• 한국광학회지
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• 제6권3호
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• pp.233-238
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• 1995

Low Pressure Chemical Vapor Deposition으로 TEOS, TMPate, $PH_{3}$을 이용하여 Si을 기판으로한 집적광학용 $P_{2}$$O_{5}$ $-SiO_{2}$(PSG)박막을 만들었으며 P첨가제인 TMPate와 P $H_{3}$의 사용에 따른 증착률, 굴절률, 균일도 등의 특성을 조사 및 비교하였다. TMPate에 의한 PSG박막은 증착률이 $55 \AA/min$으로 $PH_{3}$에 의한 PSG박막의 값인 90.angs./min보다 작았으며 상대적으로 TMPate-PSG의 두께 균일도는 2%로 $PH_3-PSG$의 값인 4.5%보다 작아 균일도면에서 훨씬 우수하였다. TMPate-PSG의 굴절률은 파장 633nm에서 1.445-1.468 이였으며 $PH_3-PSG$는 1.459-1.476으로 TMPate-PSG 보다 높은 굴절률 값을 얻을 수 있었다.

• 한국광학회지
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• 제14권2호
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• pp.135-141
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• 2003

양의 열광학 계수를 갖는 실리카를 하부클래드 및 코아에 그리고 음의 열광학 계수를 갖는 폴리머를 상부클래드에 적용한 AWG(Arrayed Waveguide Grating) 파장분할 다중화 소자에 대하여 이차원 스칼라 유한차분법(Scalar Finite Difference Method; SFDM)으로 온도의존 특성을 분석한 결과, 클래드의 굴절률을 변화시키거나 실리카 코어 상부에 실리카 박막이 존재하는 구조에서 박막의 두께를 변화시켜 온도의존 특성을 조절할 수 있음을 확인하였다. 이러한 해석결과에 근거하여 폴리머 상부클래드가 적용된 AWG 소자를 제작하였으며 기존의 실리카 AWG 소자와 특성을 비교분석하였다. 폴리머 상부클래드의 도입에 의해 삽입손실 및 크로스톡은 큰 변화가 없었으나 중심파장의 온도의존성은 0.0130 nm/$^{\circ}C$에서 0.0028 nm/$^{\circ}C$ 수준으로 감소하였다.

• 한국광학회지
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• 제11권5호
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• pp.335-339
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• 2000

본 논문에서는 2" BK7 유리 기판에 $Ag^+-Na^+$ 이온교환법을 이용한 $1.31/1.55\mu\textrm{m}$ 두파장 방향성 광 결합기를 제작하였다. 제작 및 모델링 조건으로는 이온교환 온도 $340^{\circ}C$, 이온교환 시간 12h, 확산이온농도 0.67[MF]-NaNO3+0.33[MF]-KNO3+1$\times$-3[MF]-AgNO3, 이었으며 굴절율의 분포는 폭 방향으로는 가우시안 함수로, 깊이 방향으로는 에러 함수 분포로 근사화 하였다. 광 결합기를 구성하는 채널 도파로의 폭은 단일 모드 조건으로부터 $4\mu\textrm{m}$이었고 간격은 $8\mu\textrm{m}$이었다. 제작된 소자의 전체 길이는 16mm이었으며 광 결합길이는 12.6mm이었고 $1.31/1.55\mu\textrm{m}$ 두파장에서 각각 18dB이상의 소멸비를 나타내었다.

• 한국광학회지
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• 제18권3호
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• pp.216-220
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• 2007

본 논문에서는 굴절률 차이가 큰 폴리머 광 도파로를 이용하여 광대역 파장가변이 가능한 이중 링 공진기 Add/Drop 필터를 제작하였다. Add/Drop 필터의 제작시 공정 오차에 둔감한 특성을 갖도록 광 결합기를 설계하였다. 코어와 클래딩의 굴절률은 1550 nm 파장 대역에서 각각 1.51, 1.378로 약 $100{\mu}m$ 정도의 곡률 반경을 가지는 곡선 도파로를 수용할 수 있다. 두 개의 링이 동시에 공진하는 파장 대역에서 Drop 특성은 이웃하는 피크 좌다 약 2.9 dB 이상 높은 특성을 보였다. 이 필터는 반사형 반도체 광증폭기 등과의 하이브리드 집적을 통하여 광대역 파장 가변 레이저 다이오드를 구현하는데 활용할 수 있을 것으로 기대된다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제31권4호
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• pp.267-271
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• 2018

A high directivity TIR (total internal reflection) lens in the UV-A region was designed using a silicone resin, and a UV light source module with a maximum irradiation density of $150mW/cm^2$ was fabricated. The beam angle of the TIR lens was designed to be $8.04^{\circ}$ and the maximum diameter of the TIR lens was Ø13.5. A silicone resin having a UV transmittance of 93% and a refractive index of 1.4 at a wavelength of 365 nm was used, and the lens was manufactured using an aluminum mold, from which silicone could be easily released. The module was fabricated in a metal printed circuit board of COB (chip on board) type using a $0.75{\times}0.75mm^2$ UV chip. A jig was used to adjust the focal length between lens and chip and to fix the position of the lens. The optical characteristics such as illumination distributions of the lens and module were designed using 'LightTools' optical simulation software. The heat dissipation system was designed to use a forced-air cooling method using a heat-sink and fan.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2004년도 SMICS 2004 International Symposium on Maritime and Communication Sciences
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• pp.53-56
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• 2004

The a-Si:H TFT using ferroelectric of SrTi $O_3$as a gate insulator is fabricated on glass. Dielectric characteristics of ferroelectric are superior to $SiO_2$and S $i_3$ $N_4$. Ferroelctric increases on-current, decreases thresh old voltage of TFT and also improves breakdown characteristics. The a-SiN:H has optical band gap of 2.61 eV, refractive index of 1.8~2.0 and resistivity of 10$^{13}$ - 10$^{15}$ $\Omega$cm, respectively. Insulating characteristics of ferroelectrics are excellent because dielectric constant of ferroelectric is about 60~100 and breakdown strength is over 1MV/cm. TFT using ferroelectric has channel length of 8~20${\mu}{\textrm}{m}$ and channel width of 80~200${\mu}{\textrm}{m}$. And it shows that drain current is 3.4$mutextrm{A}$ at 20 gate voltage, $I_{on}$ / $I_{off}$ is a ratio of 10$^{5}$ - 10$^{8}$ and $V_{th}$ is 4~5 volts, respectively. In the case of TFT without ferroelectric, it indicates that the drain current is 1.5 $mutextrm{A}$ at 20 gate voltage and $V_{th}$ is 5~6 volts. With the improvement of the ferroelectric thin film properties, the performance of TFT using this ferroelectric has advanced as a gate insulator fabrication technology is realized.zed.d.

• 대한치과교정학회지
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• 제49권6호
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• pp.404-412
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• 2019

Objective: To assess shear bond strength and failure mode (Adhesive Remnant Index, ARI) of orthodontic brackets bonded to polymethylmethacrylate (PMMA) blocks for computer-aided design/manufacture (CAD/CAM) fabrication of temporary restorations, following substrate chemical or mechanical treatment. Methods: Two types of PMMA blocks were tested: $CAD-Temp^{(R)}$ (VITA) and $Telio^{(R)}$ CAD (Ivoclar-Vivadent). The substrate was roughened with 320-grit sandpaper, simulating a fine-grit diamond bur. Two universal adhesives, Scotchbond Universal Adhesive (SU) and Assure Plus (AP), and a conventional adhesive, Transbond XT Primer (XTP; control), were used in combination with Transbond XT Paste to bond the brackets. Six experimental groups were formed: (1) $CAD-Temp^{(R)}/SU$; (2) $CAD-Temp^{(R)}/AP$; (3) $CAD-Temp^{(R)}/XTP$; (4) $Telio^{(R)}$ CAD/SU; (5) $Telio^{(R)}$ CAD/AP; (6) $Telio^{(R)}$ CAD/XTP. Shear bond strength and ARI were assessed. On 1 extra block for each PMMA-based material surfaces were roughened with 180-grit sandpaper, simulating a normal/medium-grit ($100{\mu}m$) diamond bur, and brackets were bonded. Shear bond strengths and ARI scores were compared with those of groups 3, 6. Results: On $CAD-Temp^{(R)}$ significantly higher bracket bond strengths than on $Telio^{(R)}$ CAD were recorded. With XTP significantly lower levels of adhesion were reached than using SU or AP. Roughening with a coarser bur resulted in a significant increase in adhesion. Conclusions: Bracket bonding to CAD/CAM PMMA can be promoted by grinding the substrate with a normal/medium-grit bur or by coating the intact surface with universal adhesives. With appropriate pretreatments, bracket adhesion to CAD/CAM PMMA temporary restorations can be enhanced to clinically satisfactory levels.

• 센서학회지
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• 제30권4호
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• pp.250-254
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• 2021

A highly sensitive and selective non-dispersive infrared (NDIR) carbon dioxide gas sensor requires achieving high transmittance and narrow full width at half maximum (FWHM), which depends on the interface of the optical filter for precise measurement of carbon dioxide concentration. This paper presents the design, simulation, and fabrication of a Fabry-Perot filter based on a distributed Bragg reflector (DBR) for a low-cost NDIR carbon dioxide sensor. The Fabry-Perot filter consists of upper and lower DBR pairs, which comprise multilayered stacks of alternating high- and low-index thin films, and a cavity layer for the resonance of incident light. As the number of DBR pairs inside the reflector increases, the FWHM of the transmitted light becomes narrower, but the transmittance of light decreases substantially. Therefore, it is essential to analyze the relationship between the FWHM and transmittance according to the number of DBR pairs. The DBR is made of silicon and silicon dioxide by RF magnetron sputtering on a glass wafer. After the optimal conditions based on simulation results were realized, the DBR exhibited a light transmittance of 38.5% at 4.26 ㎛ and an FWHM of 158 nm. The improved results substantiate the advantages of the low-cost and minimized process compared to expensive commercial filters.

• Composites Research
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• 제35권6호
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• pp.412-418
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• 2022

메타크릴산과의 에스터화 반응을 통해 브롬화 에폭시 수지와 일반 에폭시 수지의 혼합물로부터 난연성 비닐에스터 핫멜트 필름을 제조하였고 이를 이용하여 탄소섬유와 비닐에스터 복합 프리프레그를 제조하였다. 저점도 비스페놀-A와 고점도 브롬화 비스페놀-A 에폭시 전구체를 혼합하여 필름 생산에 적합한 VE 수지의 점도를 최적화하였다. 경화된 VE 수지의 브롬 함량 증가는 비 브롬화 VE에 비해 제한 산소 지수(LOI)(39%), 25℃에서의 저장 탄성률(2.4 GPa) 및 잔류 탄화물(16.1%) 값을 더 증가시켰다. 합성한 VE 프리프레그의 수동 레이업과 후속 경화로 인장 및 굴곡 강도가 우수한 CF 강화 복합재를 성공적으로 제작하였다. 본 연구 결과는 스티렌이 없는 친환경적인 VE 복합 재료 공정의 향후 산업화에 대한 높은 가능성을 보여준다.

• 한국진공학회지
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• 제15권2호
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• pp.152-161
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• 2006

일차원의 대칭성을 갖는 형판 위에서 Bi원자가 자발적으로 형성하는 나노 구조체의 원자 구조를 이해하기 위하여, 재구조 된 Si(5 5 12)을 Bi의 탈착 온도에 가까운 온도로 가열한 채 Bi를 흡착시키고 주사 터널링 현미경으로 그 원자 구조를 각 흡착 단계별로 규명하였다. 제일 먼저 Bi는 이 기판에 존재하는 여러 종류의 $[\bar{1}\;1\;0]$에 평행한 row들 중에서 기판과 결합력이 가장 약한 dimer row와 adatom row 만을 선택적으로 Bi-dimer row와 Bi-adatom row로 각각 치환한다. 이 과정에서 치환된 Bi는 Si과의 크기 차이로 인해 인접한 (337) subsection에 tensile stress를 인가하게 되고, 그 결과 (337) subsection 내의 tetramer row는 갈라져 dimer row와 adatom row로 변형되고, 이들 역시 Bi-dimer row와 Bi-adatom row로 각각 치환된다. 다음으로 이들 치환된 Bi-dimer row와 Bi-adatom row 위에 각각 Bi-dimer가 흡착하면 서로 마주보며 안정된 Bi-dimer pair를 이루며, 이 pair 역시 row를 이루고 둘째 층을 형성한다. 마지막으로 셋째 층의 Bi는 둘째 층의 마주보는 Bi-dimer pair 위에 흡착한 한 개의 Bi-dime이며 더 이상의 Bi는 쌓이지 않는다. 이와 같이 자발적으로 조립되는 Bi-dimer row의 형성 원인을 종합하면, 재구조 된 Si(5 5 12) 위에서 Bi의 선택적 반응, Bi와 Si의 크기 차이로 인한 표면 stress의 유발, Bi 원자 간의 안정된 결합형태 등을 들 수 있다.