Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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v.21
no.2
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pp.138-144
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2004
The initiation and the propagation of solder joint crack depend on its environmental conditions, such as high temperature creep and thermal fatigue. Creep is known to be the most important factor for the mechanical failure of solder joints in micro-electronic components and micro-systems. This is mainly caused by the different thermal expansion coefficients of the materials used in the micro-electronic packages. To determine the reliability of solder joints and consequently the electronic components, the characterization of the creep behavior of this group of materials is crucial. This paper is to apply the theory of creep into solder joints and to provide related technical information needed for evaluation of reliability of solder joint to failure. 63Sn-37Pb solder was used in this study. This paper experimentally shows a way to enhance the reliability of solder joints.
Electrochemical migration phenomenon is correlated with ionization of anode electrode, and ionization of anode metal has similar mechanism with corrosion phenomenon. In this work, in-situ water drop test and evaluation of corrosion characteristics for SnPb solder alloys in $Na_2SO_4$ solutions were carried out to understand the fundamental electrochemical migration characteristics and to correlate each other. It was revealed that electrochemical migration behavior of SnPb solder alloys was closely related to the corrosion characteristics, and Sn Ivas primarily ionized in ${SO_4}{^2-}$ solutions. The quality of passive film formed at film surface seems to be critical not only for corrosion resistance but also for electrochemical migration resistance of solder alloys.
Proceedings of the Korean Powder Metallurgy Institute Conference
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2006.09b
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pp.1207-1208
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2006
We developed the copper core ball electroplated with Sn-Ag-Cu of the eutectic composition which used mostly as Pb free solder ball with high reliability. In order to search for the practicality of this developed copper core ball, the evaluation was executed by measuring the initial joint strength of the sample mounted on the substrate and reflowed and by measuring the joint strength of the sample after the high temperature leaving test and the constant temperature and the humidity leaving test. This evaluation was compered with those of the usual other copper core balls electroplated with (Sn,Sn-Ag,Sn-Cu,Sn-Bi) and the Sn-Ag-Cu solder ball.
We investigated that the metallurgical, mechanical and electrical properties of the Sn-3.SAg/Cu ball grid array (BGA) solder joints at a reflow temperature of $255^{\circ}C$ for different reflow times of 10, 60, 300 and 1800 s. Two different intermetallic compound (IMC) layers, consisting of scallop-shaped $Cu_6Sn_5$ and very thin $Cu_3Sn$, formed at the solder/substrate interface, and their thicknesses increased with increasing reflow time. The shear force peaked after reflow for 60 s, and then significantly decreased with increasing reflow time. The fracture occurred along the solder ball in the initial reflow, but the fraction of the brittle fracture increased with increasing reflow time. The IMC growth and the volume of Cu dissolved in the solder balls affected the electrical property.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.9
no.2
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pp.1-9
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2002
The intermetallic formation between Sn-Ag-(Cu) solders and metal pads in a real BGA package was characterized using SEM, EDS, and XRD. The intermetallic phase formed in the interface between Sn-Ag-Cu and Au/Ni/Cu pad is likely to be ternary compound of $(Cu,Ni)_6Sn_5$ from EDS analysis High concentration of Cu was observed in the solder/Ni interface. XRD analysis confirmed that $\eta -Cu_6 Sn_5$ type was intermetallic phase formed in the interface between Cu containing solders and Ni substrates and $Ni_3$Sn_4$ intermetallic was formed in the Sn-Ag solder/Ni interface. The thickness of intermetallic phase increased with the reflow times and Cu concentration in solder.
Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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2002.09a
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pp.203-215
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2002
Using eutectic In-Ag and Bi-Sn solder materials, we developed the COG technique having a minimum pitch of 50 ${\mu}{\textrm}{m}$. The maximum temperature in this process is $160^{\circ}C$. We fabricated spherical and uniform solder bumps by controlling the microstructure of Bi-Sn solder bumps. The contact resistances of Bi-Sn solder joints were 19 m$\Omega$ at $80{\mu}{\textrm}{m}$ pitch and 60 m$\Omega$ at $80{\mu}{\textrm}{m}$ pitch, respectively. These values are much lower than the contact resistance of the conventional ACF bonding. The contact resistances of the solder joint are almost the same before and after the underfill process. The contact resistance of the underfilled Bi-Sn solder joint did not change even after reliability test.
Kim Dae-Gon;Ha Sang-Su;Kim Jong-Ung;Sin Yeong-Ui;Jeong Seung-Bu
Proceedings of the KWS Conference
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2006.05a
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pp.21-23
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2006
The microstructural investigation and thermo-mechanical reliability evaluation of the Sn-3.0Ag-0.5Cu solder bumped flip chip package were carried out during the thermal shock test of the package. In the initial reaction, the reaction product between the solder and Cu mini bump of chip side was Cu6Sn5 layer, while the two phases which were (Cu,Ni)6Sn5 and (Ni,Cu)3Sn4 were formed between the solder and Ni-P layer of the package side. The cracks were occurred at the corner solder joints after the thermal shocks of 400 cycles. The primary failure mechanism of the solder joints in this type of package was confirmed to be thermally activated solder fatigue failure.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.11
no.2
s.31
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pp.23-28
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2004
We utilized Ag capping layer for fluxless bonding. To investigate the effect of Ag capping layer, two sets of sample were used. One set was bare In and Sn solders. The other set was In and Sn solders with Ag capping layer. In ($10{\mu}m$) and Sn ($10{\mu}m$) solders were deposited on Cu/Ti/Si substrate using thermal-evaporation, and Ag ($0.1{\mu}m$) capping layers were deposited on In and Sn solders. Solder joints were made by joining two In and Sn deposited specimens at $130^{\circ}C$ for 30 s under 0.8, 1.6, 3.2 MPa using thermal compression bonder. The contact resistance was measured using four-point probe method. The shear strength of the solder joints was measured by the shear test of cross-bar sample in the direction. The microstructure of the solder joints was characterized with SEM and EDS. In and Sn solders without Ag capping layers were only bonded at $130^{\circ}C$ under high bonding pressure. Also the shear strength of the In-Sn solder joints under was lower than that of the Ag/In-Ag/Sn solder joints. The resistance of the solder joints was $2-4\;m{\Omega}$ The solder joints consisted of In-rich phase and Sn-rich phase and the intermixed compounds were found at the interface. As bonding pressure increased, the intermixed compounds formed more.
We have developed a new COG technique using flip chip solder joining technology for excellent resolution and high quality LCD panels. Using the eutectic Bi-Sn and the eutectic In-Ag solder bumps of 50-80 ${\mu}m$ pitch sizes, a ultrafine interconnection between IC and glass substrate was successfully made at or below $160^{\circ}C$. The contact resistance and reliability of Bi-Sn solder joint showed the superiority over the conventional ACF bonding.
This paper presents the investigations on the initial strength and its variation of Sn-Pb solder joint using different lead frames, such as are 42 alloy lead and Cu alloy lead. As the result of the lack of initial strength at solder joints, whose pitch is from 0.3 to 0.4mm, short circuit often occured at the solder joint by thermal shock or external impact. Therefore, in this paper investigations were performed on the initial strength and its variation of Sn-Pb solder joint as well as fractured mode with using different lead frames.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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