• 제목/요약/키워드: InP/GaP SPS

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Efficient excitation and amplification of the surface plasmons

  • Iqbal, Tahir
    • Current Applied Physics
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    • 제18권11호
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    • pp.1381-1387
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    • 2018
  • One dimensional (1D) grating has been fabricated (using focused ion beam) on 50 nm gold (Au) film deposited on higher refractive index Gallium phosphate (GaP) substrate. The sub-wavelength periodic metal nano structuring enable to couple photon to couple with the surface plasmons (SPs) excited by them. These grating devices provide the efficient control on the SPs which propagate on the interface of noble metal and dielectric whose frequency is dependent on the bulk electron plasma frequency of the metal. For a fixed periodicity (${\Lambda}=700 nm$) and slit width (w = 100 nm) in the grating device, the efficiency of SPP excitation is about 40% compared to the transmission in the near-field. Efficient coupling of SPs with photon in dielectric provide field localisation on sub-wavelength scale which is needed in Heat Assisted Magnetic recording (HAMR) systems. The GaP is also used to emulate Vertical Cavity Surface emitting laser (VCSEL) in order to provide cheaper alternative of light source being used in HAMR technology. In order to understand the underlying physics, far-and near-field results has been compared with the modelling results which are obtained using COMSOL RF module. Apart from this, grating devices of smaller periodicity (${\Lambda}=280nm$) and slit width (w = 22 nm) has been fabricated on GaP substrate which is photoluminescence material to observe amplified spontaneous emission of the SPs at wavelength of 805 nm when the grating device was excited with 532 nm laser light. This observation is unique and can have direct application in light emitting diodes (LEDs).

Effect of Growth Temperature on the Luminescence Properties of InP/GaP Short-Period Superlattice Structures

  • Byun, Hye Ryoung;Ryu, Mee-Yi;Song, Jin Dong;Lee, Chang Lyul
    • Applied Science and Convergence Technology
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    • 제24권1호
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    • pp.22-26
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    • 2015
  • The optical properties of InP/GaP short-period superlattice (SPS) structures grown at various temperatures from $400^{\circ}C$ to $490^{\circ}C$ have been investigated by using temperature-dependent photoluminescence (PL) and emission wavelength-dependent time-resolved PL measurements. The PL peak energy for SPS samples decreases as the growth temperature increases. The decreased PL energy of ~10 meV for the sample grown at $425^{\circ}C$ compared to that for $400^{\circ}C$-grown sample is due to the CuPt-B type ordering, while the SPS samples grown at $460^{\circ}C$ and $490^{\circ}C$ exhibit the significant reduction of the PL peak energies due to the combined effects of the formation of lateral composition modulation (LCM) and CuPt-B type ordering. The SPS samples with LCM structure show the enhanced carrier lifetime due to the spatial separation of carriers. This study represents that the bandgap energy of InP/GaP SPS structures can be controlled by varying growth temperature, leading to LCM formation and CuPt-B type ordering.

성장 온도에 따른 InP/GaP SPS 구조의 광학적 특성

  • 변혜령;류미이;송진동
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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    • pp.229.1-229.1
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    • 2013
  • 초격자는 동종의 III-V 삼원 합금층을 성장하는 동안 스피노달 분해(spinodal decomposition)로 인한 원자배열(atomic ordering)과 상분리phase separation)에 의해서 발생하는데 MBE (molecular beam epitaxy)과 MOVPE (metalorganic vapor phase epitaxy)를 이용하여 성장시킬 때 주로 발생한다. 본 논문에서는 성장온도에 따른 InP/GaP SPS (short-period superlattices) 구조의 광학적 특성 변화를 시료의 온도와 여기광의 세기를 이용하여 분석하였다. 시료는 MBE 장비를 이용하여 성장하였으며, SPS층은 659쌍의 GaP(2.9 ${\AA}$)과 InP(3.1 ${\AA}$)로 이루어져 있고, GaP 층을 처음에 증착한 뒤, InP 층을 증착 하였다. 성장시 온도를 $400^{\circ}C$, $425^{\circ}C$, $460^{\circ}C$ 그리고 $490^{\circ}C$로 변화를 주어 성장하였다. 이들 시료를 GT400, GT425, GT460 그리고 GT490이라 하였고 이에 대한 광학적 특성을 PL (photoluminescence)를 이용하여 분석하였다. 10 K에서 PL 피크는 GT400 시료는 634 nm, GT425 시료는 636 nm, GT460 시료는 680nm, 그리고 GT490 시료는 692 nm에서 나타났으며, GT425 시료의 PL 세기가 가장 강하게 나타나고 GT400 시료의 PL 세기가 가장 약하게 나타났다. 그러나 260 K에서 PL 세기는 GT460 시료가 가장 강하게 나타나고 GT425 시료가 가장 약하게 나타났다. 성장온도가 증가함에 따라 밴드갭이 감소하는 것은 특정 성장온도($460^{\circ}C$) 이상에서 LCM (lateral composition modulation)이 형성되는 것으로 설명할 수 있다. GT400 시료와 GT425 시료의 PL 피크가 1.94 eV와 1.95 eV로 비슷하고, GT460 시료와 GT490 시료의 PL 피크가 1.82 eV과 1.79 eV로 비슷하게 나타난 것은 $460^{\circ}C$이상에서 성장한 시료에서 LCM 구조 형성으로 설명할 수 있다.

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전력시스템 안정화를 위한 GA를 이용한 SPS제어기 설계 (Design of a GA-based SPS controller for Power system stabilization)

  • 이창우;김상효;정형환;이정필;김해재
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2003년도 하계학술대회 논문집 A
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    • pp.224-226
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    • 2003
  • Design of a GA-based SPS controller for Power system stabilization has been investigated in this paper. The design problem of SPS controller is formulated as an optimization problem using GA. The dynamic characteristic responses are considered to verify performance of the proposed SPS under various disturbance for various operation conditions. The simulation results show that the proposed SPS controller provides most of the damping and improves greatly the voltage profile of the system under two different disturbances.

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The Influence of Rapid Thermal Annealing Processed Metal-Semiconductor Contact on Plasmonic Waveguide Under Electrical Pumping

  • Lu, Yang;Zhang, Hui;Mei, Ting
    • Journal of the Optical Society of Korea
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    • 제20권1호
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    • pp.130-134
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    • 2016
  • The influence of Au/Ni-based contact formed on a lightly-doped (7.3×1017cm−3, Zn-doped) InGaAsP layer for electrical compensation of surface plasmon polariton (SPP) propagation under various rapid thermal annealing (RTA) conditions has been studied. The active control of SPP propagation is realized by electrically pumping the InGaAsP multiple quantum wells (MQWs) beneath the metal planar waveguide. The metal planar film acts as the electric contact layer and SPP waveguide, simultaneously. The RTA process can lower the metal-semiconductor electric contact resistance. Nevertheless, it inevitably increases the contact interface morphological roughness, which is detrimental to SPP propagation. Based on this dilemma, in this work we focus on studying the influence of RTA conditions on electrical control of SPPs. The experimental results indicate that there is obvious degradation of electrical pumping compensation for SPP propagation loss in the devices annealed at 400℃ compared to those with no annealing treatment. With increasing annealing duration time, more significant degradation of the active performance is observed even under sufficient current injection. When the annealing temperature is set at 400℃ and the duration time approaches 60s, the SPP propagation is nearly no longer supported as the waveguide surface morphology is severely changed. It seems that eutectic mixture stemming from the RTA process significantly increases the metal film roughness and interferes with the SPP signal propagation.

대한치과위생사협회 및 산하단체에서 제안한 한국 치위생학 연구의제 분포 (Distribution of the Korean Dental Hygiene Research Agenda Suggested by the Korean Dental Hygienists Association and Affiliated Groups)

  • 이가영;이선미;김창희;배수명;김남희
    • 치위생과학회지
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    • 제16권5호
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    • pp.393-399
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    • 2016
  • 치위생학이 독립적인 학문으로서 전문성을 가지기 위해서는 연구의 세부영역이 확립되어야 한다. 따라서 본 연구는 국내 치위생학 관련 기관 중 대한치과위생사협회 및 그 산하단체를 대상으로 델파이 조사를 이용하여 연구의제를 수집하여 연구요구를 파악하고자 하였다. 델파이 조사는 대한치과위생사협회 및 산하단체 총 8개 기관의 기관장에게 유선으로 연구 목적을 설명하고 전자우편으로 델파이 설문지를 배포 및 수거하였다. 연구의제는 한국 치위생학 학문 분류와 미국 NDHRA의 분류를 이용하여 분류하였고, IBM SPSS를 이용하여 기관별 분류된 연구의제 수에 차이가 있는지 교차분석을 통해 확인하였다. 그 결과 총 316개의 연구의제가 수집되었다. 한국 치위생학 학문분류로 연구의제를 분류한 결과 '임상치위생(36.7%)'에 관련된 연구의제를 가장 많이 제안하였고, 기관별 유의한 차이가 있었다(p<0.001). 또 제시된 연구의제를 미국 NDHRA 분류로 분류한 결과 기관별 제시한 연구의제 수가 유의한 차이가 없었고(p=0.054), '건강증진 및 질병예방(27.8%)'에 관한 연구의제가 가장 많았다. '기초치위생'에 관련된 연구요구는 대한치위생(학)과교수협의회에서 높았고, '임상치위생'에 관련된 연구요구는 한국치위생학회, 대한치과위생학회, 한국치위생감염관리학회, 대한치과위생사협회 임상회에서 높았으며, '사회치위생'에 관련된 연구요구는 대한치과위생사협회, 한국치위생과학회, 대한치과위생사협회 보건회에서 높았다. 이상의 결과 각 기관에서는 창설 목적과 유사한 연구의제를 제시하였다. 그러나 유사학문과 비교해보았을 때, 국내 치위생학관련 전문기관들은 비교적 기관별로 뚜렷한 특성을 나타내지 못하고 있는 것으로 보인다. 즉, 치위생학 연구의 세부영역이 확립되기 위해서는 각 기관에서 치위생학 학문분류에 따른 특성을 뚜렷이 하고, 그에 맞는 연구의제를 제시해야 할 것이다. 또한 연구자들이 연구결과를 투고 시 본인의 연구영역을 미리 분류하게 하여 세부영역을 확립하게 해야 할 것이다.