-based semi-active control surpasses the performance of other two passive systems in protecting the civil structures under seismic events.

• 한국재료학회지
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• 제11권6호
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• pp.498-501
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• 2001

0.9Pb($Mg_{1/3}Nb_{2/3}$)$O_3$-0.1Pb$TiO_3$계 완화형 강유전체에서 MnO$_2$ 첨가가 압전물성에 미치는 영향을 강유전성이 우세한 온도영역인 -40~3$0^{\circ}C$의 온도범위에 걸쳐 조사하였다. MnO$_2$ 첨가에 의한 효과를 유전특성, 압전특성, 전계유기 변형특성 등의 영역에서 고찰하였다 MnO$_2$ 첨가량이 증가할수록 유전성 및 압전성은 hard piezoelectric의 경향을 나타내었다. 이러한 실험적 고찰로부터 첨가된 Mn은 강유전 도메인 분역을 고정하는 역할을 하는 것으로 제안되었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제51권6호
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• pp.527-532
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• 2014

$0.97Bi_{0.5+x}(Na_{0.78}K_{0.22})_{0.5-3x}TiO_3-0.03LaFeO_3$ lead-free piezoelectric ceramics were fabricated by a solid state reaction method. $LaFeO_3$ additives were added to $Bi_{0.5}(Na_{0.78}K_{0.22})_{0.5}TiO_3$ for volatile compensation of bismuth and sodium ions in the sintering process. To create A-site vacancies, the mole ratio and charge valence of A-site ions ($Bi^{3+}$, $Na^+$ and $K^+$) were controlled. The improved piezoelectric properties were observed by addition of $LaFeO_3$ and control of A-site vacancies. In particular, a $d_{33}^*(S_{max}/E_{max})$ value of 614pm/V and an electric field induced strain of 0.33% was observed in $0.97Bi_{0.505}(Na_{0.78}K_{0.22})_{0.485}TiO_3-0.03LaFeO_3$ ceramic.